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AlGaAs/GaAs HBT的低频噪声 被引量：1
1
作者 廖小平 顾世惠 +1 位作者 林金庭 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期275-279,共5页
测试了AlGaAs／GaAsHBT的低频噪声，并将测试结果分解为1／f噪声、G－R噪声和白噪声，阐述了它们的产生机理，在此基础上建立了AlGaAs／GaAsHBT输入噪声电压的等效电路模型，该模型有助于AlGaAs／GaAsHBT电路的CAD。
关键词 HBT 低频噪声 化合物晶体管
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HBT电压控制振荡器的相位噪声 被引量：1
2
作者 廖小平 顾世惠 +1 位作者 林金庭 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期260-265,共6页
研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系，测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声，并分析了各自低频噪声产生的原因，提出了选择Ｇａ... 研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系，测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声，并分析了各自低频噪声产生的原因，提出了选择ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ ＶＣＯ来实现微波固体振荡器低相位噪声化这一发展方向。 展开更多
关键词 电压控制振荡器 相位噪声 微波振荡器 HBT
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