用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。

波前工程与光学超分辨

对光学曝光技术的主要进展、波前工程概念和实现光学超分辨的基本途径等进行了论述。

反差增强材料最大吸收波长的经验估算

本文分析了二芳基硝酮、二芳基乙烯、二芳基偶氮化合物以及芳族重氮化合物的最大吸收波长(λmax)与环上取代基的Hammett σ系数之间的关系。发现λmax的红移量与Σ|σ|之间有强相关性。并提出一种经验估算法,用于判断某些反差增强材料的λmax。列出了若干估算实例,说明本方法有一定准确性和实用意义。

新照明系统的高分辨率光刻——采用斜入射照明和瞳面滤波器的投影曝光法

１前言目前半导体ＩＣ中的最小特征尺寸已与光刻用的光波长非常接近，根据公式Ｒ＝Ｋ１λ／ＮＡ，要使加工尺寸进一步微细化，必须使波长再缩短，或者使光学透镜的数值孔径ＮＡ增大，或提高抗蚀剂的性能。过去曾把增大ＮＡ作为提高分辨率的主要方向，但根据ＤＯＦ＝Ｋ２λ...

采用水溶性反差增强材料的G-线光刻技术

在用光学曝光获得亚微米刻蚀方面,反差增强技术是简单有效的方法之一。近年来日益受到重视。在正性抗蚀剂膜层上施用水可溶性光褪色材料,更有其独特的优点:可用亲水聚合物作反差增强层(CEL:Contrast Enhancement Layer)载体物质,涂敷时不会和疏水的正性抗蚀剂膜发生混层现象;当正性抗蚀剂在碱性水溶液中显影时,反差增强层即可同时除掉。因而,涂敷和加工都很方便。日本松下电气半导体研究中心的远藤政孝等人对此进行了系统的研究。现作一简要介绍。一、反差增强材料(CEM:Contrast Enhancement Materials) 所采用的水溶性CEM称为WSP(Water-Soluble Photopolymer),主要由三种组份构成:

移相掩模技术

1 移相掩模技术的发展过程移相掩模的概念最初是在1982年由IBM的M.D.Levenson等人提出的。移相掩模基本上是在原来的掩模上有选择地淀积一层称作移相器的透明图形层而制成的。利用透过带有移相器和不带移相器的两个相邻窗孔的光波具有180°的相位差而产生的相消干涉作用,使窗孔之间的光强减小,从而增大了投影图象的反差,提高了分辨能力。从1982年到1988年,移相掩模技术一直没有受到足够的重视。