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混沌脉冲位置调制(CPPM)源研究
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作者 黄松筠 何焰兰 韩宏悦 《大学物理实验》 2010年第2期16-18,共3页
新的混沌保密通信方案为混沌脉冲位置调制(CPPM)。脉冲的形状规则,脉冲间隔变化混沌,信息包含在时间间隔里面,对波形的形状低敏感。这样通信中噪声滤波器和同步混沌脉冲发生器的使用使得系统实用性大大提高。本文分析和仿真了其实现的... 新的混沌保密通信方案为混沌脉冲位置调制(CPPM)。脉冲的形状规则,脉冲间隔变化混沌,信息包含在时间间隔里面,对波形的形状低敏感。这样通信中噪声滤波器和同步混沌脉冲发生器的使用使得系统实用性大大提高。本文分析和仿真了其实现的可能性。提出对更为复杂的混沌函数作为载波的可行性。 展开更多
关键词 混沌 脉冲位置调制 非线性DSP
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Cr含量对Ti-V-Cr合金结构稳定性及抗腐蚀性影响的电子结构计算
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作者 刘艳侠 刘晓瑞 +3 位作者 陈芳芳 程超 韩宏悦 孙嘉兴 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第3期245-252,共8页
在合金体系中添加合金化元素来提高合金体系的抗腐蚀性是科学研究的重要手段之一.首先讨论了不同Cr含量下,Cr原子的分布对合金结构稳定性的影响.在此基础上,通过计算不同Cr含量的Ti-V-Cr合金体系的内聚能和形成能、费米能级和态密度,从... 在合金体系中添加合金化元素来提高合金体系的抗腐蚀性是科学研究的重要手段之一.首先讨论了不同Cr含量下,Cr原子的分布对合金结构稳定性的影响.在此基础上,通过计算不同Cr含量的Ti-V-Cr合金体系的内聚能和形成能、费米能级和态密度,从电子层次分析Cr含量对Ti-V-Cr合金体系抗腐蚀性的影响.结果表明:随着合金体系Cr含量的增加,合金体系的内聚能升高,表明合金体系结构稳定性在降低;形成能均为负值,表明合金都稳定存在.态密度的研究表明,随着Cr含量的增加,赝能隙逐渐消失,合金体系中相邻原子间的成键作用减弱,合金体系的结构稳定性随着Cr含量的增加而降低,与内聚能的计算结果一致.态密度的研究还表明,随着Cr含量的增加,合金体系的费米能级在降低,费米能级处的总态密度值明显减小,并且态密度最大值向低能级方向移动,合金体系失电子能力减弱,有利于提高合金体系的抗腐蚀性. 展开更多
关键词 第一原理 电子结构 Ti-V-Cr合金 腐蚀机理
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