基于AFORS-HET软件模拟分析p-CuSCN/n-ZnO透明异质结的J-V特性曲线

利用AFORS-HET软件模拟得出p-Cu SCN/n-Zn O异质结在不同光区的J-V特性曲线各不相同,无光照、普通日光、可见光区、红外光区的J-V特性曲线走势大体相同并都为负值。然后与n-Cu SCN/p-Cu SCN和n-Zn O/p-Zn O的J-V特性曲线相互比较,可知这种现象是p-Cu SCN/n-Zn O异质结所独有的。紫外光区[1]的J-V特性曲线与其余光区大不相同,并且为正值。造成正负差异的原因是由于p-Cu SCN/n-Zn O异质结中少数载流子的漂移运动[2-3]为主体运动。最终得出结论,利用p-Cu SCN/n-Zn O透明异质结来制备紫外探测器在理论上是可行的。

理想状态下的透明异质结p-CuSCN/n-ZnO的光电特性研究

本文运用能带理论与载流子扩散模型推导出理想状态下p-Cu SCN/n-Zn O透明异质结的能带结构及无光照条件下的J-V特性表达式,并以此来对p-Cu SCN/n-Zn O的J-V特性曲线进行研究。研究结果表明：Cu SCN与Zn O两者的禁带宽度相差较小,这导致理想状态下遵循普通扩散模型和Anderson扩散模型[1]载流子运输机制运动的载流子数量极其有限,Zn O的掺杂浓度会对p-Cu SCN/n-Zn O异质结反向饱和电流密度产生影响,p-Cu SCN/n-Zn O异质结的内建势垒大小受到两者掺杂浓度的影响。温度的变化会影响p-Cu SCN/n-Zn O异质结的反向饱和电流密度的大小,温度和价带带阶的变化都会使得p-Cu SCN/n-Zn O异质结的内建势垒产生变化。