动态热风辅助再结晶策略改善CsPbI_(2)Br钙钛矿在大气环境下的结晶及其光电性能

CsPbI_(2)Br薄膜在大气环境下制备存在覆盖率低、结晶质量差和结构稳定性差等问题.本文提出了一种动态热风辅助再结晶策略(dynamic hot-air assisted recrystallization,DHR),在相对湿度大于60%(>60%RH)的大气环境下,制备出高覆盖率、(100)择优取向、大尺寸晶粒、结构稳定、光电性能好的CsPbI_(2)Br薄膜.这是由于动态热风过程能够有效提高薄膜的覆盖率和获得(100)择优取向的结晶,但晶粒尺寸会显著减小(R_(ave)=0.32μm)并伴随着大量的晶界形成,从而加剧载流子的非辐射复合(τ_(ave)=99 ns);而通过再结晶过程,可进一步提高(100)择优取向的结晶和显著增大晶粒尺寸(R_(ave)=2.63μm),从而提高薄膜的光致发光强度和荧光寿命(τ_(ave)=118 ns).由DHR策略制备的未封装CsPbI_(2)Br太阳能电池具备高光电转换效率(power conversion efficiency,PCE=17.55%)、低迟滞因子(hysteresis index,HI=2.34%)和长期的储存稳定性(air,>60%RH,40天,初始PCE的96%)等特性.

体育专业研究生运动技能课程思政实施的路径研究

课程思政是现代研究生教育发展的新方向,更是落实立德树人根本任务的重要路径。体育研究生教育实施课程思政,有益于国家、社会所需的应用型体育人才、高层次人才的培养,并能有效契合体育研究生思想价值诉求。现阶段存在运动技能教师对课程思政认识不充分、自我提升能力不足、课程思政未能统筹到教学设计中、课程教育内容不足、教学方法单一、缺乏与课程思政相匹配的评价标准等问题。结合体育研究生教学中的主客体与主要环节,提出创新优化路径:强化教师队伍建设,精准落实课程思政;统筹课程思政目标设计;丰富课程内容,优化课程思政细节;对教师、学生实行多维度评价;形成环环相扣的育人体系。

黑龙江省雪上运动资源与环境的可持续发展研究

综合运用文献资料法、数理统计法、逻辑分析法等研究方法,对黑龙江省冬季雪上运动资源现状、影响雪上运动环境的因素进行研究,探索优化利用雪上运动资源的方法,提出要具备承办大型赛事的综合能力、提高赛后经营管理的能力、增强赛后滑雪资源与环境的可持续性等可持续性发展的途径,为逐步改善雪上运动环境,进一步提升黑龙江省承办大型国际、国内滑雪赛事的综合能力,促进赛后滑雪运动环境与资源利用的可持续性提供理论依据。

MOS结构中的辐照损伤态

本文用深能级瞬态谱(DLTS)、X-光电子谱(XPS)与俄歇电子谱(AES)研究了室温下1.5MeV、9.0MeV电子和2.0MeV H^+离子(剂量10^(12)—10~4/cm^2)在MOS结构的Si-SiO_2界面和P-型Si(100)中的辐照缺陷,发现经电子、H^+辐照后Si-SiO_2界面态成倍增大。当H^+注入剂量大于1×10^(14)/cm^2时电容失效。同时,在经历了室温和动力学退火后两个H^+引入的深能级HT1(E_v+0.18eV)和HT2(E_v+0.36eV)仍然存在。从上述缺陷的深度分布、H在Si中分布及空位、杂质退火和Si原子移位行为来看,与之相应的两个缺陷态主要和H^+在Si中产生的双空位[V_2]、[SiH-V_F]复合中心和位移原子Si_D的损伤有关,与H^+在Si中能量沉积关系较弱。

共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析

采用共溅射方法制备了 Cu-In合金膜 ,并讨论了 Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对 Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响 .结果显示 ,Cu-In合金膜仅有单峰 ,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变 .用费 -桑理论对 Cu-In合金薄膜的电学性质进行了分析 ,临界厚度的讨论结果表明 ,溅射 3～ 4min是面电阻的转变点 。

黑龙江省冰雪旅游产业对经济影响力的研究

伴随着我国经济的不断发展进步,我国多的旅游产业也从中得到了不断的发展,黑龙江省作为我国的大省之一,具有丰富的旅游资源,其中冰雪旅游资源极为丰富,其冰雪旅游资源为黑龙江的经济发展带来很大的效益,在这种条件下黑龙江省的冰雪旅游产业逐渐成为了黑龙江发展的主导产业,本文便对黑龙江省冰雪旅游产业对经济影响力进行详细的分析探讨.

