RF磁控溅射技术制备纳米硅

利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火。利用x射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子。使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出和结晶情况,富硅量较大的两种SiO2薄膜都观测到纳米硅晶粒。统计结果表明:复合靶中硅组分从20%增加到30%,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15%、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100℃,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加。

低阻W/WN难熔栅技术研究

探索了新型难熔栅 W/WN工艺制备技术 ,通过 SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/Ga As特性作了分析。结果表明 ,溅射气压和 N分压对 W,WN薄膜特性有着显著影响 ,通过工艺条件的优化 ,制备的 W/WN膜厚为 36 0 nm,方块分压为 0 .5 1Ω。利用Si O2 作为退火包封层 ,780℃ 10 s快速退火后 ,W/WN能够保持好的稳定性 ,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的 Ga As MESF ET。

倍频移相扫描法电光采样测量

分析了倍频移相扫描法的工作原理，介绍了用倍频移相扫描法构成的电光采样测量系统．测量了高速ＧａＡｓ动态分频器集成电路芯片，并给出分频关系波形的测量结果．

SZ541和SZ551型GaAs高速分频器

本文叙述了SZ541和SZ551分频器工作原理、电路设计和制作工艺技术。电路采用全离子注入平面工艺,L_g为0.6～0.8μm.SZ541GaAs静态分频器可从DC到3GHz工作。SZ551GaAs动态分频器工作带宽为0.5～4.5GHz。

GaAs高速动态分频器在片测试研究

本文研制出多触头微波探针，建立了微波探针在片检测系统．针对ＧａＡｓ高速集成电路──动态分频器电路芯片进行了在片测试和筛选．

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .

富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究

以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．以上实验结果与量子限制模型矛盾，却可用量子限制－发光中心模型解释．

南梁油田长4+5油藏产量影响因素及对策研究

南梁油田南部的午86区长4+5油藏规模上产后,部分低产低效井增多,含水上升加快,严重影响了油田的开发效益。通过对该区块的产量因素展开分析,认为单井产量与油层厚度和渗流能力、地层压力、注采比存在关联,也与注采完善程度存在一定的相关性。针对这些影响因素,提出了制定合理的注采比、注水强度、流压等开发技术政策,完善注采井网,强化注水井剖面治理,以及开展高含水井治理等治理对策,为下步提高采收率提供了方向。

直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响

以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，研究了在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ薄膜及ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；ＳＥＭ分析系统断面、ＡＥＳ分析膜层与ＧａＡｓ衬底的界面情况；并通过肖特基二极管Ｉ－Ｖ特性的测量研究其整流特性。实验结果表明，在１．３～１．６ｐａ氩气压力下淀积的ＷＳｉ膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能，能够满足自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的工艺要求。

高含水油田调驱体系不同阻力特性见效特征研究

长期注水开发导致国内多数油田已进入高含水期,调驱技术是现阶段改善和提高水驱开发油田采收率的重要技术之一。因此认识调驱技术的见效特征是进一步优化调驱方案以及调驱开发效果评价的基础工作。深入调研了凝胶调驱机理及其应用现状,分析影响不同油藏调驱效果的主控因素。应用核磁共振测量技术和微观可视化技术对调驱体系(包括聚合物凝胶、毫米级微球凝胶和微米级微球凝胶)在不同阻力特性见效特征进行实验研究。研究得出聚合物凝胶堵剂调驱效果优于其他两种微球堵剂,而且合理组合段塞可以有效提高调驱效果,为油田进一步优化调驱方案提供了依据。

纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用

用磁控溅射法在ｎ＋－Ｓｉ衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ)薄膜,并制备了Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管,观测到这种发光二极管的１．５４μｍ电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管的８倍．在ｎ＋－Ｓｉ衬底上淀积了纳米(ＳｉＯ２:Ｅｒ/Ｓｉ/ＳｉＯ２:Ｅｒ)三明治结构,其硅层厚度以０ ２ｎｍ为间隔从１．０ｎｍ变化到４．０ｎｍ．在室温下观察到了Ａｕ/纳米(ＳｉＯ２:Ｅｒ/Ｓｉ/ＳｉＯ２:Ｅｒ)/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管的电致发光,其电致发光谱可分解成峰位和半高宽都固定的３个高斯峰,峰位分别为０．７５７ｅＶ(１．６４μｍ)、０．８０６ｅＶ(１．５４μｍ)和０．８６０ｅＶ(１．４４μｍ),半高宽分别为０．０５２、０．０４５和０．０５５ｅＶ,其中１．５４μｍ峰来源于Ｅｒ发光．当硅层厚度为１．６ｎｍ时,３个峰的强度都达到最大,分别是没有硅层的Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管相应３个峰的２２、７．９和６．７倍．

考虑变导流能力的垂直裂缝油井产能方程

针对水力压裂后形成的垂直裂缝井中裂缝不同位置导流能力不同的特点,根据压后流体渗流规律变化,基于稳定流理论,推导了按线性、指数及对数3种形式变化的低渗气藏变导流能力的垂直裂缝油井的产能预测模型,并分析研究了裂缝导流能力的不同变化形式对油井产量的影响。研究结果表明:与考虑常导流能力的垂直裂缝油井产量相比,考虑变导流能力的垂直裂缝油井产量将下降;按线性、指数及对数3种形式的变导流能力对垂直裂缝油井产量影响程度不一致,同时3种形式的变导流能力的系数越大,垂直裂缝油井产量上升幅度越小。

