电子辐照改善可控硅触发性能的研究

应用电子束射线对单向微触发可控硅晶圆片进行不同条件的辐照,使用晶体管图示仪测试其门极触发电流和通态电压,研究了辐照剂量、剂量率对门极触发电流和通态电压的影响,使用不同的退火工艺对辐照后的可控硅进行退火实验,监测其退火后参数的变化。实验表明,门极触发电流随辐照剂量的增加而迅速增大,辐照剂量在20 k Gy以下时,通态电压基本没有增加;门极触发电流在可控硅约225℃以下退火时,存在反退火现象,继续提高退火温度又表现出正常的退火结果;1.5 Me V电子辐照技术不仅能有效提高可控硅门极触发电流,还能提高晶圆片门极触发电流的一致性。