我国冬季体育项目比赛市场现状的分析与发展对策

从冬季赛事产品、冬季赛事消费市场、冬季赛事运行机制等方面对我国目前冬季项目比赛市场的现状进行了理论分析与思考。认为冬季项目比赛存在的主要问题是市场体制不成熟,赛事产品消费者购买力不足,没有形成冬季项目比赛产品的独特优势。针对其存在的问题提出采取提高冬季赛事产品的质量,挖掘冬季赛事产品消费者的消费潜能等发展对策。

用共振核反应^(27)Al(p,γ)^(28)Si和SOS样品研究质子在固体Si中能损的同素异形效应

本文首次用具有衬底的薄膜Si样品SOS和共振核反应^(27)Al(p,γ)^(26)Si,于能量E_p=774keV和992keV,系统地研究了质子在固体中能损的结构效应问题。实验结果表明,对于MeV级的质子束,在Si元素固体的单晶、多晶、非晶中电子阻止本领有明显的差别,相对偏差至少大于5％,这个实验的测量误差小于3％。

IPM势下的轻离子能量歧离值Γ_(th)(Z_(2v))

本文用IPM离子-原子作用系统势,直接计算了轻离子(如~1H,~4He)在部分气体、固体中的能量歧离值Γ_(th)(Z_2,v),肯定了Γ_(th)(Z_2,v)随元素的原子序数Z_2和离子能量E_p的变化关系。在入射质子能量E_p=340keV和992keV时,与近期的Y.Kido实验值,Lindhard-Scharff和W.K.Chu的理论值作了对比,发现本文的计算结果与实验值在2.5—4％偏差内相符合,优于其它理论方法。

共振核反应^(27)Al(p,γ)^(28)Si在测量电子阻止本领Sc中的应用(英文)

本文运用共振核反应^(27)Al(p,γ)^(28)Si 和 SOS 样品,系统地测量了两个诱导能量 E_p=774keV 和992keV 上,质子在固体中电子阻止本领的同素异形效应,并详细讨论了实验技术,实验误差小于3%.

质子在硅中能量损失的体密度效应的研究

用能损的二分量理论详细讨论了快速荷电粒子（Ｈ＋）在同素异形态Ｓｉ薄膜中的能量沉积过程．在Ｂｅｔｈｅ－Ｂｌｏｃｈ公式中引入了一个能损修正因子η（Ｅ，ｐ）＜１．由入射粒子在固体中产生传导电子的集体激发（等离子体）和附有修正因子η（Ｅ，Ｐ）的内壳层电子单体电离－激发之和解释能损的同素异形态效应的实验结果，通过对实验数据的拟合，求得η（Ｅ，Ｐ）．

TiO2薄膜晶相转换的光谱分析

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上用旋涂法制备了TiO2薄膜样品,对样品在800-1100℃范围内进行退火处理,并对样品进行了拉曼光谱、透射光谱和荧光发光(PL)光谱测试.拉曼谱测试表明,随退火温度的升高,样品由锐钛矿相经锐钛矿与金红石的混相最终变为金红石相.透射谱测试表明,样品的吸收带边随着样品的相转换而发生红移.在总的趋势上,样品的折射率n随相转换而升高,厚度d和带隙Eg随相转换而降低.荧光发光光谱测试表明,在557-570nm和794-812nm范围内出现了两个发光光谱带.随着相转换,557-570nm范围内的发光光谱强度由强到无,而794-812nm范围内的发光光谱强度由弱到强.

