显微激光拉曼光谱法鉴别SiC晶体的多型体结构

利用显微激光拉曼光谱法对掺氮 6H SiC单晶中的寄生多型体进行了鉴别 ,结果表明其中有 4H SiC和 15R SiC两种寄生多型体。不同SiC多型体的纵光学声子与等离子体激元的耦合模 (LOPC模 )表明 :在掺氮 6H SiC单晶的生长条件下 ,6H SiC的掺氮效应与 4H SiC存在明显差别 ,而与 1 5R

6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界

利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。实验发现 ,在透射偏光显微镜下 ,微管通常呈现为蝴蝶形 ,这是由于微管周围存在着应力场 ,且应力分布不均匀 ,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的。从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在 2c到 10c之间。从晶片 0 0 0 12衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出 ,晶片的中间大部分区域质量很好 ,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄 ,一般为 35″左右。在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽 ,有些区域还会出现衍射峰的分裂 ,这说明外围区域有嵌镶块结构存在。

YAG∶Ce,Tb粉体的共沉淀法制备与发光性能

以NH4HCO3溶液为沉淀剂,采用共沉淀法制备了前驱体,在氩气气氛中经1200℃煅烧2h合成了Y2.94-xCe0.06TbxAl5O12(YAG∶Ce,Tb)粉体。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、荧光光谱仪对样品的结构、形貌及发光性能进行了表征。所得粉体为体心立方相YAG∶Ce,Tb。粉体颗粒团聚成珊瑚虫形。YAG∶Ce,Tb粉体的激发光谱有3个激发带,峰值分别位于275nm(Tb3+的4f8→4f75d1跃迁)、341nm和450～470nm(Ce3+的4f1→4f05d1跃迁)。用275nm的紫外线激发YAG∶Ce,Tb粉体,得到了Tb3+和Ce3+的特征发射带。用460nm的蓝光激发YAG∶Ce,Tb粉体,其发射光谱中只有1个宽发射带,峰值位于531nm处,归属于Ce3+的4f05d1→2F7/2、2F5/2跃迁,而没有出现Tb3+的特征发射峰。对YAG∶Ce,Tb粉体中,在Tb3+与Ce3+之间Tb3+→Ce3+的能量转移机理进行了讨论。

共沉淀法制备LaPO_4:Ce,Tb纳米棒及其发光性能

采用共沉淀法合成了LaPO4：Ce，Tb纳米棒，利用XRD和SEM分别测试了样品的物相结构及形貌，用荧光光谱仪测试了样品的激发光谱和发射光谱，研究了不同Ce^3＋含量对LaPO4：Cex，Tb0.06纳米棒发光性能的影响。结果表明：LaPO4：Ce，Tb样品为独居石结构，属于单斜相；样品呈棒状，其长度为100～1000nm，宽度为11～82nm；LaPO4：Ce，Tb纳米棒的最强发射波长为544nm。

微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化

采用升华法生长调制掺氮的6HSiC单晶,其[0001]方向纵切片的掺氮条纹表明,晶体的生长前沿由初始生长阶段的凸形逐渐变成了后续生长阶段近似平坦的形状。发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高。透射光学显微镜观察发现,若微管的延伸方向与6HSiC晶体的[0001]方向偏离角度较大时,微管变得不稳定而离解消失;微管也可终止于六边形空洞或硅滴处。氮元素掺杂可使6HSiC晶体的晶格发生畸变,可导致产生新微管。

6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌

利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的 6H SiC单晶 (0 0 0 1)Si 面的生长形貌 ,应用台阶仪测定了生长台阶高度。实验发现 ,6H SiC单晶的生长台阶呈螺旋状 ,生长台阶呈现出了韵律束合现象。在单晶中间部分 ,生长台阶稀疏 ,台面较宽 ,约 80 μm左右 ,台阶高度较小 ,约 2 0～ 5 0nm ,比较宽的台面上存在小生长螺旋。外围单晶区域 ,生长台阶比较密集 ,其台阶高度较大 ,约 30 0～ 70 0nm ,台面宽度较小 ,约 2～ 5 μm。生长台阶在前进过程中受单晶中的微管缺陷影响 。

