掺杂纳米半导体超微粒ZnS：Mn^（2＋）光学特性研究

掺杂纳米半导体超微粒ＺｎＳ：Ｍｎ^（２＋）光学特性研究靳春明，窦恺，侯尚公，赵家龙，陈一民，黄世华，虞家琪（中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）九十年代对纳米尺寸（ｎａｎｏ?..

CdSSe掺杂玻璃中的光致暗变效应研究

本文用DFWM和荧光光谱方法研究了光致暗变效应对CdSSe掺杂玻璃光学性质的影响,解释了经过强光照射的样品,DFWM反射率,荧光强度和透射率降低的原因.

BiI_3层状半导体超微粒子的光学性质

本文研究了BiI_3半导体溶胶的光学性质.进一步证实,在BiI_3胶体样品中,真实的BiI_3半导体微晶粒予的吸收被强的I_3^-离子吸收掩盖了.通过测量激发光谱,确定了BiI_3微晶的吸收位置.用光谱数据计算得到的尺寸分布与电镜结果和理论分析符合得很好.得到的结果表明,BiI_3胶体中的BiI_3微晶与体材料相比。存在着显著的量子尺寸效应.

Cu_2O半导体超微粒子的光学性质

本文研究了表面修饰的Cu_2O半导体超微粒子的光学性质.在Cu_2O超微粒子中未观察到显著的量子尺寸效应,但测量到很强的宽带光致发光,且随着激发波长变短,其发光带的峰位蓝移,发光带宽度增加.最后,分析了Cu_2O超微粒子的宽带发光机制,并讨论了热处理对超微粒子的发光强度的影响.

CdS半导体超微粒子的光学性质

本文研究了水溶胶中的CdS半导体超微粒子和有机溶胶中的粒子表面被有机分子化学修饰的CdS超微粒子的光学性质.我们观察到,当粒子尺寸小于5nm时,CdS超微粒子表现出明显的尺寸量子化效应,并指出CdS超微粒子的表面修饰,增强了它们的发光强度,显著地影响了它们的光学性质。

PbS半导体超微粒子的量子尺寸效应和光学性质

本文研究了PbS半导体超微粒子的量子尺寸效应和光学性质以及它们周围介电环境对其光学性质的影响,发现表面修饰有效地减少粒子表面缺陷,增加它们的发光强度。利用紧束缚模型,讨论了实验结果。

CdS_xSe_（1－x）纳米微晶的辐射跃迁过程

利用变温吸收光谱和光致发光光谱研究了ＣｄＳｘＳｅ（１－ｘ）纳米微晶的辐射跃迁过程．由Ｖａｒｓｈｎｉ公式，拟合了微晶的吸收峰随温度的变化．根据变温发射光谱，研究了发光峰位置和温度的依赖关系，并分析了吸收峰和发光峰随温度变化的快慢．对发光的动力学过程．作了简单的分析．

表面化学修饰对TiO_2半导体超微粒子光学性质的影响

本文通过测量TiO_2半导体超微粒子的吸收光谱、荧光光谱和激发光谱以及荧光寿命。研究表面化学修饰的TiO_2超微粒子的光学性质,讨论了量子尺寸效应,偶极效应和介电环境效应对TiO_2超微粒子光学性质的影响。同体相TiO_2材料相比,表面包覆一层表面活性剂分子的TiO_2超微粒子的吸收光谱明显地向长波方向移动。并且在室温下可观察到它们的光致发光。

CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究

ＣｄＳ半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究窦恺，赵家龙，靳春明，孙聆东，黄世华，虞家琪（中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室，长春１３００２１）向卫东，丁子上（浙江大学材料科学工程系，杭州３１００２７）１引言ＣｄＳ半导体微晶作为代表性介观材...

