反应烧结法制备Mg_4Nb_2O_9陶瓷及其微波介电性能的表征

采用反应烧结法制备Mg4 Nb2 O9陶瓷，省去预烧阶段，优化了制备工艺，研究得到Mg4 Nb2 O9陶瓷样品的相组成、微观形貌以及微波介电性能随着烧结温度的变化关系．由 XRD检测到陶瓷在1200～1450℃均得到纯相的Mg4Nb2O9陶瓷，在1400℃烧结保温3 h所得陶瓷密度为4．13 g/cm3（相对密度94．25％），样品具有清晰的微观形貌，微波介电性能为：εr＝12．1，Q＆#215;f＝169000 GHz，τf＝-55．55＆#215;10-6℃-1．

固相烧结法和反应烧结法制备G-La_2Si_2O_7陶瓷的微波介电性能

采用反应烧结法和传统固相反应法制备G-La2Si2O7陶瓷样品,并探究两种不同制备方法对G-La2Si2O7陶瓷的烧结性能、微观形貌、微波介电性能的影响.结果表明:传统固相法制备的G-La2Si2O7陶瓷性能优于反应烧结法制备材料,反应烧结法制备G-La2Si2O7陶瓷样品最佳的烧结温度为1 430℃,相对密度为90%,微波介电性能为:εr=12.50,Q×f=26 594GHz,τf=-23.99×10-6/℃.传统固相反应方法制备的G-La2Si2O7陶瓷样品最佳的烧结温度为1 415℃,相对密度为96.52%,微波介电性能为:εr=13.327,Q×f=33 900GHz,τf=-34.9×10-6/℃.