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掺杂Y_2O_3对BaSrTiO_3介质瓷性能的影响
被引量:
3
1
作者
曲远方
李远亮
+2 位作者
刘超
韩风龙
李小燕
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期19-21,共3页
以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了BaSrTiO3系介质瓷。用Automatic LCR Meter 4225测试了1 kHz条件下试样的电容量C和介质损耗因数D,并测试了–30~+125℃试样的C和tgδ,得到了试样相对介电常数εr及εr和tgδ随...
以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了BaSrTiO3系介质瓷。用Automatic LCR Meter 4225测试了1 kHz条件下试样的电容量C和介质损耗因数D,并测试了–30~+125℃试样的C和tgδ,得到了试样相对介电常数εr及εr和tgδ随温度的变化曲线。结果表明,在室温下,试样的相对介电常数最大值εr max不小于5 500,tgδ的最小值不大于16×10–4。
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关键词
无机非金属材料
钛酸锶钡介质陶瓷
三氧化二钇掺杂
介电性能
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职称材料
掺杂对(Ba_(0.92)Sr_(0.08))TiO_3基陶瓷性能的影响
2
作者
韩风龙
曲远方
+2 位作者
李远亮
刘超
李小燕
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2006年第6期696-698,共3页
以钛酸钡、二氧化钛、碳酸钠、氧化铋、五氧化二铌等为原料,在实验中碳酸钠,氧化铋在第一次配料中加入量较少的时候,对瓷料的半导化影响不大,实验证明提高了瓷料的居里温度,且升阻比也很高;当碳酸钠和氧化铋加入量增加时,瓷料变成了绝...
以钛酸钡、二氧化钛、碳酸钠、氧化铋、五氧化二铌等为原料,在实验中碳酸钠,氧化铋在第一次配料中加入量较少的时候,对瓷料的半导化影响不大,实验证明提高了瓷料的居里温度,且升阻比也很高;当碳酸钠和氧化铋加入量增加时,瓷料变成了绝缘介质,介电常数高于1 500,最大的超过了8 000。
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关键词
半导化
电阻率
介电常数
碳酸钠
氧化铋
烧结温度
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职称材料
题名
掺杂Y_2O_3对BaSrTiO_3介质瓷性能的影响
被引量:
3
1
作者
曲远方
李远亮
刘超
韩风龙
李小燕
机构
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期19-21,共3页
文摘
以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了BaSrTiO3系介质瓷。用Automatic LCR Meter 4225测试了1 kHz条件下试样的电容量C和介质损耗因数D,并测试了–30~+125℃试样的C和tgδ,得到了试样相对介电常数εr及εr和tgδ随温度的变化曲线。结果表明,在室温下,试样的相对介电常数最大值εr max不小于5 500,tgδ的最小值不大于16×10–4。
关键词
无机非金属材料
钛酸锶钡介质陶瓷
三氧化二钇掺杂
介电性能
Keywords
inorganic non-metallic materials
BaSrTiO3 dielectric ceramics
Y2O3 doping
dielectric properties
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
掺杂对(Ba_(0.92)Sr_(0.08))TiO_3基陶瓷性能的影响
2
作者
韩风龙
曲远方
李远亮
刘超
李小燕
机构
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2006年第6期696-698,共3页
文摘
以钛酸钡、二氧化钛、碳酸钠、氧化铋、五氧化二铌等为原料,在实验中碳酸钠,氧化铋在第一次配料中加入量较少的时候,对瓷料的半导化影响不大,实验证明提高了瓷料的居里温度,且升阻比也很高;当碳酸钠和氧化铋加入量增加时,瓷料变成了绝缘介质,介电常数高于1 500,最大的超过了8 000。
关键词
半导化
电阻率
介电常数
碳酸钠
氧化铋
烧结温度
Keywords
semi conducted
resistance rate
dielectric eonstant
Na2CO3
Bi2O3
sintering temperature
分类号
TN65 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
掺杂Y_2O_3对BaSrTiO_3介质瓷性能的影响
曲远方
李远亮
刘超
韩风龙
李小燕
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
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职称材料
2
掺杂对(Ba_(0.92)Sr_(0.08))TiO_3基陶瓷性能的影响
韩风龙
曲远方
李远亮
刘超
李小燕
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
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