X射线衍射动力学理论研究As^＋注入Si

本文用ＤＣＤ法测量了注入能量为１６０ｋｅＶ，剂量为１×１０１４～３×１０１６ｃｍ－２，退火温度为５００～７００℃的Ａｓ＋注入Ｓｉ＜１１１＞的Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ．在建立台阶模型和分布函数的基础上，用ＸＲＤ动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格应变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况．实验发现，剂量为１×１０１６ｃｍ－２、６００℃退火，Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ出现双峰，说明有固相外延层形成．剂量大于１×１０１５ｃｍ－２，呈现了非晶特性．

N^+和N_2^+注入Si的力学和电学特性

本文用X射线衍射(XRD)的运动学理论和扩展电阻(SR)研究了N^+和N_2^+注入Si的力学和电学性质,给出了不同剂量的晶格应变随注入深度的分布以及在注入层中产生的点缺陷数量。用SR给出了不同剂量N^+和N_2^+注入Si的电阻率随深度的变化。二者比较,我们实验的各种剂量(1×10^(16)cm^(-2)除外)的电阻率大致相等,而产生的应变,后者是前者的1.3倍左右。

O_2^+注入Si的折射率谱和弛豫时间

用椭圆偏光谱仪测量了注入能量为５０ｋｅＶ、不同注入剂量的Ｏ＿２～＋注入Ｓｉ的折射率谱。计算了单晶硅电极化的弛豫时间，并对结果进行了讨论。

B^+注入Si的辐射损伤和退火特性

本文用ｘ射线衍射仪测出了Ｂ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度、注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐射损伤恢复的退火特性．

C^+注入Si的晶格畸变

本文用ｘ射线双晶衍射法测量了注入能量为１４０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１４～１×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２，退火温度为５００℃～７００℃的Ｃ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．在多层模型和试探畸变分布函数的基础上，用ｘ射线衍射的动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格畸变随注入深度的变化。

As^+注入Si中的晶格应变(英文)

本文借助于双晶ｘ 射线衍射（ Ｄ Ｃ Ｄ） 和椭园偏光谱（ Ｅ Ｓ） 研究了注入能量为１６０ｋｅ Ｖ．不同剂量和不同退火温度（５００ ～７００ ℃） Ａｓ ＋ 注入 Ｓｉ 的性质．用ｘ 射线衍射的动力学理论和多层模型拟合了双晶衍射的摇摆曲线，得到了晶格应变随深度的分布．结果表明，注入剂量１ ×１０１６ｃｍ － ２ ，退火温度６００ ℃形成了外延层．

椭圆偏振光研究N_2^+注入Si的退火特性

本文用椭圆偏振仪测量了在不同剂量和不同能量下的N_2^+注入Si后的随偏参数ψ和Δ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系,同时,我们在N_2气氛中对离子注入片进行等时热退火,然后测量ψ和Δ,给出了N_2^+注入Si的退火特性,结果表明:N_2^+注入Si的退火特性曲线,对不同的注入剂量和注入能量分别为“υ”形和“W”形。

X射线衍射研究固体中的原子碰撞

由于研制新材料、新器件的需要,使得固体中原子碰撞的研究成为当前很活跃的一个新领域。而XRD能给出固体中原子碰撞后的大量信息。因此很多人开展了这方面的研究工作。A.Singh等人(1)用XRD研究了离子束合成氮化铝膜。我们首先测量了A^+s打入硅片后的X衍射分布,然后模拟实验曲线。根据XRD的运动学理论,在我们给出的试探应变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算了晶格应变在不同剂量和退火温度的情况下随深度的分布。

四探针研究N^+注入Si的退火特性

本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N^+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N^+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间的波峰是逆退火区,在退火温度为1080℃附近时,当注入剂量为1×10^(14)N^+/cm^2,注入能量为170kev和注入剂量为5×10^(14)N^+/cm^2注入能量为160 kev时,薄层电阻率都有急剧增大的趋势,最后,本文对上述这些实验结果进行了初步的分析和讨论。

双束注入的晶格应变

用双晶ｘ 射线衍射仪测出了注入能量为１８０ｋｅＶ，不同注入剂量和不同退火温度的Ｎ＋ ＋ Ａｓ＋ 双束离子注入的摇摆曲线（Ｒｏｃｋｉｎｇ ｃｕｒｖｅｓ） ．利用离子注入的多层模型，试探应变函数和ｘ 射线衍射的运动学理论，借助于计算机，用ＬｅｖｅｎｂｅｒｇＭａｒｇｕａｒｄｔ 最优化法拟合实验曲线，给出了不同剂量，不同退火温度晶格应变随注入深度的变化．