ZnS：Mn^（2＋）超微粒的制备及光学性质研究

ＺｎＳ：Ｍｎ^（２＋）超微粒的制备及光学性质研究孙聆东，靳春明，候尚公，陈一民，窦恺，黄世华，虞家琪（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）近年来，半导体超微粒的合成及光学性质研究迅速发展?..

表面修饰的TiO_2半导体超微粒子的光学性质

本文研究了表面修饰的TiO_2半导体超微粒子的光学性质,指出TiO_2半导体超微粒子表面与其表面修饰的有机分子之间的强化学健作用,明显地改变了半导体超微粒子的光学性质,在其带隙间形成了新的表面态能级(2.22eV).

表面修饰的CdS半导体超微粒子的光学性质研究

由于半导体超微粒子(1—100nm)存在着显著的量子尺寸效应,使得它们的光物理和光化学迅速成为目前非常活跃的研究领域。当半导体超微粒子尺寸减小时,它们的吸收光谱和发射光谱发生兰移,同时引起其价带和导带形成一系列分立的能级。另外,由于这些超微粒子的尺寸很小,拥有相对大的表面积,因此在粒子表面存在着许多表面缺陷。

光谱烧孔介质中超快光学信号的光谱全息方法研究

从理论和实验上给出一种新的确定光场自相关和互相关函数方法，其相关测量可以达到亚ｐｓ量级的超高时间分辨率，动力学范围超过５个数量级．利用这种方法在光谱烧孔材料中实现了全息方式写入和场相关方法读出．

用不同强度皮秒脉冲相关技术测量甲酚紫吸收恢复时间

以Ar^+离子锁模激光器同步泵浦R6G染料激光器作光源,用不同强度皮秒脉冲相关的泵涌—探测技术测得甲酚紫甲醇溶液的吸收恢复时间为162±3.5ps.并且用三能级模型对这一动力学过程进行了理论分析.

半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe中吸收光学非线性和双稳现象研究

室温下半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x=0.01)具有较宽的带边吸收.采用泵浦-探测系统观测到随激发功率增加吸收边的蓝移.在激发波长(532—560nm)范围内都能得到光学双稳现象.双稳开关时间短到800ps.讨论了双稳性的来源.

Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究

利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁．

共价键相联的卟啉-酞菁激发态性质——(Ⅱ)非线性光学性质研究

卟啉(TTP)和酞菁(Pc)分子表现出反饱和吸收特性,而在卟啉和酞菁二元分子TTP-O-Pc和TTP-O-(CH_2)_s-O-Pc中反饱和吸收现象消失。简并四波混频(DFWM)方法用于测量兰阶非线性光学极化率X(3),二元分子比单元分子的X(3)提高了10~2倍以上,达到3×10^(-9)esu。

玻璃中的ZnS：Mn^（2＋）超微粒发光的量子尺寸效应

玻璃中的ＺｎＳ：Ｍｎ^（２＋）超微粒发光的量子尺寸效应陈一民，向卫东，孙聆东，靳春明，杨桦，王中才，黄世华，虞家琪（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（浙江大学材料科学系，杭州２１００２７）自从Ｂｈａｒｇａｖａ等［１］报道了化学反?..

CdSSe玻璃的光学增益

本文使用放大的自发辐射技术(ASE)测量了CdSSe玻璃(国产JB 510)的光学增益.在波长λ=625nm处,测得增益系数g≈8cm^(-1).增益出现的波长范围对应样品荧光光谱中陷阱能级的宽带.一个简单的三能级模型,辅之以陷阱能级发光的衰减测量,定性地解释了增益出现的原因.

简并四波混频信号的饱和效应

本文由光学Ｂｌｏｃｈ方程和密度矩阵方程出发，研究了二能级系统共振型简并四波混频（ＤＦＷＭ）的饱和效应，给出了ＤＦＷＭ信号强度与泵浦光强度的函数关系．饱和泵浦光强的大小取决于纵向弛豫时间Ｔ１和横向弛豫时Ｔ２．对理论结果与相应实验进行了比较，表明二者符合得很好．