双酚A型二醚二酐的合成及对环氧树脂固化的影响

以4-氯代邻苯二甲酸酐(4-CPA)和双酚A为主要原料,经缩合、水解、酸化、脱水,合成了双酚A型二醚二酐(BPADA),并用核磁共振氢谱和红外光谱对产物的结构进行了表征。利用差示扫描量热分析和动态力学分析方法研究了BPADA作为E-51环氧树脂的固化剂并与邻苯二甲酸酐(PA)进行了比较,考察了2种固化体系所得产物的力学性能。结果表明,采用四步法成功合成出了BPADA,2种体系的固化反应活化能和反应级数相近,但BPADA体系活化能稍高于PA体系,且PA体系具有更高的反应速率。BPADA体系固化物的Tg比PA体系提高了40℃。相比PA体系,BPADA体系的冲击强度提高了35%,而弯曲性能略有下降,E-51/BPADA固化体系的冲击断面呈典型的韧性断裂,而E-51/PA固化体系呈典型的脆性断裂。

我国抹茶产业的发展现状

概述了我国抹茶产业的研究进展,介绍了我国抹茶的国家标准、抹茶的生产加工技术和研究应用现状,并展望了抹茶产业今后的研究方向和发展趋势。

真空辅助树脂传递模塑成型工艺研究进展

对近年来真空辅助树脂传递模塑成型(VARTM)工艺的树脂体系、成型工艺改进、树脂流动模拟以及国内外应用现状进行了综述。VARTM工艺具有成本低、污染小、效率高等优点,在大型复杂结构的整体成型中得到广泛应用。随着VARTM工艺的不断优化,配套技术的升级发展,将提升大尺寸制件的力学性能,VARTM工艺低成本的优势将尤其显著,发展VARTM工艺对于扩大复合材料的应用范围具有重要的意义。

碳纳米管/石墨烯/聚酰亚胺基复合薄膜的制备及性能研究

以3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚为主原料,RGO/CNTs为填充材料,邻苯二甲酸丁酯为致孔剂,N,N-二甲基乙酰胺为溶剂,利用热致相分离法制备了RGO含量2%,不同含量CNTs的PI基复合薄膜。通过红外光谱、扫描电镜、万能拉伸实验机和矢量网络分析仪等对复合薄膜的结构和性能进行表征和分析。结果表明,RGO/CNTs并没有影响聚酰胺酸的酰亚胺化过程。RGO的加入量为2%,逐渐增加CNTs的含量(3%~10%),薄膜的泡孔孔径、力学性能和电磁屏蔽效能均随着CNTs含量的增加先增大后减小。

热固性树脂基复合材料的化学回收方法及再利用现状

综述了应用最广泛的热固性树脂基复合材料的回收再利用化学回收方法的研究进展,其中包括热解法、常压溶剂法、超/亚临界流体法和电化学法,而且回收纤维能保留较好的性能,也介绍了国内外回收碳纤维的再利用现状,指出了碳纤维回收再利用可能带来的经济和环境效益。

光伏组件封装用EVA胶膜的研究进展

综述了光伏组件封装用乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)胶膜的生产工艺、应用领域以及最新研究进展,并对今后的发展方向和趋势进行了展望。

石墨烯基电磁屏蔽材料研究进展

随着信息技术和电子通信的不断发展,各种电子设备引起的电磁污染受到社会广泛关注,电磁屏蔽材料已成为研究热点。近年来,碳基电磁干扰屏蔽材料得到了很大的发展。特别是石墨烯,一种单原子层厚度的二维材料,具有导电性好、质量轻、化学性能稳定、环境友好、易加工、超高比表面积等独特性能,被认为是新型电磁干扰屏蔽材料的候选材料。对近年来石墨烯作为电磁干扰屏蔽材料在纳米复合材料、薄膜、泡沫和气凝胶中的应用进行了综述。结合研究现状,对石墨烯基电磁屏蔽材料面临的挑战和未来的发展进行了探讨和展望。

聚酰亚胺基碳纳米微孔材料的制备及性能研究

采用改性的Hummers法制备了氧化石墨烯(GO),进一步水合肼还原制备了还原氧化石墨烯(RGO)。采用热致相分离法制备了不同含量碳纳米管(CNTs)/RGO填充的聚酰亚胺(PI)基复合微孔薄膜,并用X-射线衍射(XRD)分析了RGO的还原程度,利用红外光谱(FTIR)和扫描电镜(SEM)研究了微孔薄膜的结构,还考察了PI/CNTs/RGO复合微孔薄膜的力学性能和电磁屏蔽性能。结果表明:成功制得了RGO;CNTs/RGO的加入没有影响PI的基本结构;当CNTs和RGO的质量分数均为2%时,泡孔结构规整且孔径较大;CNTs/RGO的加入明显提高了微孔薄膜的力学性能;CNTs的质量分数为2%时,随着RGO含量的增加,微孔薄膜的电磁屏蔽效能也随之提升,当RGO质量分数为1%时,PI/CNTs/RGO复合微孔薄膜的电磁屏蔽效能可达到10~12 dB。

LCL型单相并网逆变器的电流内环控制器设计

针对LCL型单相并网逆变器由于PI控制器不能消除并网电流稳态误差的问题,提出了基于逆变器输出电流反馈控制的P控制器设计方法。首先推导了LCL型单相并网逆变器的数学模型,接下来给出了逆变器输出电流反馈控制模型中采用P控制器的设计方法,最后在PSIM软件中对控制器的参数设计方法进行了仿真验证。仿真结果表明,该设计方法不但能够保证并网电流满足稳态误差的要求,还可以减小电网电压引起的扰动,并且并网电流谐波小、稳定性好、控制器参数设计简单。

反激变换器MOSFET开通电流尖峰的PSIM仿真研究

针对反激变换器在MOSFET开通时刻存在电流尖峰的事实,详细分析了变压器分布电容和箝位二极管结电容对电流尖峰的影响。最后在PSIM中建立了反激变换器的仿真模型,仿真结果证实:由于变压器的分布电容与箝位二极管的结电容都会在MOSFET开通时刻进行充电,从而产生较大的充电电流,最终体现为MOSFET的开通电流尖峰。

反激变压器漏感和分布电容的影响分析

针对反激变压器工作在高频情况下寄生参数不可忽略的事实,详细分析了变压器漏感和分布电容给反激变换器带来的影响。首先,分析了理想变压器情况下电流断续模式反激变换器的工作过程;其次,分析了理想变压器中只加入漏感、只加入分布电容、同时加入漏感和分布电容3种情况下寄生参数对反激变换器工作过程的影响;最后,设计了一台反激变换器实验样机对寄生参数的影响进行了验证。实验结果表明,漏感会在开关管关断瞬间的漏源电压上产生一个电压尖峰,分布电容会在开关管开通瞬间的漏极电流上产生一个电流尖峰,同时开关管截止期间漏感和分布电容之间以及励磁电感和分布电容之间产生的谐振会在开关管的漏源电压上叠加相应的振荡。

基于STM32和LabVIEW的超声波测距系统设计

文章介绍了一种基于STM32的超声波测距系统。该系统利用STM32F407ZGT6作为主控板,利用HC-RS04超声波模块感测障碍物的距离,并将感测的距离数据通过串口发送到PC机端进行显示,实现对障碍物距离实时、高效的监测。同时,也可通过PC机端设计的LabVIEW人机交互界面给STM32F407ZGT6控制板发送命令,控制整个测距系统的启动和停止,实现对系统的远程操作。经测试发现,系统结构简单,操作方便,工作稳定,可靠性高,符合预期要求。