一种全自动超高真空电子束蒸发薄膜生长系统

由于薄膜生长均匀、沉积速率和膜厚易控、可制备大面积薄膜等特点,电子束沉积技术在超导薄膜、多层巨磁阻薄膜、超晶格薄膜中得到了深入研究。电子束沉积技术的关键是其薄膜生长和控制系统。本文基于微型计算机DA和IEEE488接口技术,报道了一种全自动超高真空电子束蒸发薄膜生长系统,自动化程度高,使用方便,名义薄膜厚度测量分辨率可达0.1A。精度,可实现双源共蒸发功能和程序预设定的多源多层薄膜自动沉积。

低温物性多功能测试系统

本文给出一套测量固体常用低温热参量的计算机控制多功能测试系统，可测量样品的电阻随温度的变化曲线Ｒ（Ｔ）、０～１．８×１０３ＭＰａ压力范围内电阻的温度特性Ｒ（Ｔ，Ｐ）、比热曲线Ｃ（Ｔ）及其ＡＣ磁化率，温区从液氮温度至室温．该系统集固体基本低温物性测量为一体，精度高，测量迅速、方便，为低温领域的物性分析（特别是高温氧化物超导体的研究）带来了极大的便利．

Bi系与Tl系高T_c超导体的比热奇异研究

利用扫描比热法对Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ和Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导体从液氮温度到室温作了详尽的比热测量．类似于ＹＢＣＯ超导体，在临界转变温度与室温的这一区间里发现Ｂｉ系和Ｔｌ系样品也存在负的比热奇异行为，即存在形状类似于倒置λ相变的比热反常峰．反常峰的位置和数量与样品的受热历史有关．并且实验发现存在一个临界的最高热循环温度Ｔ（ＣＴＣ），当样品的最高热循环温度Ｔ（ＴＣ）小于Ｔ（ＣＴＣ）时，这类反常峰将消失．对ＢＳＣＣＯ和ＴＢＣＣＯ这一临界热循环温度Ｔ（ＣＴＣ）分别为２３８±２Ｋ和２６１±１Ｋ．

高温氧化物超导体于T＞T_c区域的比热奇异可能探讨

该文利用微机自动控制的比热扫描法测量系统对高Ｔｃ氧化物超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ、ＢｉＳｒＣａＣｕＯ及ＴＩＢａＣｈＣｕＯ从液氮温度到室温进行了详细的比热测量．实验发现除临界温度处的正常－超导转变外这三个系列超导体在Ｔｃ＜Ｔ＜ＴＲＯＯＭ（室温）区域还存在负的比热反常峰．这类反常峰的形状类似于倒置的λ相交，峰的位置和个数与样品的受热历史有关．另外，实验证明存在一个临界的最高热循环温度ＴＣＴＣ，当样品的最高热循环温度ＴＣＴ小于ＴＣＴＣ时，这类比热异常峰将不会出现．对应于ＹＢＣＯ、ＢＳＣＯＯ、ＴＢＣＣＯ．实验确定的该临界温度ＴＣＴＣ分别为２５８±３Ｋ、２３８Ｋ±２Ｋ、２６１Ｋ±１Ｋ．

低温下NiCr—NiSi热电偶的压力效应

我们对NiCr-NiSi热电偶的热电势值随温度的变化关系进行了测量,同时在窒温和液氮温度下,压力从0→18kbar(1ba=10~5Pa)变化时,对该热电偶的压力热电势进行了测量,并给出了一种修正压力热电势的方法.

YBCO高温超导体块材交流磁化率与弱连接问题

用弱连接约瑟夫森效应解释YBCO高温超导体块材的交流磁化率随温度的变化根据所建立的物理模型推导出交流磁化率、穿透深度、临界电流以及温度间函数关系式.

高压对NiCr—NiCu热电偶的温度影响

在室温和液氮温度下,压强在0—20kbar(1bar=10~5Pa)变化范围内,测量了NiCr-NiCu热电偶的压力热电势随压强的变化关系.测量结果表明:在室温和液氮温度下,压力热电势均随压强增高,在0.1K的温度测量精度、0—20kbar的压强范围内,压力热电势不会对温度测量带来影响.

硼对YBa_2Cu_3O_(7-δ)陶瓷超导体超导性质的影响

制成组分为0≤x≤0.1的超导材料Y_(1-x)B_xBa_2Cu_3O_y.测量了从液氮温度到室温的该材料的电阻、磁化率和比热,并在室温下用X射线粉末衍射法分析了样品.结果表明掺硼减少了超导相的构成,引起部分非超导相.在硼浓度低时,没有迹象表明硼阳离子进入铜-氧面或铜-氧链.