CSOP封装器件环境应力失效研究

陶瓷小外形封装(CSOP)器件在焊接到印制电路板(PCB)板上后,由于机械振动和温度环境变化应力的作用,容易出现引脚开裂问题。对CSOP封装器件引脚在应用验证阶段的失效现象进行分析,结果表明,通过引脚二次成型,增加引脚高度,提高引脚对温度冲击和振动应力的释放能力,能够显著提高CSOP、CQFP类表面贴装封装器件引脚的可靠性,保证器件能够满足较高的温度和机械应力要求。

接口混合集成电路长期工作寿命预计及验证

寿命试验常被用来评估集成电路等半导体器件的可靠性,为了节约试验时间,常采用加速寿命试验方法去评估集成电路产品的工作寿命。采用基于可靠性手册中器件失效率历史数据和基于失效物理模型两种方法对接口混合集成电路的长期工作寿命进行了预计及验证。首先,通过接口混合集成电路产品多批次寿命可靠性试验的历史数据计算出了电路工作寿命;然后,基于可靠性手册中器件失效率的历史数据、模型及其使用特性要素计算出产品的工作寿命。结果表明,两者较为接近;从而证明该类混合集成电路在加速寿命试验数据不够的情况下,采用基于可靠性手册中器件失效率数据对其进行寿命预测是可行的,为接口混合集成电路长期工作寿命评估提供了一定的参考。

氯化丁基橡胶基压电阻尼复合材料的研究

根据新的压电-导电原理和焦耳定律,将压电陶瓷粉体复合到传统的氯化丁基橡胶阻尼材料中,制作出了性能更好的新型阻尼材料。实验结果表明,复合材料中的压电陶瓷能将机械能转化为电能,并通过微电路耗散出去。因此,通过压电效应-焦耳定律、氯化丁基橡胶的粘弹性阻尼及陶瓷粉体、乙炔碳黑粒子和橡胶分子之间的粒间摩擦、界面摩擦,复合材料可有效地阻尼外界的振动能。

考虑载荷共担影响的故障机理损伤累积模型

针对连续退化型故障机理,本文提出了一个故障机理损伤累积模型,首先对系统的可靠性建模,然后在部件层考虑载荷的变化,最后在机理层引入损伤量的概念。通过该模型可以描述当载荷发生变化时,故障机理发展速率随之发生的变化。本文在故障机理损伤累积模型的基础上,提出了一套蒙特卡洛仿真和故障物理相结合的方法预估系统的可靠性,在案例阶段,先对一个稳压器系统构建故障树和二元决策图,然后通过仿真得到稳压系统的可靠性曲线。

压电复合阻尼沥青

首次将压电材料应用于阻尼沥青,提高了原有材料的阻尼系数,为压电材料的应用开辟了一个新的领域。

压电陶瓷废料对氯化丁基橡胶阻尼减振材料的影响

将压电陶瓷生产过程中产生的废料应用于氯化丁基橡胶阻尼减振材料 ,既解决了压电陶瓷废料的处理问题 ,又制作出了性能更好的压电复合氯化丁基橡胶阻尼减振材料。

压电复合阻尼减振材料和压电复合吸声降噪材料中压电陶瓷应用形态研究

我们曾经将压电陶瓷粉体复合到传统的吸声降噪材料与阻尼减振材料中 ,制作出了性能更好的新型吸声降噪材料和新型阻尼减振材料 ;而且还发现废品压电陶瓷的粉体与正品压电陶瓷的粉体具有相同的功效[1～4 ] ,分析了它们同样发挥压电效应的原因。

现代电子技术中的压电复合减震材料技术

首次将压电陶瓷粉体应用于减震沥青 ,提高了原有材料的减震性能 。

压电陶瓷废料在阻尼减振材料中的应用

首次将压电陶瓷生产过程中产生的废料复合进阻尼减振沥青 ,既解决了压电陶瓷废料的处理问题 。

工艺阱深对CMOS集成电路抗闩锁性能的影响

闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMOS反相器和CMOS集成电路的工艺结构为基础,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理,并利用试验证实,通过加深P阱深度,可以明显提升CMOS电路的抗闩锁性能。

薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系

CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。

高压蒸汽对塑封双极器件电参数的影响

塑封双极晶体管采用EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,测试发现直流增益HFE会有明显的下降,击穿电压BV CEO会略有上升。开封芯片检查和理论分析表明,高压水汽可以穿透封装,造成芯片内部微缺陷增加,导致器件HFE下降,BV CEO略有上升。通过优化封装材料及工艺,可以改善HFE漂移,增强器件抗潮湿性能。

钝化层对高压蒸汽试验中器件参数漂移的影响

采用Si02钝化层的塑封双极晶体管在EIA／JESD22-A102-C规定的121℃、100％RH、29．7 psi压力的条件试验96 h后，直流增益HFE测试值会有明显的下降，击穿电压BVCEO会略有上升。分析表明高压水汽可以穿透封装和钝化层，造成芯片内部微缺陷增加，导致器件HFE下降，BVCEO略有上升。通过优化钝化层工艺并对比试验验证，采用SiO2加Si。N4的复合钝化层，可以避免器件参数漂移，改善器件抗潮湿性能。

复合镀的特点与应用

简述了复合镀的发展进程,对复合镀的特点与应用进行了综述,并对近年来发展起来的纳米复合镀的研究及应用作了简单介绍。

NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究

随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A、VHDL-A。这使得仿真速度和收敛性得到提高。同时比较了三种先进的BJT模型:VBIC、Mextram、HICUM。模型参数可以通过模型参数提取软件(BSIMProPlus、ICCAP等)提取。

小班幼儿分享与合作行为现状及教育对策

目前,幼儿合作与分享的发展现状不容乐观。家长的过度呵护与溺爱,使幼儿变得越来越以自我为中心,缺乏分享意识。本文以我园小班幼儿的分享与合作发展现状为研究点,探讨培养小班幼儿合作与分享的观念,期望幼儿园、家庭及社区教育能有机结合,促进幼儿合作与分享能力发展。

硝铵系掺混肥研制中的问题与对策

开发以粒状硝铵为氮源的普钙、氯化钾掺混肥，并在包装过程中采取排气措施，减少袋内空气和物料的流动。

高速总线控制芯片故障定位与失效机理研究

随着对数据传输能力要求不断提高,高速总线控制芯片的可靠性越来越受到关注,针对高速控制总线芯片在设计验证阶段失效问题进行分析,通过故障定位方法,系统研究了芯片在设计、封装及测试验证过程中的影响因素,确定芯片失效位置及机理,为总线控制电路过应力EOS防护设计提供参考,保证芯片在高速传输过程中的数据稳定以及低误码率。