《微电子工艺原理与应用》课程思政建设探索

微电子工艺是一门涉及微电子先进制造的原理、技术和流程。通过探讨《微电子工艺原理与应用》课程思政建设的历史性、可能性和现实性,深度剖析微电子专业教育中的结合点,在此基础上有意、有机、有效地将课程思政元素融入到课程内容的讲授中,探索该课程思政建设的可行性。联系实践性的教学将思政元素融入微电子工艺课程,真正实现“盐融于水”。在教学手段更加多元化的同时提升学生学习的积极性,树立正确的社会主义核心价值观,使该课程适应当代社会教育发展的大趋势。本文拟通过在微电子工艺原理与应用课程的讲授中适当地融入课程思政元素,激发学生对于学习内容的兴趣,同时激起学生对于国内微电子发展的责任感和使命感,为微电子专业课程思政的建设提供可行的参考方案。

基于阈值电压的忆阻器模型研究

为了使忆阻器模型更加接近实际器件,提高其电学特性仿真的准确性。文章在惠普实验室提出的忆阻器物理模型的基础上,在Matlab中对忆阻器进行建模,并对忆阻器的模型根据实际器件具有的电压阈值特性进行了改进,仿真结果表明基于改进电压阈值的模型所呈现的电学特性更加准确地反映了忆阻器的输入输出特性。

砚山平远:有闯劲的示范户

平远镇新平社区黑泥田村农户何福建，是由平远农技站基层农技推广体系改革与补助项目指导员马国坤负责指导的10户科技示范户之一，具体示范辣椒产业，种植艳红朝天椒8亩。目前市场价格较好，获得满意的回报，辐射带动本村20户农户发展辣椒种植。

基于准二维钙钛矿的高稳定电阻随机存储器

电阻式随机存储器(RRAM)一直被视为新兴存储器技术中具有挑战性的替代品.近年来,人们发现基于有机-无机杂化卤化物钙钛矿的RRAM具有优异的存储特性.本研究利用简单的一步旋涂策略,在空气中不使用反溶剂,制备出了具有准二维钙钛矿活性层的Al/(PEA)_(2)-MAPb_(2)I_(3)Br_(4)/SnO_(2)/氧化铟锡(ITO)非易失性RRAM,该器件表现出了出色且高度稳定的双极性电阻切换特性.此外,该器件表现出约为10~4的开/关比,低SET电压(约0.8 V),并且具有相对稳定的耐久性(大于1000次循环).高阻态和低阻态的传导机制分别是空间电荷限流传导和欧姆传导.此外,由于苯乙胺分子的疏水性,该器件在40%湿度下放置90天依然表现出显著的阻变特性.因此,这种高性能、稳定的RRAM为未来存储器的商业化提供了可能性.

NH_(4)^(+)插层Mo掺杂MnO_(2)阴极实现强键合作用助力超稳定水系锌锰电池

水系可充电锌/二氧化锰电池因其成本低廉、能量密度高而引起了广泛关注.然而,缓慢的反应动力学和MnO_(2)阴极的歧化反应以及不可逆的相变现象对其发展造成了严重阻碍.在此,我们选用了Mo掺杂α-MnO_(2)(Mo–MnO_(2))作为阴极材料,通过铵根离子插层机制所形成的N–H···O强键合作用来稳定Mo–MnO_(2)的2×2隧道结构,并且有效抑制了Mn^(3+)溶解,在质子插入/脱出过程中不会引起晶格的畸变,进一步提高了其循环稳定性.获得的Mo–MnO_(2)正极在100 mA g^(−1)时表现出265.2 mA h g^(−1)的高比容量和364.3 W h kg^(−1)的能量密度.在2.0 A g^(−1)下1000次循环后,容量保持率达95.2%.这项工作有助于深入了解非金属阳离子在电极主体材料间的键合作用,为设计具有高能量密度和长期循环能力的水系锌离子电池提供了新思路.

中央电大1998级教学计划改革方案浅析

中央电大１９９８级教学计划改革方案浅析□马国坤周晓红李林曙教学计划是根据教育目的和不同类型学校的教育任务，由国家教育行政部门所制定的有关教学和教育工作的指导性文件。中央广播电视大学的教学计划规定专业培养目标及规格、招生对象、学制、课程设置、课程开设顺...

氧化锆基阻变存储器中金掺杂效应的第一性原理研究

氧空位在过渡金属氧化物阻变存储器的电阻转变中有重要作用.采用第一性原理计算方法,研究Au掺杂前后阻变层材料ZrO_2的能带结构、态密度、氧空位的形成能和迁移势垒能来分析氧化锆基阻变存储器中的Au掺杂效应.研究发现,Au掺杂后ZrO_2费米能级处出现了局域化杂质带且禁带宽度减小,由此提升了ZrO_2的导电能力;Au掺杂后氧空位形成能及迁移势垒能显著降低,从而有利于氧空位的形成和迁移,进而降低ZrO_2基阻变存储器的形成(forming)电压与置位(set)电压.我们利用电子局域函数模拟ZrO_2超晶胞[001]方向包含掺杂元素Au的氧空位列,结果表明局域在杂质周围的氧空位在[001]方向形成有序导电通道.