PECVD法沉积大尺寸氮化硅薄膜性能的研究

采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论。PECVD法在连续沉积氮化硅薄膜时,薄膜的厚度、沉积速率、均一性以及致密度会随镀膜基板数变化。结果表明,随镀膜基板数量的逐渐增加,氮化硅薄膜平均厚度呈上升趋势,均一性变好,薄膜致密度呈下降趋势。

PECVD设备Leak在线监控系统创建及应用

等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD)设备具有高真空特点,容易发生漏气(Leak)事故,为预防事故发生,对PECVD腔室构造、成膜原理及过程进行深入分析。从原理上检讨通过光谱分析方法在线监控PECVD工艺腔室Leak的可行性,搭建了腔室在线监控系统。通过光谱条件的调整测试,发现Ar等离子状态下,Leak光谱和正常光谱差异最大化,更有利于Leak光谱检测,成功实现Leak在线检测,在行业内首次实现PECVD真空腔室在线监控功能。