电极对PZT铁电薄膜性能的影响

用溶胶－凝胶法制备ＰＺＴ铁电薄膜。以Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ为底电极，Ａｕ为上电极，形成金属－铁电薄膜－金属结构的铁电电容器。研究电极对ＰＺＴ铁电薄膜结构和电性能的影响，实验发现，金属Ｔｉ的厚度会影响ＰＺＴ铁电薄膜的结构。界面层的存在使介电系数、自发极化、矫顽电压、漏电流都与薄膜的厚度有关。

铅基钙钛矿型结构铁电薄膜的介电及热释电性能研究

用改进的溶胶 -凝胶旋转涂覆技术 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上研制出 1～ 2 μm厚 ,具有钙钛矿型结构的PbTiO3、PLT和PZT铅基铁电薄膜。该类铁电薄膜具有良好的结晶特性、优异的介电和热释电性能。

铁电薄膜电滞回线测量研究

在总结铁电材料测量理论基础上，运用相量的概念从理论上导出了铁电薄膜的线性感应电容和漏导对测量电滞回线所产生的影响。根据铁电薄膜的特性与实测结果分析了电极和测试信号的频率对测量的影响，提出了在测试过程中对铁电薄膜制备微电极和适当提高测试信号频率的优越性。

溶胶-凝胶技术制备Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的研究

采用溶胶－凝胶技术在Ｓｉ单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２铁电薄膜。讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响。Ｘ射线衍射分析表明，经７００℃和７００℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜。该薄膜的电滞回线测试呈现出剩余极化强度Ｐｒ＝５μＣ／ｃｍ２，矫顽场Ｅｃ＝１３０ｋＶ／ｃｍ。

Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的制备及特性研究

用溶胶-凝胶方法制备Ba1-xSrxTiO3（BST）薄膜材料，研究薄膜的结构和电性能。用XDR及SEM分析了沉积在硅片上的BST薄膜的结构，测试了在空温下BST薄膜的电滞回线及介电特性。

溶胶－凝胶方法制备PZT铁电薄膜材料的研究

本文介绍了用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备ＰＺＴ铁电薄膜的工艺，并指出采用快速热处理工艺能有效地防止薄膜开裂。比较了用３种不同锆盐原料制备的ＰＺＴ薄膜的性能。实验结果表明，用无机盐硝酸锆制备的ＰＺＴ铁电薄膜的性能最好。

PZT铁电薄膜的掺杂改性

用溶胶－凝胶方法制备了掺高价离子钇及过量Ｐｂ的ＰＺＴ铁电薄膜。探讨了添加剂对ＰＺＴ铁电薄膜的结构和电特性的影响。实验表明，过量ｒ（Ｐｂ）６％或掺高价离子ｒ（Ｙ）３％能较大地改善ＰＺＴ铁电薄膜的电性能。

PZT铁电薄膜的制备及电学性能研究

使用硝酸锆作锆源的溶胶－凝胶方法制备ＰＺＴ铁电薄膜。他们的电学性能被测试包括电滞回线，电流Ｉ（ｔ）特性，漏电流，矫顽场疲劳和老化。测到的ＰＺＴ薄膜剩余极化８．２μＣ／ｃｍ~２，矫顽场６８ｋＶ／ｃｍ．簿膜的寿命可超过１０^（１１）周期。

热释电系数测试系统

对铁电薄膜所具有的铁电、热释电特性进行了研究，在此基础上设计出了热释电系数测试系统。ｐＡ级电流放大器是测试系统的设计重点，而其输入阻抗、运算精度及噪声抑制又是设计关键。简要介绍了测试系统的设计思路、组成及工作原理。用所设计的测试系统对ＰＬＴ薄膜样品进行了测试，测试结果表明，溶胶－凝胶工艺制备的ＰＬＴ薄膜样品的热释电电流平均值为２．１×１０－１１Ａ而对应的热释电系数ｐ为２．５２×１０－８Ｃ／ｃｍ２°Ｃ。

Sol-Gel方法制备掺Y PZT铁电薄膜材料的研究

介绍用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备掺ＹＰＺＴ（ＰＹＺＴ）铁电薄膜的工艺，并比较了ＰＺＴ和ＰＹＺＴ薄膜的性能参数。实验结果表明。

铁电薄膜的制备及应用技术研究

研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线列和8X8元阵列;研制出热释电火情探测器和热释电非接触式温度测试仪。

