800 V充电平台中SiC材料的应用及发展趋势

SiC功率器件具有优异的性能,已经成为高端新能源汽车的核心部件,并随着应用成本的降低在逐步取代传统的Si基器件。然而,SiC单晶生长的参数可控性差、成本高、扩径难度大,它的市场渗透受到制约。当前对于SiC材料的投资非常火热,国内也有大量产业项目开展,但是实际投产却相对较少,半导体材料行业准入门槛较高,也需警惕重复建设的风险。山西烁科晶体有限公司实现了6英寸(1英寸=25.4 mm)SiC衬底产业化,并推出了8英寸产品,计划在十四五期间内将年产能扩充至150万片以满足市场巨大的需求,同时不断提升产品的良率及性能,助力第三代半导体行业的发展,在实现“碳达峰碳中和”的目标道路上贡献力量。

热处理对变形AZ80镁合金组织和硬度的影响

研究了变形AZ80镁合金在不同热处理条件下组织和硬度变化。结果表明：镁合金在150~250℃退火时,晶粒先增大后减小,最终晶粒细小且均匀;但保温时间较长,退火温度为300~350℃时,晶粒尺寸比较稳定;在400℃退火处理后,短时间内晶粒立即出现异常长大现象,晶粒粗大且不均匀,合金性能较差。退火处理的最佳温度为280~350℃。热处理温度对AZ80镁合金的硬度值有显著影响,但退火处理时间的影响却不明显。

挤压参数对AZ80镁合金组织性能的影响

对AZ80镁合金铸坯在不同挤压温度和挤压比下的再结晶行为进行了观察,并测量了各挤压条件下的拉伸性能。结果表明:挤压变形及动态再结晶可以显著细化铸造AZ80镁合金的晶粒(由约100μm减少到约10μm);随挤压比的升高,AZ80镁合金的抗拉强度与延伸率都有所提高;在挤压温度为380℃时,抗拉强度最高,硬度适中。

金刚石多线切割工艺对高纯4H-SiC晶片翘曲度的影响

描述了高纯SiC晶体材料的加工方法,分析了金刚石多线各种切割工艺对高纯SiC晶体的切割效果及效率的影响,并基于金刚石切割SiC晶体的理论依据,结合各种工艺试验数据及切割片数据,总结出相对稳定的工艺条件,并在这类工艺条件下,得出较低翘曲度的高纯SiC晶片,满足下游客户的要求,采用TROPEL FM-100平坦度测试仪分析各种切割工艺条件下的高纯100 mm 4H-SiC切割片表面形貌。

高线速下碳化硅单晶的快速平坦化切割

碳化硅单晶材料硬度很高,用传统的切片方式难以加工、效率低下,多线切割是加工硬脆材料的有效方式,文章通过使用电镀金刚石线多线切割设备,进行了高线速度条件下快速碳化硅单晶平坦化切片实验。为提高碳化硅切割效率,通过提高金刚石线速度,成功实现了用5.5小时进行4英寸碳化硅晶锭的切割,并将切割6英寸晶锭时间缩短至12小时左右。同时,为减小切割片翘曲度,进行了4英寸和6英寸碳化硅晶锭的切割试验,证明切割线速度直接影响切割片的翘曲度:随着线速度增大,晶片翘曲度减小。最后,研究了线速度和金刚石浓度对切割片表面的影响,发现提高线速度和使用高金刚石浓度的金刚石线都可使切割导致的损伤层减小。