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题名中束流离子注入的束流强度改进研究
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作者
颜维哲
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机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
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出处
《集成电路应用》
2019年第6期22-24,共3页
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基金
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
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文摘
由于对离子注入剂量的测量大多为破坏性测量,无法在注入工艺后及时检测注入的准确性,一直是离子注入技术面临的难题。以NISSIN exceed 2000AH中束流离子注入机为平台,着重研究束流强度增强后对晶圆的电学性能带来的影响,及其实际应用。研究通过线下测试片进行实验,验证了束流强度对晶圆实际注入剂量和均匀度的影响。在不改变设定注入剂量的情况下,加大束流强度,亦会使晶圆的实际注入剂量偏多,当束流强度增加100%时,有可能造成实际注入剂量1.5%甚至2%以上的偏差。而当扫描次数小于5次时,注入的均匀度亦会有可能产生偏差。
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关键词
集成电路制造
离子注入
中束流
束流强度
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Keywords
integrated circuit manufacturing
voltage contrast
ion implantation
medium current
beam intensity
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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