直热式远红外辐射加热器的研究

介绍了直热式远红外辐射加热器的制备工艺。测试出这种加热器具有很高的红外辐射效率，且寿命长、表面绝缘性好、用途广，是一种很有魅力的新型红外辐射源。

溶胶-凝胶方法制备铁电薄膜及其力学性质的研究

本文介绍用溶胶-凝胶方法制备钛酸铅镧(PLT)铁电膜,采用划痕法测定PLT膜在Si基片上的附着力,并通过x射线衍射(XRD)测定在各种工艺条件下PLT薄膜的晶格畸变,并计算内应力。实验表明溶胶-凝胶方法的工艺因素对薄膜的力学性质有很大影响。通过控制溶液浓度,热处理温度及薄膜的厚度可得到附着力强,内应力小,品格畸变小的优质膜。

溶胶-凝胶法制备SnO_2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了,以SnCl_2·2H_2O为原材料,用sol-gel技术制备La_2O_3掺杂的SnO_2薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气敏特性的影响。实验表明La_2O_3掺杂的SnO_2薄膜气敏材料对CO_2有很好的响应特性,即有高的灵敏度和快的响应时间。随镧含量的增加〔(3～10)％mol〕,灵敏度增加,工作温度向低温方向移动。在低氧分压下热处理,能形成精细的晶粒与孔洞,灵敏度大幅度增加。

(Pb,La)TiO_3铁电薄膜的制备及热释电性能研究

讨论了ＰＬＴ１５铁电薄膜的溶胶－凝胶制备技术，及ＰＬＴ薄膜的结构和电性能研究。结果表明，在Ｓｉ基片上成功地生长出钙钛矿型结构多晶铁电薄膜，在（１１１）Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ上外延生长出（１１１）ＰＬＴ１５铁电薄膜。溶胶－凝胶制备的ＰＬＴ１５铁电薄膜具有优良的热释电性能，其热释电系数ｐ为５．２５×１０－８Ｃｃｍ－２Ｋ－１，电压响应率优值ＦＶ达到０．７８×１０－１０Ｃｃｍ／Ｊ，探测率优值Ｆｍ为１．１３×１０－８Ｃｃｍ／Ｊ。

钛酸铅铁电薄膜电容器及其存储单元的制备

用溶胶－凝胶方法制备出了ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）铁电薄膜电容器，设计了相应的非易失存储单元。介绍了ＰＴ溶胶的络合、水解成胶反应，铁电薄膜电容器的制备工艺，存储单元电路设计及工作原理。

PbTiO_3铁电薄膜的制备及性能研究

本文讨论PbTiO_3铁电薄膜的溶胶-凝胶制备技术、机理及PbTiO_3薄膜的结构和电性能.研究结果表明,在MgO和SrTiO_3单晶基片上制备的PbTiO_3薄膜为钙钛矿型结构的高度取向薄膜;在Si单晶基片上制备的PbTiO_3薄膜为钙钛矿型结构的陶瓷薄膜.PbTiO_3薄膜具有良好的铁电性能和热释电性能,这些膜薄适合于制备铁电存储器和热释电红外探测器.

高效率常温远红外辐射涂层

用过渡金属氧化物ＭｎＯ＿２、ＦｅＯ＿３、ＣｕＯ、ＣＯ＿２Ｏ＿３等为主要原料￣［１］，掺入少量杂质，采用传统的电子陶瓷工艺，刺备出红外陶瓷粉料，然后选择合适的粘合剂与粉料混合，调制成常温远红外辐射浆料，涂覆在织物上烘干，在４０℃下测得其法向全发射率为８７％。

溶胶半导化工艺制备(Sr,Pb)TiO_3系热敏电阻材料

用溶胶－凝胶法制取了钇（Ｙ）掺杂剂溶胶。利用Ｙ溶胶添加剂对钛酸锶铅Ｖ型正温度系数材料进行了半导化。为便于比较，制备了具有不同含量Ｙ溶胶添加剂及Ｙ２Ｏ３固相氧化物的（Ｓｒ０．５，Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品。实验结果表明，Ｙ溶胶作为半导化添加剂优于Ｙ２Ｏ３固相氧化物，它能改善（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３系陶瓷的各项性能。通过Ｙ溶胶添加剂所制备的（Ｓｒ０．５，Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品的最小电阻率为２．９０×１０２Ω·ｃｍ，其Ｙ溶胶引入量ｒ（Ｙ）为０．４５％。

底电极对PYZT铁电薄膜电容器的影响

ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的制备采用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法，将约５００ｎｍ厚的ＰＹＺＴ薄膜沉积在Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／ＳｉＯ２及Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上，基片为Ｓｉ（１１１）。详细分析研究了ＰＹＺＴ薄膜在不同底电极，不同快速热处理温度下的晶相结构及ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的小信号特性。研究发现，沉积在Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上的ＰＹＺＴ薄膜经８００℃快速热处理具有较接近理想外延ＰＹＺＴ薄膜结构，而且εｒ随着快速热处理温度升高而减小，在８００℃快速热处理条件下其εｒ约为１５０。