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N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析
被引量:
2
1
作者
韩弼
徐静平
+1 位作者
黎沛涛
李艳萍
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2004年第2期285-288,共4页
采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ,对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ,N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器...
采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ,对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ,N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器的性能 ,可在高温 (如 30 0℃ )等恶劣环境下长期可靠的工作 ,且适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
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关键词
氮化氧化物
金属-绝缘体-SiC(MISiC)
肖特基势垒二极管
气体传感器
下载PDF
职称材料
新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究
被引量:
1
2
作者
韩弼
徐静平
+3 位作者
李艳萍
陈卫兵
邹晓
李春霞
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期176-178,共3页
采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态...
采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
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关键词
金属-绝缘体-SiC(MISiC)
肖特基势垒二极管
气体传感器
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职称材料
MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟
被引量:
4
3
作者
徐静平
韩弼
+2 位作者
黎沛涛
钟德刚
吴海平
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2004年第1期31-35,共5页
分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实...
分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实验十分吻合。采用此模型 ,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系 ,并在灵敏度、可靠性和工作电流 /电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计 ,对于 30 0℃左右的高温应用 ,确定出最佳绝缘层厚度为2~ 2 .3nm。
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关键词
MISiC
肖特基势垒二极管
气体传感器
SBD
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职称材料
SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响
被引量:
4
4
作者
徐静平
吴海平
+1 位作者
黎沛涛
韩弼
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期200-205,共6页
提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁...
提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响 ,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素 .其中 ,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值 ,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率 .该模型能较好地应用于器件模拟 .
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关键词
SIC
n—M0sFET
SiO2/SiC界面
迁移率
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职称材料
题名
N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析
被引量:
2
1
作者
韩弼
徐静平
黎沛涛
李艳萍
机构
华中科技大学电子科学与技术系
香港大学电机电子工程系
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2004年第2期285-288,共4页
基金
湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 0 0J15 8)
文摘
采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ,对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ,N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器的性能 ,可在高温 (如 30 0℃ )等恶劣环境下长期可靠的工作 ,且适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
关键词
氮化氧化物
金属-绝缘体-SiC(MISiC)
肖特基势垒二极管
气体传感器
Keywords
oxynitride
Metal-Insulator-SiC (MISiC)
Schottky barrier diode (SBD)
gas sensor
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究
被引量:
1
2
作者
韩弼
徐静平
李艳萍
陈卫兵
邹晓
李春霞
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期176-178,共3页
基金
湖北省自然科学基金资助项目(2000J158)
文摘
采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
关键词
金属-绝缘体-SiC(MISiC)
肖特基势垒二极管
气体传感器
Keywords
metal-insulator-SiC (MISiC)
Schottky barrier diode (SBD)
gas sensor
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟
被引量:
4
3
作者
徐静平
韩弼
黎沛涛
钟德刚
吴海平
机构
华中科技大学电子科学与技术系
香港大学
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2004年第1期31-35,共5页
基金
湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 0 0J15 8)
文摘
分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实验十分吻合。采用此模型 ,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系 ,并在灵敏度、可靠性和工作电流 /电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计 ,对于 30 0℃左右的高温应用 ,确定出最佳绝缘层厚度为2~ 2 .3nm。
关键词
MISiC
肖特基势垒二极管
气体传感器
SBD
Keywords
Metal-Insulator-SiC (MISiC)
Schottky Barrier Diode (SBD)
gas sensor
simulation
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响
被引量:
4
4
作者
徐静平
吴海平
黎沛涛
韩弼
机构
华中科技大学电子科学与技术系
香港大学电机电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期200-205,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 1760 3 0 )~~
文摘
提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响 ,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素 .其中 ,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值 ,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率 .该模型能较好地应用于器件模拟 .
关键词
SIC
n—M0sFET
SiO2/SiC界面
迁移率
Keywords
SiC
n-MOSFET
SiO 2/SiC interface
mobility
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析
韩弼
徐静平
黎沛涛
李艳萍
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2004
2
下载PDF
职称材料
2
新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究
韩弼
徐静平
李艳萍
陈卫兵
邹晓
李春霞
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
3
MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟
徐静平
韩弼
黎沛涛
钟德刚
吴海平
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2004
4
下载PDF
职称材料
4
SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响
徐静平
吴海平
黎沛涛
韩弼
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
4
下载PDF
职称材料
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