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3~20GHz宽带行波低噪声放大器的设计
1
作者
马方玥
彭洋洋
隋文泉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期361-364,共4页
介绍了基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计的3~20GHz MMIC宽带行波低噪声放大器。在整个宽频带范围内实现了大于11.5dB的功率增益,增益平坦度1.5dB,小于4.2dB的噪声系数,以及良好的输入输出回波损耗。最大饱和输出功率达到21dBm。该4级级...
介绍了基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计的3~20GHz MMIC宽带行波低噪声放大器。在整个宽频带范围内实现了大于11.5dB的功率增益,增益平坦度1.5dB,小于4.2dB的噪声系数,以及良好的输入输出回波损耗。最大饱和输出功率达到21dBm。该4级级联行波放大器的芯片面积仅为1.5mm×1.5mm。
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关键词
行波放大器
砷化镓工艺
宽带放大器
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职称材料
题名
3~20GHz宽带行波低噪声放大器的设计
1
作者
马方玥
彭洋洋
隋文泉
机构
浙江大学
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期361-364,共4页
基金
国家自然基金资助项目(60971058)
文摘
介绍了基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计的3~20GHz MMIC宽带行波低噪声放大器。在整个宽频带范围内实现了大于11.5dB的功率增益,增益平坦度1.5dB,小于4.2dB的噪声系数,以及良好的输入输出回波损耗。最大饱和输出功率达到21dBm。该4级级联行波放大器的芯片面积仅为1.5mm×1.5mm。
关键词
行波放大器
砷化镓工艺
宽带放大器
Keywords
distributed amplifier
GaAs process
broadband amplifier
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
3~20GHz宽带行波低噪声放大器的设计
马方玥
彭洋洋
隋文泉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
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