高频等离子体化学气相淀积制备氮化硅超细粒子

利用高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料，合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为36.3％的无定形氮化硅粉末。研究了放置环境、合成及热处理环境、进料位置、NH_3与SiCl_4配比等不同的工艺条件对产物氮化硅氮含量的影响。推究了高温下四氯化硅与氨反应合成氨化硅的过程机理。

超微粒γ-FeOOH的制备工艺研究

以ＦｅＣｌ２为原料，研究了γ－ＦｅＯＯＨ晶种制备和晶粒生长的反应温度、反应物浓度及配比、碱液滴加等工艺条件，得到了比较理想的合成工艺途径．结果表明，在晶种制备过程中温度及配比是影响晶种粒子形态和产物晶型的重要因素；在晶种的生长过程中，滴入体相的碱液的分散状态是宏观混合与微观混合共同作用的结果，而促进微观混合是选择优化生长工艺的判据．

化纤用钛白的制备技术研究

在硫酸法钛白生产技术的基础上,改进晶种制备和煅烧工艺以控制晶粒生长及粉体粒度.增设专门的后处理工序并采用了复合处理剂进行粉体的表面改性.小试制得了优质的化纤用钛白.产物的水分散性超过94.5%,而粗粒子数小于10个.经理化性能及聚酯切片的测试表明,本产物可与进口产品TA-300相媲美.

搅拌反应器内相际传质行为 1.反应器操作特性研究

系统地研究了搅拌反应器中通气量、搅拌速率等操作因素及悬浮体系中不同形态颗粒对氧气－水体系功率准数Ｋ和容积传质系数ＫＬａ的影响规律。实验结果表明：搅拌与气流对体系的环流方式呈相反的作用机制，并存在临界搅拌速率；传质系数在搅拌反应器的不同持液位置存在差异，最大值出现在桨叶区及上循环区与自由液面的中间高度；颗粒形态对传质的影响在于其对体系流变性能的改变作用。

搅拌反应器内相际传质行为 2.反应器结构特性研究

系统地研究了搅拌反应器中挡板、搅拌桨型、通气管分布器及位置等结构因素对氧气－水体系功率准数Ｋ和容积传质系数ＫＬａ的影响规律。实验结果表明：在搅拌过程中挡板的作用在于提高湍动，改善两相混合状态；相对于其它的三种桨型，六叶盘式透平平桨能够形成较高的液相湍流和气液接触界面；通气管分布器的适宜直径为桨径的０．５～１倍，适宜位置应在桨叶下方。

流态化化学气相淀积制备Al_2O_3－SnO_2复合粒子的研究

利用流态化化学气相淀积（ＣＶＤ）制备Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｎＯ＿２复合粒子。探讨了ＳｎＯ＿２在Ａｌ＿２Ｏ＿３超细颗粒上的包敷状态，考察了反应温度、反应物进料浓度比、反应时间等对反应结果的影响。结果表明，ＳｎＯ＿２在复合粒子团聚体体相中呈均匀分布，形成Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｎＯ＿２复合粒子，ＳｎＯ＿２均匀淀积在Ａｌ＿２Ｏ＿３超细颗粒原生粒子表面，流态化ＣＶＤ包敷效果优于非流化过程；随反应时间的延长，产物中ＳｎＯ＿２含量线性递增；而当反应温度高于３００℃，反应物Ｈ＿２Ｏ和ＳｎＣｌ＿４配比大于４：１时，ＳｎＯ＿２含量基本保持不变。

氮化铝粉末的制备研究

本文详细综述了国内外氮化铝粉末制备的主要方法；直接氮化法、碳热氮还原法及化学气相淀积法。通过比较不同制备方法得到高频等离子体化学气相淀积是制备氮化铝超细粒子的优良方法。

添加剂对TiO_2/水分散体流变性的影响

研究了ＴｉＯ２ 生产中有关助剂对其流变性能的影响， 得到了ＴｉＯ２／水分散体的流变性能与三乙醇胺用量之间的关系， 并找到了最佳用量． 实验发现， 六偏磷酸钠为分散剂时， 其使用效果有时间依赖性； 碳酸铵作絮凝剂时则对分散体的流变性能和形成的絮凝体有影响．

超细颗粒流化特性及团聚机理

在直径40mm的流化床中，考察了Al2O3、CaCO3等超细颗粒的流化特性，测定了床层压降变化、床层的坍落及膨胀规律.通过对超细颗粒自团聚现象的分析，探讨了超细颗粒稳定流化的机理.