沉淀法制备形貌可控YVO_4:Eu^(3+),Bi^(3+)粉体及其发光性能

采用沉淀法合成了YVO4:Eu3+,Bi3+荧光粉,利用XRD,SEM和TEM对样品的结构和形貌进行表征,并用荧光光谱仪测试了样品的激发和发射光谱。X射线衍射图分析表明,所制得的荧光粉与YVO4的物相一致,样品属于体心四方相。其扫描电镜和透射电镜照片显示颗粒为纺锤形,大小比较均匀,长径为250nm左右,短径为100nm左右。在275nm近紫外光激发下,该荧光粉的发光峰分别归属于Eu3+的5 D0→7 F1(596nm),5 D0→7F2(617nm,621nm),5 D0→7F3(654nm),5 D0→7F4(702nm)辐射跃迁。最强发射位于617nm左右,属于红光。研究了Eu3+浓度对样品发光强度的影响。随着Eu3+浓度的增加,发射峰强度增大,当Eu3+摩尔分数为12%时,峰值强度最大。Bi3+对Eu3+的发光有一定的敏化作用,当Bi3+摩尔分数达到5%时,敏化作用最强。

YAG:Ce,Pr粉体的制备与发光性能

以NH4HCO3溶液为沉淀剂,采用共沉淀法制备了前驱体,在氩气气氛中1 200℃煅烧3 h合成了Y2.94-xCexPr0.06Al5O12（YAG：Ce,Pr）粉体。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、荧光光谱仪对样品的结构、形貌及发光性能进行了表征。结果表明,所得粉体为体心立方相Y3Al5O12：Ce,Pr,粉体颗粒团聚成珊瑚虫形,YAG：Ce,Pr粉体的激发光谱有3个激发带,峰值分别位于290,342和450~470 nm处。用290 nm的紫外线激发YAG：Ce,Pr粉体,出现了4个发射带,峰值分别位于386 nm（Pr3＋的4f15d1→3F3,3F4跃迁）,489 nm（Pr3＋的3P0→3H4跃迁）,535 nm（Ce3＋的4f05d1→2F7/2,2F5/2跃迁）和612nm（Pr3＋的1D2→3H4跃迁）。而用460 nm的蓝光激发YAG：Ce,Pr粉体,则出现2个发射带,峰值分别位于535 nm（Ce3＋的4f05d1→2F7/2,2F5/2跃迁）和612 nm（Pr3＋的1D2→3H4跃迁）。对YAG：Ce,Pr中Ce3＋与Pr3＋之间发生的能量转移进行了讨论。

《电子材料》课程教学改革探索

指出了《电子材料》课程传统教学中存在的弊端,对课程教学改革进行探索,并总结了一些自己的教学体会。通过教学内容和教学方法的改进达到提高教学质量的目的。

YP_xV_(1-x)O_4:Eu纳米颗粒的水热法制备与表征

采用水热法制备了YPxV1-xO4:Eu纳米颗粒,所得粉体用XRD、TEM和光致发光等方法进行了表征。同时,研究了磷元素与钒元素的物质的量的比对粉体发光性能的影响。结果表明:YPxV1-xO4:Eu纳米颗粒属于四方晶相,颗粒尺寸在30 nm左右;磷元素与钒元素的物质的量的比影响Y0.98Eu0.02PxV1-xO4(x=0,0.25,0.50,0.75)粉体的发光性能。

硅酸镓镧晶体研究进展

综述了硅酸镓镧晶体近20年来的研究概况。介绍了这种晶体的结构、生长和性质,讨论和总结了研究进展及趋势。指出采用替代或双掺的方法取代该晶体中的镓及提高晶体生长质量及重复性,降低成本是该晶体实用化的关键。并提出重视在旋光效应存在条件下电光效应的利用。

6H-SiC单晶的生长与缺陷

采用升华法 ,在一定的温度、气体压力和流量的条件下 ,生长了尺寸 5 0 .8mm的 6HSiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌 ,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察 ,发现了SiC晶体内的典型缺陷 ,如 :负晶、微管、碳颗粒等 ,并对它们的形成机理进行了讨论。