鄂尔多斯盆地马岭油田三叠系石油地质特征探析

鄂尔多斯盆地马岭油田以其侏罗系延安组古地貌岩性油藏而闻名。随着马岭油田长3、长6、长7和长8等含油层位的陆续发现,可靠的石油地质依据支撑三叠系油藏合理开发和建产迫在眉睫。本文主要从沉积相、生储盖组合、运移条件和圈闭类型等方面入手,系统研究后认为,该油田三叠系具有六个基本的石油地质特征,且油藏开发潜力大。

GaAs高速集成电路内部动态特性直接电光采样检测

研制成功GaAs高速集成电路直接电光采样测试系统.采用共轴反射式光路,对样品进行背面直接采样.用研制的微波探针在片驱动GaAs高速数字集成电路管芯,使之处于正常工作状态.测试系统的时间分辨率高于20ps,空间分辨率为3μm.利用该系统在片检测了GaAs高速数字集成电路动态分频器内部的高速电信号.

SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er^(3+)1.54μm波长的电致发光

在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光。测量了由 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+ -Si样品分别制成的两种 LED,其 Er3+1 .5 4μm波长的电致发光峰强度 ,后者明显比前者强。还发现电致发光强度与 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+

考虑酸蚀蚓孔区影响的酸压油井产能方程

酸压过程中形成的蚓孔区将对酸压井产能产生影响。针对酸压后形成蚓孔区,根据压后流体渗流规律变化,建立了酸压井的物理渗流模型,推导建立了启动压力梯度和应力敏感共同影响下低渗油藏有限导流垂直酸压裂缝井产能预测模型,通过实例分析各因素对产能特征的影响。研究结果表明:油井产量随启动压力梯度增大而呈近似线性下降趋势;基于Terzaghi有效应力的应力敏感对油井产量的影响作用显著,油井产量下降幅度随压差增大而增大;油井产量随裂缝半长增加而增加,但增加幅度随之减小,而在一定裂缝长度下,裂缝导流能力存在一个最佳值;蚓孔区系统中的蚓孔长度和蚓孔区渗透率对油井产量的影响非常小,可忽略不计。

油层复查技术在AA区延6油藏中的应用

本文以AA区延6老井为例,利用钻井、录井、测井、取心等资料,对受当时技术条件限制被误判为"水层、干层"的"薄、差"储层进行重新认识,制定可行的复查评价标准,分析认为电测响应的储层含油性特性的内在因素、岩体内流体性质、岩石骨架导电性、粘土矿物含量成分及沉积环境、成岩作用是油藏低阻的原因,并通过开展砂体展布、精细构造研究,动态与静态相结合、确立了AA区油层复查的出油电性界限,对今后此类油藏解释评价工作具有借鉴作用。

西峰油田长8油藏裂缝分析探讨

研究裂缝方向渗透率与基质渗透率的关系。西峰油田长8油藏属于典型裂缝性油藏,重点对天然裂缝长度和人工裂缝长度进行研究,通过体积法、试井解释等方法,得到裂缝长度在80～210 m,应用连通系数法和等连续介质法计算裂缝对油藏渗透率的影响。研究结果表明裂缝方向等效渗透率是基质的70倍左右,对后期研究油藏裂缝渗流规律有重要意义。

刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光

以磁控溅射方法于 p- Si上淀积富硅二氧化硅 ,形成富硅二氧化硅 /p- Si结构 ,用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在 N2 气氛中退火 ,其光致发光 (PL)谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的 PL 谱有很大不同 .未刻划样品的 PL 谱只有一个峰 ,位于 840 nm (1.48e V) ,而刻划样品的 PL 谱是双峰结构 ,峰位分别位于 6 30 nm(1.97e V)和 840 nm.80 0℃退火的刻划富硅二氧化硅 /p- Si样品在背面蒸铝制成欧姆接触和正面蒸上半透明金电极后在正向偏压 10 V下的电致发光 (EL)强度约为同样制备的未经刻划样品在同样测试条件下的 EL 强度的 6倍 .EL 谱形状也有明显不同 ,表现在 :未经刻划样品的 EL 谱可以分解为两个高斯峰 ,峰位分别位于 1.83e V和2 .2 3e V;而在刻划样品 EL 谱中 1.83e V发光峰大幅度增强 ,还产生了一个新的能量为 3.0 e V的发光峰 .认为刻划造成的高密度缺陷区为氧化硅提供了新的发光中心并对其中某些杂质起了吸除作用 ,导致 PL 和 EL 光谱改变 .

硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光

将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅 .对于离子注入情况 ,只观察到 Au/ 1 0 50℃退火的离子注入的富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光 .低于 1 0 50℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅 ,无论离子注入与否 ,都未观察到电致发光 .Au/未注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光光谱在 1 .8e V处出现主峰 ,在 2 .4e V处还有一肩峰 .在 Au/ Si注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度分别增加了 2倍和 8倍 ;在 Au/ Ge注入富硅二氧化硅 / p- Si和 Au/ Ar注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度变化不大 ,但都观测到峰位位于 2 .2 e V的新发光峰 .采用隧穿 -量子限制