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“整本书阅读与研讨”任务群教学之我见 被引量:9
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作者 顾岚岚 《语文建设》 北大核心 2018年第1Z期21-23,共3页
“整本书阅读与研讨”是《普通高中语文课程标准(征求意见稿)》中提出的一个任务群,旨在引导学生通过阅读整本书拓展视野,反思自己的读书习惯,建构阅读经验,形成适合自己的读书方法,最终提升阅读鉴赏能力。相对于教材中单篇课文的阅读而... “整本书阅读与研讨”是《普通高中语文课程标准(征求意见稿)》中提出的一个任务群,旨在引导学生通过阅读整本书拓展视野,反思自己的读书习惯,建构阅读经验,形成适合自己的读书方法,最终提升阅读鉴赏能力。相对于教材中单篇课文的阅读而言,整本书阅读能为学生提供完整的学习情境,有助于学生更好地领略优秀作品的魅力,避免语文学习中的碎片化倾向,因而在语文教学中有很重要的作用。任务群学习以自主学习、合作学习、体验探究性学习为主要方式,教师要引导学生学习前人的阅读经验,如提要钩玄,不动笔墨不读书,多角度、多层次,等等,在反复阅读的基础上,进一步探究如何更好地进行整本书阅读。 展开更多
关键词 阅读经验 语文教学 引导学生 语文课程标准 阅读鉴赏能力 学习情境 读书习惯 征求意见稿
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退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响 被引量:5
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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期631-636,共6页
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AF... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得 ,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.5 4μm光致发光。 展开更多
关键词 退火温度 离子注入 掺铒硅 快速退火 光致发光 半导体材料 结构 发光薄膜 发光材料
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电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔 被引量:4
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作者 徐少辉 熊祖洪 +3 位作者 顾岚岚 柳毅 丁训民 侯晓远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期272-275,共4页
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ... 用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 展开更多
关键词 多孔硅 微腔 光致发光 窄峰发射 电化学脉冲腐蚀法
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提高掺Er硅发光效率的途径与前景 被引量:4
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作者 肖志松 徐飞 +4 位作者 张通和 程国安 杨锡震 顾岚岚 王迅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期26-28,共3页
阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和未来展望。
关键词 掺Er硅 发光 发光效率 LEDs器件 发光机理
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高中记叙文“文化传承与理解”素养现状调查与改进建议
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作者 顾岚岚 《中学语文》 2019年第22期25-28,共4页
《普通高中语文课程标准(2017年版)》在学科核心素养中针对'文化传承与理解'明确进行表述:'继承和弘扬中华优秀传统文化、革命文化、社会主义先进文化''热爱祖国语言文字,热爱中华文化''理解和借鉴不同民... 《普通高中语文课程标准(2017年版)》在学科核心素养中针对'文化传承与理解'明确进行表述:'继承和弘扬中华优秀传统文化、革命文化、社会主义先进文化''热爱祖国语言文字,热爱中华文化''理解和借鉴不同民族和地区的文化''拓展文化视野,增强文化自觉,提升祖国特色社会主义文化自信'等。换言之,文化传承与理解可以说是学生需要具备的文化素养。 展开更多
关键词 文化传承 城乡学生 高中记叙文 高中男生 写作水平 学习任务群 四个维度 文化吸收
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千杯酒中的李白与酒神精神——《将进酒》教学内容的确定
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作者 顾岚岚 《中学语文(大语文论坛)(下旬)》 2014年第6期75-77,共3页
[教学设想]最近教学《唐诗宋词》,三句离不开“诗言志”,学生们在我不断地强调下也会时常从言志角度来读诗歌。在“清新飘逸的李白诗”这个专题学习中.当我问在预习的学生,《将进酒》你读到了什么。学生借助课后注释进行知人论世,... [教学设想]最近教学《唐诗宋词》,三句离不开“诗言志”,学生们在我不断地强调下也会时常从言志角度来读诗歌。在“清新飘逸的李白诗”这个专题学习中.当我问在预习的学生,《将进酒》你读到了什么。学生借助课后注释进行知人论世,说本首诗表达了李白在被“赐金放还”八年后借酒消愁的情感,其他没什么了。我猛地意识到学生们近阶段学了一些诗后产生的审美疲劳.贴标签的话语不断从他们的嘴里说出来。一首独特的诗在他们面前变成了简单的几句话就可以应付过去的文字。 展开更多
关键词 《将进酒》 教学内容 李白诗 酒神精神 《唐诗宋词》 “诗言志” 教学设想 专题学习
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铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构 被引量:2
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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期758-762,共5页
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)~ 10 ,即Er的原子体浓度为~ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)~ 10 ,即Er的原子体浓度为~ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 展开更多
