功率回路杂散电感对IGBT并联均流的影响

母排设计时,为了减小绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的关断瞬态电压尖峰,通常会将功率回路杂散电感设计的尽可能小,但回路杂散电感的大小也会对IGBT的并联动态均流产生影响。针对此问题,首先建立了功率回路杂散电感影响不均流度的数学模型,找到不均流的影响因素;然后,以IGBT物理模型结合Simulink仿真平台分析了回路杂散电感对并联均流的影响趋势;最终,通过双脉冲测试进行了验证,结果表明在该测试平台中,回路杂散电感减小2倍,最大会增加约10%的不均流度。

考虑芯片电热应力分布的IGBT动态雪崩工况电热联合仿真

绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)受芯片和键丝几何布局的影响,芯片表面产生电流密度的不均匀分布,这使得IGBT正常工作时在不同区域呈现不同的电气特性,进而导致IGBT芯片温度的不均匀分布。动态雪崩关断作为关断瞬态大电流、高电压的极端工况,使得IGBT芯片温度的不均匀性加剧,对器件可靠性评估带来困难。为解决芯片电热应力不均匀分布下对IGBT电气特性、温度特性模拟,文中提出一种基于场路耦合的IGBT芯片简化分区电热联合仿真方法,该方法基于两个系统:一维的IGBT动态雪崩物理模型和三维的IGBT有限元热模型。通过对待测IGBT芯片的合理分区和电、热系统的耦合,实现每个子单元的电热模拟。最后以一款国产1200V/50A的IGBT模块,针对动态雪崩工况对提出的仿真方法进行验证,实验结果表明,该模型能够准确表征动态雪崩工况下IGBT的电热特性,对IGBT可靠性边界的精确评估提供更为准确的指导。

基于IR与UCEON(T)的IGBT结温测量方法对比分析

红外(IR)探测法与小电流饱和压降UCEON(T)法是两种目前常用的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温测量方法,两种方法得到的结温存在区别与联系。针对此问题,此处首先对两种测量方法的基本原理及技术要点进行阐述;然后对基于UCEON(T)法的测温曲线进行标定;最后通过直流脉冲测试对两种结温测试结果进行对比分析。结果表明,IGBT芯片表面的温度分布存在明显的非均匀特性,随着采样点数量的逐渐增多,UCEON(T)法的温度测量结果更加趋近于IR探测法测得的芯片表面平均温度。

对发电机无功功率与电力系统稳定运行的研究

电力系统中重要的组成部分中就包含发电机,电力系统中的无功电源之一就是发电机,发电机的励磁电流可以调节,励磁电流的转变大小可以调节无功功率的输出,如此运行的费用较低。对发电机的无功功率进行合理的安排对电力系统的运行有所帮助,本文通过研究可以发现发电机无功功率的影响和作用。