超价化合物与八隅体规则的新认识

依据分子轨道理论分析了八隅体规则的理论基础,得出超价化合物这一概念实质上没有必要存在的结论。此外,重新研究了一些以往用d轨道参与来解释的成键问题,并推广了从主族元素化合物得出的一些规律,对一些过渡元素化合物不符合18电子规则的原因也进行了探讨。

化学气相沉积法制备和修复X射线管旋转阳极靶面材料

X射线管旋转阳极是医疗诊断领域的重要部件之一,本研究采用钨的化学气相沉积(CVD)工艺制备旋转阳极的靶面材料,与传统粉末冶金工艺相比,CVD工艺制备的靶面钨及钨合金材料具有高纯、全致密、高热导率的特点,同时该工艺可以对报废的靶面材料的进行修复,实现旋转阳极部件的再制造。

变形量对纯钨热导率及再结晶温度的影响

采用粉末冶金及高温锻造工艺制备了3种规格的纯钨棒材,研究了不同变形量钨棒的微观组织、热导率及再结晶温度的差异。结果表明,随着变形量的增加,纯钨棒的相对密度和维氏硬度都呈现出先快速上升后趋于平缓的趋势,晶粒长径比逐渐增大且晶粒组织逐渐细化,最终呈现出纤维状。由于密度提升及孔隙率降低,纯钨棒的热导率及热扩散系数都随对数应变的增大有一定的提升,而当纯钨棒趋于完全致密化后,其热导率差异较小。对数应变为1.57的纯钨棒的再结晶温度最高,约为1520℃。经1450℃保温1 h退火后,对数应变0.88的纯钨棒整体晶粒组织已经明显变大,而对数应变为2.95的纯钨棒已经形成等轴晶。对数应变为2.95的纯钨棒再结晶后的晶粒组织比对数应变为0.88和1.57的要更加均匀细小。

微量碳掺杂化学气相沉积钨的制备及其表征

未来聚变装置的稳态运行对面向等离子体材料性能提出了更高的要求。为细化CVD-W材料柱状晶尺寸,以提高CVD-W材料的室温力学性能和高温结构稳定性,研究采用在CVD-W材料中掺杂微量碳元素以提升材料性能、细化微观组织的方法。该方法采用裂解器700℃活化后的甲烷作为气态C源,与六氟化钨(WF6)、氢气(H2)共同作为原材料,在温度为550℃的铜基材表面发生化学气相沉积反应制得微量C掺杂(Trace amount of Carbon-Doped,TCD)CVD-W涂层。研究发现:当TCD-CVD-W涂层中掺杂的C含量为0.0156%时(质量分数),涂层纵剖面的显微硬度从377 HV1.0上升至825 HV1.0,晶粒尺寸得到显著细化;X射线衍射(XRD)发现该TCD-CVD-W涂层中存在碳化二钨(W2C)物相。

化学气相沉积钨制品的研究现状与发展趋势

化学气相沉积(Chemial vapor deposition,CVD)是制备高纯高致密钨零件及涂层的重要工艺。通过介绍采用CVD方法制备的纯钨材料的工艺与技术特点,并从CVD-W材料特性、产品种类,相关应用方向等方面阐述了CVD技术在钨材料制造中的发展情况,介绍了CVD-W在国防军工、核能、医疗等行业领域的应用,总结了CVD-W制备技术和材料的国内外现状,并指出了未来国内CVD技术在钨及难熔金属应用领域发展的总体方向。

化学气相沉积法制备钨系列产品特点及工艺分析

介绍了利用化学气相沉积(CVD)法制备钨系列产品(包括钨管、钨坩埚、钨异型件等纯钨产品和铜基/钨基/钼基/石墨基等涂层产品)的工艺流程及设备体系。CVD法制得的钨系列产品特点有:密度高,其密度值达到理论密度的98.5%以上;纯度高,钨含量达到99.999 9%;微观组织为柱状晶或多层柱状晶结构;涂层类产品钨与基体结合强度高。