关键词 MEVVA离子源 半导体薄膜 光致发光 显微结构 掺杂 SiO2/Si发光薄膜 富硅氧化硅 光谱
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铒偏析与沉淀对掺铒硅154μm光发射的影响 被引量:2
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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期68-71,共4页
用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达~ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XR... 用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达~ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现 ,Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关。Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的 1 5 4μm光发射。 展开更多
关键词 稀土 离子注入 掺铒硅 偏析 光致发光 发光薄膜 金属蒸气真空弧离子源 沉淀 光发射
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(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光 被引量:1
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作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期538-541,共4页
采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 ... 采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54 展开更多
关键词 氧化硅 离子注入 纳米硅 光致发光 半导体材料 掺杂 稀土
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(Si,Er)双注入单晶硅近红外光发射  被引量:1
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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 张通和 程国安 易仲珍 曾宇昕 顾岚岚 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期476-481,共6页
利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜,RBS分析表明铒原子分数接近10%,即原子浓度约1021 cm-3.XRD分析发现,随着Er注量增加,退火... 利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜,RBS分析表明铒原子分数接近10%,即原子浓度约1021 cm-3.XRD分析发现,随着Er注量增加,退火态样品中ErSi2相增多.显微结构分析表明,注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌.而这些结构变化将直接决定了(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光. 展开更多
关键词 离子注入 双注入 铒掺杂 光发射 单晶硅
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(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射
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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1258-1263,共6页
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到~ 10 % ,即体浓度~ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到~ 10 % ,即体浓度~ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 。 展开更多
关键词 双注入 掺铒硅 光致发光 表面结构 二氧化硅 薄膜
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掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究 
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作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期482-487,共6页
采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%,即数密度约1021cm-3;注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77 ... 采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%,即数密度约1021cm-3;注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77 K和室温时用441.6nm光激发有Er3+较强的1.54μm特征光发射.探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er3+的光致发光性能, 展开更多
关键词 纳米硅 离子注入 光致发光 铒掺杂
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创新提升高端政企客户互联网专线性能 被引量:1
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作者 顾岚岚 《邮电经济》 2016年第2期41-45,共5页
随着互联网业务的蓬勃发展,很多传统业务与应用都在寻求与网络相结合的方式提供创新的面向用户的服务。截至2015年3月,上海电信已经拥有超过440万的宽带用户,而这其中政企商业用户数量虽然只占小部分,但是贡献的业务收入却超过了30... 随着互联网业务的蓬勃发展,很多传统业务与应用都在寻求与网络相结合的方式提供创新的面向用户的服务。截至2015年3月,上海电信已经拥有超过440万的宽带用户,而这其中政企商业用户数量虽然只占小部分,但是贡献的业务收入却超过了30%。针对不同客户群的需求,上海电信也提供了丰富的产品线满足不同层次不同用户的需求。从普通公众用户的ADSL、EPON光纤专线,到中小企业使用ADSL、EIP专线,到政企普通用户使用的专网上网,到高端用户使用的政企IPMAN、163专线上网,到IDC数据中心托管等等。 展开更多
