等离子体技术制备氧化硅阻隔层薄膜的研究

采用无任何污染的等离子体技术,进行SiOx薄膜的沉积:电子束蒸发氧化硅、离子源辅助电子束蒸发氧化硅、磁控溅射沉积氧化硅、离子源辅助磁控溅射沉积氧化硅、等离子体化学气相沉积SiOx等,并对所沉积的薄膜进行结构性能的比较研究。