从复杂含钴物料中制取高品质氧化钴

介绍了以复杂含钴二次物料为原料生产高品质氧化钴的工艺流程及其主要工序的工艺技术条件与技术指标,工艺流程由浸出、化学脱杂、有机萃取净化、草酸铵沉钴、煅烧等工序组成,全流程钴的直收率81 22%,产出的高品质氧化钴,可在电子行业、硬质合金行业以及陶瓷行业中使用。

含硅氧化锌矿湿法冶金过程中脱镁试验研究

试验证明了利用高硅氧化锌矿酸浸过程中所产生的可溶硅酸与硫酸镁反应生成硅酸镁沉淀的可能性。对影响脱镁反应参数的考察表明 ,镁的脱除率与可溶硅酸浓度及温度的高低密切相关 ,以其浓度表示则需大于 1 0g/LSiO2 ,脱镁温度 65℃左右为宜。

硫酸钴溶液深度净化的生产实践

研究拟定了净化工艺流程：粗氢氧化钴热水搅洗──氢氧化钴的还原溶解──次氯酸钠除锰──硫化钠沉铜──磷酸除锌。按拟定流程组织了小规模生产，可制出能由之产出T—2级氧化钴的硫酸钴净化溶液。

影响四氯化硅冷氢化系统连续运行的因素分析

针对某公司四氯化硅冷氢化工艺系统不能连续稳定运行的影响因素,进行分析探讨,提出改进意见建议,确保系统运行稳定及延长系统连续运行时间,提高产品质量,降低生产成本。可用于实际生产的指导或参考。

电子级多晶硅生产关键工艺控制

围绕生产电子级多晶硅关键工艺控制各环节,研究了如何生产出高品质电子级多晶硅产品。

数值建模在电子级多晶硅制备中的应用

利用化工模拟软件建立还原炉数值模型,通过还原炉炉内在各种条件下的温度场、流场模拟测试,得出最佳的运行工艺参数,形成完整的还原运行曲线。经实践检验,利用模拟工具得出的运行参数有利于电子级多晶硅的制备,建模工作在电子级多晶硅的生产上取得了很好的效果。

粗氢氧化钴中钴的提取工艺及生产实践

介绍了以粗氢氧化钴为原料制取高品质氧化钴的工艺流程。并按流程组织了一定规模的生产 ,产出了高品质氧化钴。

中浸渣的机械活化浸出工艺研究

硫化锌精矿焙烧矿的中性浸出渣常含有锗等有价元素 ,常规低酸高酸两段浸出流程锗的直收率低。试验探寻了机械活化浸出工艺提高锗浸出率的可能性 ,表明在试验确定的机械活化浸出条件下 ,两段浸出过程锗和锌的浸出率可分别提高 19 98%和 32 76 % ,机械活化浸出是一有良好应用前景的工艺技术方向。

多晶硅生产中硅芯夹层的成因及预防措施

分析了在多晶硅生产过程中,硅芯氧化夹层和氮化夹层形成的原因,并提出了预防措施。

有色金属提取冶金工艺研究及实践——昆明冶金研究院建院50周年回顾

概述了昆明冶金研究院建院50年来在有色金属提取冶金领域完成的工艺研究及其工艺实践。

电子级多晶硅除硼工艺研究及应用

在改良西门子方法基础上采取了两段除硼工艺,第一段在精馏工序中采取固体硅胶吸附法去除部分B、P杂质,硼的平均去除率达到68%;第二段采用还原工艺除B,还原温度由1 050℃提高到1 080℃,压力由5.0 bar提高到5.5 bar,受主P浓度下降了46.6%,受主B浓度下降了12.5%。

某冶炼厂净化除杂过程

本文介绍了某冶炼厂的净化工艺生产过程。该厂所处理的某地含硅氧化锌矿,经直接酸浸浸出中和后液含Cd较高。针对这一特点,采用一段高温净化除Co、Ni、Cu、Cd,二段低温净化再除Cd这一合理的工艺流程,得到了合格的电解前液,其主要杂质含量为:Co<3mg/L、Ni<O.2mg/L、Cu<0.1mg/L、Cd<2mg/L。

二氯二氢硅对多晶硅生产的影响

二氯二氢硅是多晶硅生产中产生的主要副产物,其长期富集在生产系统会对质量、安全及系统稳定运行造成影响。通过分析二氯二氢硅的来源,并综合现有生产工艺特点,实现生产系统中二氯二氢硅的有效控制。

硫酸钴溶液的萃前处理工艺

针对原料氢氧化钴的组成特点 ,通过绘制E—pH图进行理论分析与试验研究确定了热水搅洗———还原溶解———氧化脱砷的萃前处理工艺及其优化控制条件 ,结果表明添加次氯酸钠和铁盐以砷酸铁形态脱砷 ,具有较好的脱砷效果和钴直收率 ,在优化条件下原料至萃前液的Co直收率达 94 %～ 98% ,萃前液As、Fe含量均降至4 0mg/L以下 ,用其产出之最终产品氧化钴粉体 ,质量优异 ,表明所拟萃前处理工艺及其控制条件 ,合理而有效 。

硅芯切割废水处理

在多晶硅的硅芯切割过程中,会产生含有大量粒径在0.12μm^1 mm硅粉的切割废水,由于其表面发生水化,长时间悬浮于水中不沉降,也难以过滤处理,增加了废水处理难度,造成环境污染。实验通过在含硅废水中添加Na OH,使硅粒表面电性发生变化达到絮凝沉淀,实现除废水中硅粉的目的。结果证明,p H在12.8~13.2时,含硅废水可达絮凝效果,不需添加助滤剂即可实现过滤,为该类废水的处理提供一条新路径。