ZnO纳米线的水热法生长

本文采用两步湿化学法在玻璃衬底上制备了ZnO纳米线。首先,利用Sol-gel方法在载玻片上制备含有ZnO纳米颗粒的薄膜作为“种子”衬底。然后,利用水热法在“种子”衬底上生长了高度取向的ZnO纳米线。并对“种子”衬底和随后生长的ZnO纳米线进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子形貌图(SEM)和原子力显微镜(AFM)等分析。结果表明“种子”衬底为大范围内纳米颗粒均匀一致的ZnO薄膜。通过水热法制备的ZnO纳米线的直径在50～80nm,平均直径为60nm,长度大约为2μm。该ZnO纳米线除了具有很强的紫外发光(399nm)外,还在蓝光(469nm)和绿光(569nm)波段有较弱的光致发光现象。

平带太阳电池的内量子效率

该文对平带同质结太阳电池内各空间区域对内量子效率的贡献,以及总的内量子效率进行了数值计算和分析,发现太阳电池的表面复合速率和各区域宽度均对内量子效率有重要影响.而对绒面结构太阳电池的内量子效率和物理参数关系的理论推导,通过数学变换和高阶近似后所得结果,可归结为与平带同质结相同的形式.不同的是,绒面在显著提高外量子效率的同时,可使电池在中长波范围的内量子效率略有提高,这对于改善太阳电池的光电转换性能起着非常重要的作用.所得结论对设计太阳电池及其表面结构具有指导意义.

共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能

采用共溅射法在 ITo/玻璃基片上沉积 Cd Te掺 Nd薄膜 ,并利用 XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能 .结果表明 ,适当 Nd掺入可以改善 Cd

电子束在MOS结构中的能量沉积与辐照效应

根据电子输运的“双群理论”计算出电子在Ｓｉ－ＳｉＯ２材料中的能量沉积．用与硅等效的外推电离室测定了１．０ＭｅＶ和１．５ＭｅＶ的电子束在ＭＯＳ电容芯片中的吸收剂量．用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）、俄歇谱（ＡＥＳ）、深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和Ｃ—Ｖ方法测量分析了ＭＯＳ电容Ｓｉ－ＳｉＯ２材料化学结构、界面态密度和Ｃ—Ｖ曲线在辐照前后的变化．根据理论和实验结果，从辐射剂量学的角度分析讨论了电子能量沉积、电离缺陷和辐射效应间的关系．并提出一个关于ＭＯＳ结构电离辐射损伤机理的初步解释。

沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和微结构的影响

为研究沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和结构的影响,通过改变沉积压强并采用射频磁控溅射制备a-S∶iH薄膜。借助椭偏仪、紫外可见分光光度计和拉曼光谱来分析薄膜的光学性能和微结构。研究发现,在较低沉积压强下薄膜的致密度得到提高,光学带隙偏小,折射率和消光系数较大,短程序和中程序得到改善,体内缺陷较少。并且椭偏拟合参数A越大,意味着薄膜的质量越好。结果表明,沉积气压确实对薄膜的微结构和光学性能具有重要影响。

新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究

在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。

近距离升华薄膜装置的研制及特性

详细介绍了近距离升华 (CSS)薄膜装置的研制及其特性 .并对利用该装置及利用射频溅射沉积的 Cd Te膜的结构进行了 XRD分析 .结果表明 ,CSS方法所得 Cd Te膜具有较大的晶粒尺度 ,结晶效果更好 .

低能γ光子及X射线在透射金属箱方向激发的次级X射线

采用Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测系统，以透射法测量了２４１Ａｍ和２３８Ｐｕ放射源的低能γ光子和Ｘ射线在透过不同厚度的Ｆｅ和Ｃｕ箔时激发的次级Ｘ射线相对强度的变化。实验结果表明：激发产生的Ｘ射线相对强度在实验样品厚度范围内随箔厚的增加而增加；在高原子序数材料中将产生更多的特征Ｘ射线；各次级Ｘ射线的强度与箔厚形成方式以及激发源的活度、能量有关。最后对实验结果的物理机制进行了初步探讨。