凝结芽孢杆菌(B)、植物乳杆菌(L)、粪链球菌(S)和乳酸片球菌(P)是四种同型发酵乳酸菌,为探讨其作为青贮添加剂的组合应用效果,本研究以任意三种组成的4种复合菌剂(BLS、BSP、BLP和LSP)为研究对象,进行全株玉米青贮,分别设置50 m L/t和10...凝结芽孢杆菌(B)、植物乳杆菌(L)、粪链球菌(S)和乳酸片球菌(P)是四种同型发酵乳酸菌,为探讨其作为青贮添加剂的组合应用效果,本研究以任意三种组成的4种复合菌剂(BLS、BSP、BLP和LSP)为研究对象,进行全株玉米青贮,分别设置50 m L/t和100 m L/t两个剂量处理,对照组以蒸馏水代替复合微生物菌剂。结果表明:(1)复合微生物菌剂处理全株玉米青贮在感官评价上均优于对照组;(2)与对照组相比,复合微生物菌剂处理组具有较高的干物质、粗蛋白质和淀粉含量以及较低的灰分、NDF和ADF含量,在一定程度上减少了全株玉米青贮的营养损失;(3)复合微生物处理组虽在一定程度上增加了乳酸在总有机酸中所占比例而减少了乙酸、丙酸和丁酸所占比例,但其差异未达显著水平;(4)运用隶属函数法进行综合比较,复合微生物菌剂以BLP即凝结芽孢杆菌、植物乳杆菌和乳酸片球菌组合为最佳,剂量以100 m L/t为佳。展开更多
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表...采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气(2DEG)浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分(25%)范围内,获得的HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×1013cm-2和1 680 cm2/(V·s),方块电阻低至310Ω/□。展开更多
文摘凝结芽孢杆菌(B)、植物乳杆菌(L)、粪链球菌(S)和乳酸片球菌(P)是四种同型发酵乳酸菌,为探讨其作为青贮添加剂的组合应用效果,本研究以任意三种组成的4种复合菌剂(BLS、BSP、BLP和LSP)为研究对象,进行全株玉米青贮,分别设置50 m L/t和100 m L/t两个剂量处理,对照组以蒸馏水代替复合微生物菌剂。结果表明:(1)复合微生物菌剂处理全株玉米青贮在感官评价上均优于对照组;(2)与对照组相比,复合微生物菌剂处理组具有较高的干物质、粗蛋白质和淀粉含量以及较低的灰分、NDF和ADF含量,在一定程度上减少了全株玉米青贮的营养损失;(3)复合微生物处理组虽在一定程度上增加了乳酸在总有机酸中所占比例而减少了乙酸、丙酸和丁酸所占比例,但其差异未达显著水平;(4)运用隶属函数法进行综合比较,复合微生物菌剂以BLP即凝结芽孢杆菌、植物乳杆菌和乳酸片球菌组合为最佳,剂量以100 m L/t为佳。
文摘采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气(2DEG)浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分(25%)范围内,获得的HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×1013cm-2和1 680 cm2/(V·s),方块电阻低至310Ω/□。