关键词 互联网业务 客户群 创新 面向用户 性能 上海电信 ADSL 专线上网
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云网IPv6实现技术分析
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作者 胡晓宇 顾岚岚 《电信科学》 2020年第S01期112-121,共10页
论述在云端实现IPv6的关键技术,对云端部署IPv6租户网络的实现方案进行分析和比较,并通过在OpenStack开源云平台部署IPv6,验证方案的技术可行性。
关键词 云计算 IPV6 OPENSTACK
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基于开源系统的综合业务数据采集系统的开发研究
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作者 周学明 顾岚岚 《中国新通信》 2016年第16期15-17,共3页
在光网综合业务环境下进行故障定位需要采用成本低廉、应用方便、效率高的数据采集终端进行数据采集。Open Wrt是一个高度模块化、高度自动化的嵌入式Linux系统,拥有强大的网络组件。基于Open Wrt的终端设备由于系统开放、硬件适配性好... 在光网综合业务环境下进行故障定位需要采用成本低廉、应用方便、效率高的数据采集终端进行数据采集。Open Wrt是一个高度模块化、高度自动化的嵌入式Linux系统,拥有强大的网络组件。基于Open Wrt的终端设备由于系统开放、硬件适配性好可以方便满足各种网络业务需求。本文介绍了利用Open Wrt进行定制开发一种数据采集系统的实例。详细说明了开发方案、开发工具、开发步骤以及调试过程。 展开更多
关键词 OpenWrt 数据采集 系统开发 开源系统 硬件终端
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利用多媒体深化语文情感教育
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作者 顾岚岚 《作文成功之路(中考冲刺)》 2017年第1期76-77,共2页
随着多媒体技术手段的不断发展,其鲜活直观的画面、直入心扉的声音、动态十足的视频,更有助于激发学生内在的情感涟漪,是践行情感教育、链接文本情感元素的重要媒介。本文提出要借助定格的画面,为情感教育设定支点;借助感人的音乐... 随着多媒体技术手段的不断发展,其鲜活直观的画面、直入心扉的声音、动态十足的视频,更有助于激发学生内在的情感涟漪,是践行情感教育、链接文本情感元素的重要媒介。本文提出要借助定格的画面,为情感教育设定支点;借助感人的音乐,为情感教育创设通道;借助动态的画面,为情感教育架设桥梁,从而促进为学生情感教育奠基。 展开更多
关键词 设定支点 定格画面 动态视频 柔美音乐 情感教育
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探析新时代背景下小学生写作教学如何融入生活元素
17
作者 顾岚岚 《精品生活》 2022年第15期0034-0036,共3页
随着新课改的实施,所有学科都展开了学习模式的更新应用以及教学手法的多样化实施。小学语文写作是写作启蒙的重要阶段,需要教师培养学生写作能力,帮助学生掌握写作技能,为将来学生的写作能力打下稳固的基础。
关键词 生活角度 小学语文 写作教学 模式分析
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小学高年级语文“问题导向型”阅读教学的实践研究
18
作者 顾岚岚 《世纪之星—小学版》 2022年第8期0016-0018,共3页
现在我们倡导全民阅读,阅读的重要性不言而喻,通过阅读能够让我们更好的了解世界,丰富我们的精神世界。培养青少年的阅读能力,可以促进全民阅读的开展。青少年是祖国的未来,通过带领小学生阅读可以促进小学生更好的学习,在高年级语文教... 现在我们倡导全民阅读,阅读的重要性不言而喻,通过阅读能够让我们更好的了解世界,丰富我们的精神世界。培养青少年的阅读能力,可以促进全民阅读的开展。青少年是祖国的未来,通过带领小学生阅读可以促进小学生更好的学习,在高年级语文教学的过程中,教师要转变传统不适宜的教学方式,应用问题导向型阅读教学方法,吸引小学生,让小学生学会阅读,提升阅读的有效性,文章对此进行探讨。 展开更多
关键词 小学语文教学 阅读教学 问题导向型 语文核心素养
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掺铒硅多孔化后的光致发光特性 被引量:4
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作者 顾岚岚 熊祖洪 +1 位作者 陈刚 徐少辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期383-387,共5页
采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.... 采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.同时,由于铒与氧共掺于硅柱内部,多孔硅不再需要通过高温后处理引入氧来实现铒的光学激活.实验还对多孔化前后,Er3+的发光强度作出直观的比较,讨论多孔硅可见光及红外光区域的发光对Er3+红外发射的影响. 展开更多
关键词 掺铒硅 多孔硅 光致发光特性
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掺铒硅基材料发光的新途径 被引量:10
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作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期164-168,共5页
采用MEVVA源离子注入机将Si,Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中 ,利用卢瑟福背散射 (RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布 ,Er的掺杂浓度为 10 2 1cm-3 量级 ;原子力显微镜 (AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中 ;X射... 采用MEVVA源离子注入机将Si,Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中 ,利用卢瑟福背散射 (RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布 ,Er的掺杂浓度为 10 2 1cm-3 量级 ;原子力显微镜 (AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中 ;X射线光电子能谱 (XPS)的结果显示了不同厚度掺杂层中Er,Si,O含量的变化 .77K温度下 ,在退火态样品的近红外光致发光 (PL)谱中观察到了Er3+的 1 5 4μm特征发射 .Er3+作为孤立离子发光中心 ,其激活能主要来源于nc Si/SiO2 (c Si/SiO2 )界面处的载流子复合 ,再将能量转移给Er3+而产生发光 . 展开更多
关键词 离子注入 光致发光 纳米硅 掺铒硅基材料
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