机械合金化制备电触头材料进展

介绍了机械合金化技术的基本原理、工艺过程及其特点 ,阐述了机械合金化 (MA)制备电触头材料的研究进展。结果表明 :机械合金化在制备电触头材料方面 ,尤其是在制备纳米晶电触头材料方面 ,是一种行之有效的方法。

纳米相包覆AgC_5电触头材料

采用化学镀技术 ,在高能球磨所得纳米石墨粉上包覆银 ,制得纳米晶银 /石墨包覆粉体 ,经冷压、烧结、复压工序 ,制备了AgC5触头材料。采用此新工艺制备的触头材料与常规工艺制得的相比 ,在力学和物理性能等方面有了较大的提高。分断实验表明 :将纳米技术应用到银 /石墨触头材料的制备中 ,使材料的抗电弧磨损性能有了较大的改善。

碳源对AlON粉体合成及其透明陶瓷制备的影响

以纳米炭黑、微米碳粉为碳源,采用碳热还原法合成AlON粉体和无压烧结制备AlON透明陶瓷。利用X射线衍射仪、扫描电镜、颗粒度分析仪和分光光度计等研究碳源对粉体及陶瓷制备的影响。结果表明：碳源尺寸及形貌与AlON粉体的合成温度、粉体形貌及颗粒大小密切相关;采用纳米炭黑降低了AlON粉体的合成温度,在1730℃合成了单相粉体;采用微米碳粉在1750℃煅烧2h条件下制备了高纯度的AlON粉体,从而制备了高透光率的AlON陶瓷,该样品（1mm厚）在1000~5000nm波长范围内的直线透过率在80%左右,在3.93μm波长处光学透过率最高可达83.7%,其平均晶粒尺寸为110~120μm。

液相包覆技术及其在材料制备中的应用

本文介绍了液相包覆技术制备涂层的一些基本方法及其在材料制备中的应用 ,表明该工艺使陶瓷材料获得了均匀混合 ,同时改善了复合材料基体相与增强相之间的界面状态 。

石英陶瓷天线罩材料研究进展

石英陶瓷材料具有优良的介电、热学和力学等综合性能,是目前导弹天线罩的主要应用材料。从石英陶瓷天线罩材料的制备方法、性能、制备新工艺、防潮和检测等方面,回顾了国内外的研究进展和现状,并对其未来发展方向进行了展望。

碳热还原氮化法合成AlON粉体的表征及透明陶瓷的制备

以γ-Al_2O_3和炭黑为原料,通过碳热还原氮化法合成AlON粉体,经球磨后得到了亚微米级AlON粉体,无压烧结制备了透明AlON陶瓷,利用SEM、XRD、FTIR、电子能量损失谱(EELS)和氧氮分析仪对粉体进行了分析表征。结果表明:合成的AlON粉体经1 h球磨后得到了平均粒度为0.65μm,比表面积为12.6 m^2/g的AlON粉体,粉体中Al含量与Al_5O_6N相的接近,氧含量稍微偏高,氮含量偏低。该粉体添加0.08wt%Y_2O_3+0.02wt%La_2O_3为烧结助剂,在1875℃无压烧结24 h制备了光学直线透过率为71.5%@900 nm的透明AlON陶瓷(1 mm厚)。

石英纤维增强石英陶瓷复合材料制备研究进展

石英纤维增强石英(SiO2f/SiO2)陶瓷复合材料具有优良的力学、介电、烧蚀和热物理等综合性能,是高速导弹天线罩、天线窗的首选材料。本文从石英纤维增强石英陶瓷复合材料的制备方法、石英纤维织物结构及预处理工艺、循环浸渍及后处理工艺、复合材料防潮处理和复合材料的发展等方面简述了国内外的研究进展,并对其未来发展方向进行了展望。

A夹层石英陶瓷材料的制备

本文采用PVA对造孔剂颗粒与石英颗粒造粒,将过筛后的造粒料颗粒加入到石英料浆中真空混合除泡,采用压力浇注的方法制备了多孔石英陶瓷材料及其部件,探讨了造孔剂含量对多孔石英陶瓷材料性能的影响,分析了影响多孔陶瓷材料整体密度均匀性的因素。结果表明:制备的多孔石英陶瓷材料是一种适合宽频带天线罩的芯层材料。通过真空浸渍工艺制备A夹层石英陶瓷材料及部件,观察了A夹层材料的结合界面形貌,表明多孔芯层与蒙皮通过石英颗粒烧结形成了结合界面,界面结合良好。

无压烧结制备AlON透明陶瓷的性能表征

以纳米氧化铝粉和微米C粉为原料,通过碳热还原法合成Al ON粉体,经无压烧结制备了Al ON透明陶瓷,并对其微观组织、力学、热学和光学等性能进行了表征。结果表明：1875℃×24 h条件下无压烧结制备了平均晶粒尺寸为110~120μm的Al ON透明陶瓷,其室温抗弯强度为（275±25）MPa,室温比热容和导热系数分别为0.781 J/（g·K）和12.3 W/（m·K）,该样品（1 mm厚）在1000~5000 nm波长范围内的直线透过率在80%左右,在3.93μm波长处光学透过率最高可达83.7%。

新型AgC5电触头材料的性能及显微组织

采用高能球磨-还原剂液相喷雾化学包覆-粉末冶金工艺制备出新型银石墨电触头材料AgC5(质量分数)。经与烧结挤压和机械混粉工艺的同类触头相对比,该材料具有优异的机械物理性能。电磨损分断对比试验发现,与常规机械混粉同类触头相比该材料的耐电腐蚀性能提高了40%以上。利用扫描电镜和金相显微镜对AgC包覆粉体及烧结复压后触头显微组织进行了分析,发现微米尺寸的Ag颗粒呈絮凝状结构包覆在石墨片外,这种絮凝体内部孔洞尺寸细小且分布均匀;新工艺材料组织细腻,球磨石墨均匀分布在Ag基体上,弥散度较高。材料经电弧作用后的工作面用SEM和EDS分析发现:新工艺改善了Ag与C间的润湿性和物理结合强度,在电弧瞬时高温作用后,熔融Ag能够以珠状粘附在基体表面,有助于减少Ag液的喷溅损失。

