同步整流电路中SGT MOSFET尖峰震荡的优化设计

针对同步整流电路中屏蔽栅沟槽型场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,SGT MOSFET),在工艺加工过程中形成的热氧结构导致控制栅极电压尖峰震荡幅度大、电路能量转换效率低等问题,提出了一种SGT MOSFET电压尖峰震荡的优化设计。采用电路仿真的方法,以分析电容对电路电压开关震荡的影响;采用拉偏结构参数的方法,以确定器件的工艺参数;采用增加湿法刻蚀屏蔽栅多晶硅和注入多晶硅两道工艺的方法,以消除热氧结构,减小器件电容,从而减小器件在电路中的电压尖峰震荡幅度和时间,提升电路的能量转换效率。实验结果表明,优化设计后的栅漏电容减小了约43%,控制栅极电压的尖峰震荡降低了约56%,电路能量转换效率提升了约4.6%,器件剖面扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)图表明,所提设计方法可以消除SGT MOSFET的热氧结构。

浅析社交金融的法律规制

文章介绍了社交金融的具体含义,总结了社交金融的主要运行模式有社交借贷模式、社交众筹模式、社交理财模式、社交支付模式,分析并指出社交金融发展中存在的主要问题是社交金融平台准入及退出机制欠缺、社交金融中对沉淀资金的规定不明确、社交金融中的刑事犯罪风险大、社交金融的信用风险控制难、社交金融用户的个人信息保护机制欠缺等。提出了完善社交金融市场准入及退出机制、完善我国社交金融平台沉淀资金相关法律制度、完善刑法对社交金融的规制、建立社交金融征信体制、加强社交金融的个人信息保护机制等政策建议。