升华法生长大直径的SiC单晶

采用高纯Si粉和C粉在适宜的温度和压力下合成了多晶SiC粉末,在此基础上采用升华法在低压高温下条件下生长了大直径6H SiC单晶,并根据热力学理论分析了SiC的分解。结果表明,在2300℃附近的生长温度下,Si,Si2C,SiC2是Si C热力学平衡下的主要物种,其平衡分压比同组分的SiC物种高出3个量级,因而是升华过程中的主要物种,其质量传输过程直接决定SiC的生长。另外,采用光学显微镜观察SiC单晶中的生长缺陷,分析了缺陷成因,提出了碳的包裹体是微管缺陷的重要来源,而调制掺氮可以抑制部分微管在[0001]方向上的延伸,并在此分析基础上调整生长参数,生长出了高质量的6H SiC单晶。

高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构

我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究 ,研究发现在以 4H SiC为籽晶的晶体生长过程中 ,4H SiC、6H SiC、1 5R SiC出现两相共存或三相共存现象。在单相、两相或三相共存区 ,X射线摇摆曲线具有明显不同的特征。根据多型结构 。

温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响

利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.

卡尔曼滤波分光光度法同时测定多组分氨基酸混合物

在ｐＨ＝１２０条件下，不经预先分离，通过构造氨基酸三组分量测模型，采用卡尔曼滤波分光光度法对光谱严重重叠的可能含组氨酸、色氨酸和酪氨酸的混合物实现了同时定量测定。卡尔曼滤波算法能从量测信号中滤除噪声，分辨重叠光谱，充当了特殊的“数学过滤漏斗”，尤其适合光谱严重重叠的多组分混合物的同时测定。

有机溶剂析盐法生产试剂氯化钾

进行了用丙酮结晶析出工业氯化钾饱和水溶液中的氯化钾的研究。丙酮能有效地从饱和溶液中分离出氯化钾 ,据此开发出一种生产试剂氯化钾的新工艺 ,该工艺与传统工艺相比 ,具有流程简单 ,操作条件宽松 。

同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷

采用同步辐射单色光形貌术观察了 6H SiC单晶中的微管缺陷 ,发现晶片中Burgers矢量为 1c的螺位错具有较高的密度。此外 ,还观察到对应较大Burgers矢量的微管。基于微管附近的应变场 ,并根据衍射几何 ,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径 。

德国利恒高温炉具有限公司考察报告

德国利恒高温炉具有限公司(Linn HighTherm GmbH)位于德国巴伐利亚州纽伦堡市附近的Eschenfelden小镇,是国际知名的高温设备制造商,目前在中频、高频感应加热,微波干燥设备,工业炉、实验室用高温炉具等生产领域位居世界前列,在中国上海、俄罗斯、泰国等多个国家设有代表处。1969年郝斯特·林先生创建了利恒高温炉具公司,在电阻加热高温炉具、感应加热熔融炉等方面有制造专长。1979年该公司迁到小镇Eschenfelden,扩建后的工厂的生产范围进一步扩大,在感应加热元件、微波加热和高真空高温炉具生产技术方面又有所突破。

Ca_(12)Al_(14)O_(33):Eu^(2+)和Ca_(12)Al_(14)O_(33):Eu^(2+),Re^(3+)(Re=Dy,La,Nd)长余辉发光粉的燃烧合成及其发光性能

采用燃烧法制备出Ca12Al14O33:Eu2+和Ca12Al14O33:Eu2+,Re3+(Re=Dy,La,Nd)靛蓝光长余辉发光粉。分别利用XRD和FE-SEM对产物的物相结构和形貌进行了表征,用光致发光测试(PL)和余辉衰减曲线对样品的发光性能进行了分析。结果表明上述长余辉发光粉的晶体结构属于体心立方相七铝酸十二钙;所制备的Ca12Al14O33:Eu2+、Ca12Al14O33:Eu2+,Dy3+、Ca12Al14O33:Eu2+,La3+和Ca12Al14O33:Eu2+,Nd3+长余辉发光粉的发射光谱均呈宽发射谱带,波长范围为390~530nm,发光峰值也均位于443nm;产物在紫外线或紫色光激发后发射靛蓝光;余辉时间分别为238,184,168和9 120s。