大黄素对豚鼠离体肠管作用的影响

大黄素对豚鼠离体肠管的作用与剂量相关，＜２９．６μｍｏｌ／Ｌ时收缩作用随剂量增加而增强（Ｐ＜０．０１）；＞２９．６μｍｏｌ／Ｌ时，作用渐弱至停止。适当剂量的大黄素（１４．８μｍｏｌ／Ｌ）可使乙酰胆碱（Ａｃｈ）对豚鼠离体回肠和结肠的收缩作用比单用Ａｃｈ时均明显增强，其Ｐ值分别＜０．０５和０．０１，但增加大黄素剂量收缩作用反而渐弱，直至活动停止，此时再加入氯化钙（ＣａＣｌ２）０．２７ｍｍｏｌ／Ｌ又可恢复Ａｃｈ收缩肠管平滑肌的作用。实验表明：大黄素对豚鼠离体肠管具有双向调节作用并与钙离子的参与密切相关。

As^+/N_2^+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布

采用双晶 X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的 As+ / N2 + 组合离子注入 Si的衍射曲线 ,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型 ,对衍射曲线进行拟合 ,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布 .在 5 0 0～ 90 0℃下进行等时热退火 ,对辐射损伤经退火的晶格恢复进行了研究 .用 L SS理论计算了同样注入条件下的杂质浓度分布 。

椭圆偏振光研究O_2^+注入Si的退火特性

用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2 气氛中进行等时热退火 ,测量了Φ和Δ ,给出了O+2 注入Si的退火特性 .结果表明 :O+2 注入Si的退火特性曲线 ,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形 .对此结果 。

N^+和N_2^+注入硅的应变、应力和扩展电阻

由离子注入形成的SOI材料制成的超大规模集成电路具有速度快、抗辐照等优点,因此SOI材料在微电子领域中将得到广泛应用。目前,形成SOI材料的途径主要是向硅中注氮或氧,在离子注入过程中将产生大量点缺陷及复杂缺陷,这些缺陷将导致晶格应变,使晶格之间产生应力。当离子半径小于晶体中原子半径时,将导致晶格收缩;反之,将使晶格膨胀。

放射性测井在水平井中的地质应用

分析了密度、自然伽马、补偿中子的探测特性,认为水平井中,补偿中子在划分高放射性储集层方面具有决定意义;根据三种放射性测井仪在岩性界面处不同的响应特点可以判断岩性界面的倾向及陡缓情况,由此可估算岩层厚度,推断砂体间可能的连通情况,为水平井中储层测井评价提供地质依据。

便携式轻小气流扬声器

本文分析了一些参量和因素对气流扬声器性能的影响,并进行了实验研究,研制出的小型气流扬声器具有好的频响,声压响应由400—2,000Hz,在离喇叭口2m远处的轴向声压级是120dB;磁间隙的磁通密度高达1.9Wb/m^2,体积小,重量轻。

小学数学应用题教学策略研究

现阶段,小学数学应用题教学效果并不理想,存在"教师怕教,学生怕学"的现象。小学数学教师必须重视应用题教学,采取有效的策略,创新应用题教学,激活学生的数学思维,提高学生的解题能力。

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs超晶格中类氢杂质基态的能量和波函数

本文给出了关于由GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs构成的人工周期量子阱中类氢杂质基态的能量和波函数的两个定理,同时用变分法对GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs构成的三个人造量子阱和周期量子阱中类氢杂质基态的能量和波函数进行了自洽数值计算,并对计算结果进行了讨论。

测井和地质相结合识别低阻油层

低阻油层成因复杂，类型多，不同区块其成因存在差异，其研究很有必要。低阻油层其电阻低于或接近临近水层，使得常规测井很难判别油水层，这给测井解释人员带来了很大困难，很容易造成解释失误，解释符合率偏低。本文从地质方面时低阻油层成因进行了分析和总结，也总结出了简单的测井解释方法。

中学物理教学中分层次教学探索

物理学由于自身的特点抽象、难懂,加上学生从初中到高中的学习过程中的基础的差异性,决定了物理教学面对的两重矛盾。就知识本身的难易和学生个体掌握知识的难易,针对这个问题,在平时的教学中要分清知识的难易和接受知识的个体差异,按照循序渐进的教学原则进行分层次教学。分层次教学主要解决两个问题,即知识难易度上的分层和教学过程中针对不同个体的分层,教学内容上的分层主要是纵观高中物理知识体系,对组成体系的各部分知识要从难到易进行分层,这主要是从学生接受知识时的难易进行分层,教师在讲解难点知识时一定要将其分解分层教学,例如:一章中其中有一部分章节属于核心内容较难,对这部分章节的讲解上还需要再分层。