流态化CVD技术制备超细Al_2O_3-SnO_2复合粒子的过程机理

以SnCl_4-H_2O-N_2作为实验体系,采用流态化CVD技术制备了超细Al_2O_3-SnO_2复合粒子.利用透射电子显微镜(TEM)、X荧光光谱仪(XRF)、高分辨电子显微镜(HREM)等现代测试手段考察了SnO_2在Al_2O_3表面的分散形态及操作参数对SnO_2成膜与成核的影响.讨论了化学气相包覆过程机理.

流态化CVD制备TiO_2－Al_2O_3复合粒子

本文探讨了流态化ＣＶＤ反应器中Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４水解制备ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合粒子新工艺，借助于ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＢＥＴ、ＸＲＦ和ＥＰＭＡ等现代测试手段研究了复合粒子结构和包覆过程特征．结果表明，在流态化ＣＶＤ反应器中Ａｌ２Ｏ３超细颗粒以团聚体形式存在，ＴｉＯ２包覆量随Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４进料浓度升高而增加，但反应温度影响不大；在包覆过程中，同时存在成核和成膜，成核包覆使复合粒子比表面积增加，成膜包覆使复合粒子比表面积减小．

Ag／Si_3N_4纳米复合材料的电学性质研究

利用干压方法制得了０～７０ｖｏｌ％Ａｇ弥散的Ａｇ／Ｓｉ３Ｎ４纳米复合材料．借助于ＳＥＭ、ＥＤＳ和复阻抗谱等方法研究了Ａｇ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料的结构和反常电学性质．结果表明，纳米Ａｇ粒子以μｍ尺寸的团聚体形式存在于纳米Ｓｉ３Ｎ４基体中．随着Ａｇ含量增加，Ａｇ／Ｓｉ３Ｎ４纳米复合材料的介电常数和电导率均增大．有关这种反常电学性质和掺入Ａｇ粒子的作用在本文中作了详细讨论．

氧化铝粒子化学气相包覆氧化钛的过程研究

探讨了回转炉化学气相淀积（CVD）包覆新工艺,利用Ti（OC_4H_9）_4水解,在Al_2O_3粒子表面实现了TiO_2包覆,研究了包覆过程特征。结果表明,TiO_2在Al_2O_3粒子表面的包覆是成功的,并具有一定的致密性,包覆量为0.1%～10%;化学气相包覆过程中既存在成膜包覆,又存在成核包覆,通过控制反应物浓度等方法可以强化成膜包覆,提高包覆效果。

流态化CVD技术制备Al_2O_3－SnO_2复合粒子

在内径４０ｍｍ的流化床反应器中，利用ＳｎＣｌ＿４气相水解反应，制备了超细Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｎＯ＿２复合粒子。通过ＸＲＤ，ＥＰ－ＭＡ，ＨＲＥＭ等现代化分析手段确定了产物中ＳｎＯ＿２的晶型及其在Ａｌ＿２Ｏ＿３团聚物中和在Ａｌ＿２Ｏ＿３原生颗粒表面的分散包敷形态。研究结果表明：３００℃下制备的产物中ＳｎＯ＿２呈无定态，经８００℃热处理２ｈ，ＳｎＯ＿２转化成金红石型，产物中ＳｎＯ＿２均匀分散于整个Ａｌ＿２Ｏ＿３团聚物中；１００℃下制备的产物中ＳｎＯ＿２以薄膜形式包敷在超细Ａｌ＿２Ｏ＿３颗粒表面；４５０℃下制备的产物中，ＳｎＯ＿２以６～１０ｎｍ的粒子形式淀积在Ａｌ＿２Ｏ＿３表面。

Si_3N_4超微粒的RF－CVD合成及其介电性质

利用自制的ＲＦ－ＣＶＤ装置合成了Ｓｉ_３Ｎ_４超微粒。着重考察了反应气混合方式对反应机理、化学含量、粒子形态及凝聚结构的影响。得到的Ｓｉ＿３Ｎ＿４粒子的典型尺寸为１０～５０ｎｍ，并且凝聚形成分形结构，其对应不同反应温度合成的粒子的分形维数约在２．１５到１．７４之间。非晶Ｓｉ＿３Ｎ＿４超微粒经１ＧＰａ高压压制，可看成是Ｓｉ＿３Ｎ＿４粒子和界面空隙组成的多相复合材料，它的异常介电性质能够用多相材料性质的逾渗理论得到解释。