532nm连续激光晶化非晶硅薄膜的原位拉曼光谱研究

用磁控溅射制备了非晶硅薄膜,用波长为532 nm的连续激光退火和显微Raman光谱原位测试技术和场发射扫描电子显微镜研究了非晶硅薄膜在不同激光功率密度和不同扫描速度下的晶化状态。结果表明,激光照射时间10 s,激光功率密度大于2.929×105W/cm2时,能实现非晶硅薄膜晶化。在激光功率密度为5.093×105W/cm2,扫描速度为10 mm/s时非晶硅开始向多晶硅转化。在5.093×105W/cm2的功率密度下,以1.0 mm/s的扫描速度退火非晶硅薄膜,得到的晶粒直径为740 nm。

准直器型扩束光纤连接器插入损耗的设计和控制

扩束光纤连接器是一种特殊的非接触式光纤连接器,具有抗污染能力强、机械寿命性能优越及抗振动冲击能力强的特点,但工程化设计及制造难度大。通过对准直器型扩束光纤连接器的工作原理和插入损耗影响因素的研究,提出了降低该类连接器插入损耗的设计和控制措施,并总结出了一套行之有效的装配调试方法,希望为准直器型扩束光纤连接器的设计和制造提供参考。