GaAs薄膜电沉积机理的初探

本文叙述了电沉积制备GaAs薄膜的原理．我们在不同的基片上均成功地得到了成分接近化学计量比的GaAs薄膜．初步探讨了GaAs薄膜的电沉积机理．

GaAs 薄膜电沉积的机理与工艺研究

报道了电共沉积制备ＧａＡｓ簿膜的原理与工艺。通过优化工艺参数，在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的ＧａＡｓ薄膜。

PbWO4晶体的生长及其光学性能的研究

本文报道了新型闪烁晶体ＰｂＷＯ４的生长。研究了晶体的生长工艺，获得较为平坦的固液界面，消除晶体生长中产生的缺陷；测试了晶体的光学性能；探讨了ＰｂＷＯ４晶体的着色的机理。

Ce：Fe：LiNbO_3晶体的生长与其四波混频效应的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长．采用简并四波混频光路测试晶体相位并轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应．在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四渡混频中，获得了变频相位共轭光。具有温度增强效应。

高掺镁铌酸锂晶体的生长及其激光器件性能的研究

本文报道高掺镁铌酸锂晶体的生长，测试了晶体的光学性能——双折射梯度和消光比、晶体的光折变阈值、红外透射光谱和光电导。用高掺镁铌酸锂晶体制做了倍频器和Ｑ开关，研究了它们的性能和应用。

Zn：LiNbO3晶体的生长及其抗光损伤能力增强的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺入ＺｎＯ，用提拉法生长Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的红外透射光谱、抗光损伤能力、光电导和倍频性能。研究和探讨了高掺锌铌酸锂晶体抗光损伤增强的机理。

Ce∶Pr∶LiNbO_3晶体的生长及其光折变特性的研究

本文报道了Ｃｅ∶Ｐｒ∶ＬｉＮｂＯ＿３晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ∶Ｐｒ∶ＬｉＮｂＯ＿３晶体作存储元件，实现全息关联存储，图象清晰完整。

用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

用电共沉积方法制备出４种ＩｎＧａＡｓ薄膜，用能谱析仪分析了薄膜成分，用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率．结果表明，ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ薄膜为多晶结构，晶粒尺寸约为０．２５μｍ，晶粒细致、均匀，其Ｖ－Ｉ特性是线性的，随着Ｇａ含量的减少，发光波长增大．ＩｎＧａＡｓ薄膜的发射光波长为１．３～１．５μｍ．

用光热光偏转方法测量材料弱光吸收空间分布

采用光热光偏转技术,实现了材料表面弱光吸收空间分布的测量,为材料表面弱光吸收和热特性的测量与研究提供了一种新手段.

GaAs半导体薄膜电沉积的研究

利用改进试验装置 ,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法 ,电沉积制备出 Ga As薄膜。扫描电镜和 X射线衍射仪测试结果表明 ,薄膜成分更接近化学计量比 1∶ 1,各次试验数值分散性小 ,厚薄均匀。

GaAs多晶薄膜的电共沉积制备及其半导体性能研究

采用电共沉积制备ＧａＡｓ 薄膜． 研究了电流密度、溶液中离子浓度比、ｐＨ 值等电沉积参数对膜层质量的影响． 并在观察膜层形貌的基础上，测试了膜层化学成分、晶格结构和能级位置、带隙值等半导体性能． 测试结果证明膜的直接带隙材料性，带隙宽度为１．４０ ｅＶ，薄膜成分为Ｇａ０ ．９９４６Ａｓ１．００５４ ，接近化学计量的ＧａＡｓ．

《本草》中杜仲古医方探研

杜仲古医方是我国传统医学在杜仲医药价值和使用方法方面的经验总结与智慧结晶,对现代杜仲医药保健品的研制开发具有重要参考价值,很有必要加以挖掘整理。 众多的杜仲古医方主要保存在本草、方书、医案等医学典籍中。其中本草类文献原本是专门记载药物的著作,但它辨药与用药相结合的编写体例,在介绍药物的同时,把大量古单方、验方以“附方”的形式保存下来,一一详明炼制、用法、功效、主治,因而极具实用价值。 本文仅就宋《图经本草》、《政和本草》。

多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究

利用扫描电子显微镜、Ｘ－射线衍射仪，分光光度计和Ｃ－Ｖ测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试．结果表明薄膜的成分接近化学计量的ＧａＡｓ．根据薄膜的光吸收曲线和Ｍｏｔｔ－Ｓｃｈｏｔｔｋｙ曲线计算了带隙值和能级位置．最后，测量了薄膜／电解液结的光电特性．

电沉积砷化镓薄膜的研究

报道了电沉积法制备多晶砷化镓(GaAs)薄膜的工艺。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、分光光度计和C-V测试仪对薄膜进行了测试,其成分为Ga_(0.91)As_(1.09)。根据Mott-Schottky曲线,计算了薄膜的能带位置。最后测量了Ga_(0.81)As_(0.09)/ 电解液结的光电化学特性。

在电共沉积GaAs薄膜上制作肖特基势垒的研究

应用化学电共沉积法在Ti片、导电玻璃和导电PI基片上制备了GaAs多晶薄膜,并在薄膜上应用电子束蒸发淀积了一层超薄的SiOx,然后采用PVD法在其上淀积一层金属薄层,制备出MIS结构的肖特基势垒。经测试Ag-SiOx-nGaAs结构和Au-SiOx-nGaAs结构的I-V特性,表明所制备的肖特基势垒具有良好的整流特性。

添加EDTA电共沉积GaAs薄膜工艺研究

采用恒电流电共沉积技术,以SnO_2导电玻璃为基片制备了Gabs薄膜。通过观察实验过程和对比各次实验结果,研究了在电解液中加入络合剂EDTA对成膜质量的影响以及实验过程中的烧焦现象和电火花现象。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪测试表明,沉积膜为GaAs多晶薄膜,加入络合剂EDTA明显改善了薄膜的表面形貌,提高了沉积膜的厚度,降低了各次实验数值分散性,而且使沉积膜中As与Ga的化学计量比更接近1:1。选择适当的沉积工艺可以避免烧焦和电火花的出现。

Al_xGa_(1-x)As三元化合物共沉积研究

在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸 ,电共沉积 Alx Ga1 - x As三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析 ,获得化学计量比接近 Al0 .3Ga0 .7As的三元化合物半导体材料。

Ga_xAl_(1-x)As三元化合物共沉积研究

在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸，电共沉积ＧａｘＡｌ１－ｘＡｓ三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析，获得化学计量比接近Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ的三元化合物半导体材料。

电共沉积InGaAs薄膜材料

阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于 1 3～ 1 5 μm的InGaAs薄膜材料。用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时测量了薄膜I-V特性、导电类型、厚度及其表面形貌 ,分析结果表明该方法是半导体薄膜材料制备的一种新途径。

MCZ-Si与太阳电池

本文从阐述MCZ(Magnetic·field·applied CZ)-Si相对于CZ-Si的优点出发,预期用MCZ-Si制作的太阳电池应比CZ-Si太阳电池具有更高的转换效率.事实证明,利用相近原始参数的MCZ-Si和CZ-Si,在相同的工艺条件下,一同制作太阳电池,测试结果表明,前者的性能明显地优于后者.由此,可望MCZ-Si将成为制作太阳电池的一种好材料.