负电子亲和势GaAs光阴极的研究

分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优越性进行了综合性讨论。

负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展

阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。

紫外像增强管的研究

研究了采用碲铷（日盲）光电阴极、近贴聚焦、二块微通道板（ＭＣＰ）、 Ｙ－２０荧光屏、２５／２５ ｍｍ有效直径紫外像增强管。详细论述了该像增强管的工作原 理、结构设计、制造工艺、测试方法以及应用前景等方面问题。

透射式GaAs光阴极量子效率分析

通过对透射式ＧａＡｓ光阴极“三物理过程”的描述和理论分析，指出了影响量子效率的不利因素，讨论和提出了克服、消除这些不利因素的方法、措施和途径。