敏感器件封装成品率提高案例研究

随着器件沟道尺寸的减小,为了获得更好的性能参数,器件工艺窗口变得越来越窄。与此同时,单MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)封装缺少静电保护电路。对于敏感器件的封装,异常的电气参数时有出现。通过使用FMEA(failure mode and effects analysts)和DOE(design of experiments)等质量工具,确认该问题与封装键合顺序和黏合剂有关。通过调整键合顺序和更换所使用的黏合剂,有效地解决了敏感器件封装低良的问题。该案例为同行业提供了借鉴。

LDMOS热载流子注入效应安全工作区的研究

安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数。传统CMOS在衬底电流-栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值,该峰值可直接反映出热载流子注入(HCI)效应最强的位置,因此可以容易地给出其SOA;而对于横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,由于Kirk效应的发生,造成其衬底电流峰值不明显,此时的衬底电流已经不能再完全反映HCI效应的强弱,单纯使用Hu模式或衬底电流模式对SOA测试和分析都不合适。针对发生严重Kirk效应的LDMOS,此处提出一套更合理的HCI SOA测试方法,该方法既能节省测试时间,同时准确性又高。