磁控溅射法制备柔性大尺寸ITO薄膜的研究

为了获得适合手机触摸屏使用的ITO薄膜,寻找制备ITO薄膜的最佳工艺条件,研究了溅射功率、基底走速、氧气流量、氩气流量等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响。结果表明:当溅射功率为3.6 kW,基底走速为1.2 m/min,氧气流量为10.35 sccm,氩气流量为125 sccm时,所制得的ITO薄膜方阻最接近目标方阻180Ω/□,在400~780 nm可见光范围内,平均透过率达到最高值85.17%。通过采用大型卷对卷磁控溅射镀膜机制备柔性大尺寸ITO薄膜,实现了性能优良的ITO薄膜中试试验,为ITO薄膜的工业化量产提供了一条途径。