纳米硬质合金的研究进展

概述了纳米硬质合金的研究进展,重点对纳米WC和WC-Co粉体的制备方法、烧结工艺和性能进行了介绍。指出要成功制备纳米硬质合金,关键在于控制烧结过程中WC晶粒的长大,探索新的快速烧结方法。

纳米技术在电触头材料中的应用

自 8 0年代纳米技术在材料领域通过纳米粒子以及各种超微细的结构模块 ,导致产生出许多新的具有优异性能和新的应用可能的纳米复合材料。纳米材料由于组成晶粒超细 ,大量原子位于晶界上 ,因而在机械性能、物理性能和化学性能等方面都优于普通的粗晶材料。最近几年这一技术在电触头材料的研究和制备过程中已经有了初步的应用 ,并取得了良好的效果。综述了近几年来纳米技术在电触头材料中的应用概况 ,介绍了已经制备出并见于报道的和正在研究的纳米晶触头材料的具体制备工艺及其性能的改善情况 。

常压烧结制备多孔氮化硅陶瓷研究

选用Al2O3、Y2O3、Lu2O3三种氧化物作为烧结助剂,采用凝胶注模成型和气氛保护常压烧结工艺,成功制备了具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅陶瓷材料。本文研究了三种烧结助剂对多孔氮化硅的力学性能、介电性能和微观结构的影响,以及对氮化硅陶瓷的烧结促进作用,结果表明Y2O3具有最佳的烧结活性促进作用,其微观结构表明β-Si3N4棒状晶粒搭接结构是使多孔氮化硅陶瓷材料具有较好力学性能的重要原因。

多孔氮化硅陶瓷天线罩材料制备及性能研究

针对新型导弹对配套天线罩材料性能要求,以纤维状氮化硅粉为主要原料,采用冷等静压工艺成型和气氛保护无压烧结工艺进行烧结,制备多孔氮化硅陶瓷材料。研究了原料和烧结助剂颗粒度、煅烧温度等工艺参数对材料性能的影响。选用合适的原料颗粒度和成型烧结工艺参数,成功制备了弯曲强度为154.53 MPa、密度为1.54 g/cm^(3)、气孔率为52.0%、介电常数3.28的多孔氮化硅陶瓷,可满足高性能导弹天线罩使用要求,并可实现根据使用要求对材料性能的可调控设计。

制粉工艺对制备银/石墨电触头材料性能的影响

采用机械混粉、化学包覆粗石墨和球磨纳米石墨制备银 /石墨混合粉 ,经冷压、烧结、复压工序 ,制备了AgC5触头材料。性能测试和组织分析表明 :包覆纳米石墨工艺 ,制备得到了组织更均匀的银 /石墨触头材料 ,同时 。

陶瓷天线罩材料的研制进展

从导弹技战术发展趋势和要求,阐述了天线罩材料的发展历程和研制进展,论述了氮化硅材料体系的研制工艺,二氧化硅和石英基纤维增强材料体系的几种制备工艺和应用,介绍了陶瓷基复合陶瓷夹层天线罩材料的研制进展和应用前景。

等静压成型石英陶瓷性能的研究

以石英粉为原料,聚乙烯醇和甲基纤维素分别为粘结剂,混匀后过筛,造粒后的粉料进行等静压成型。研究不同原料、粉体颗粒度、添加剂、成型压力、烧结温度等对熔石英陶瓷性能的影响。结果表明:采用粒度为8μm高纯石英粉为原料,聚乙烯醇作为粘结剂,在120MPa压力下等静压成型,在1245℃下烧结,得到了密度为1.97g/cm3,气孔率10%,强度54.12MPa的石英陶瓷。介电常数为3.32,损耗角正切1.2×10-3。

石英陶瓷导弹天线罩材料延迟断裂行为的研究

通过保载试验研究了石英陶瓷导弹天线罩材料延迟断裂行为的特性。试验表明,石英陶瓷材料在低于其断裂强度的恒定载荷作用下,内部微裂纹存在慢速扩展的现象,微裂纹扩展速度与载荷大小密切相关;在低于材料断裂强度约50%左右的载荷下,在300s的保载时间内,石英陶瓷材料试样内部裂纹没有产生明显的裂纹扩展现象。

轻质金属与树脂基复合材料胶接表面改性研究综述

轻质金属和树脂基复合材料性能各异,且差别很大,将其连接在一起可以充分发挥两种材料的优良性能,有着更高的损伤容限和疲劳极限。胶接作为一种低损伤的连接工艺,目前已经广泛应用于异种材料的连接,而胶接表面状况对胶接强度有着重要的影响。作者对轻质金属以及树脂基复合材料粘接前表面处理工艺技术进行了阐述,同时,对工艺过程的影响因素进行了分析,最后对未来表面改性技术的改进进行了展望。

纳米陶瓷复合材料制备工艺中nano-SiC与基体Al_2O_3粉末的均匀分散

本文探讨了用于增韧补强陶瓷基体的nano SiC颗粒的液相分散工艺 ,研究结果表明 :以乙醇和丙三醇的混和液作为分散介质 ,通过加入适当的表面活性剂 ,以及调节pH值可以制备出高分散、高稳定的纳米颗粒悬浮液 ,此法可获得理想的分散效果。