化学输运法制备钨单晶涂层及其表征

以晶体生长理论为基础,采用化学气相沉积工艺在常压下高效制备了高纯钨管。随后,以制备的高纯钨管为原料,在真空条件下通过化学输运方法在钼单晶棒表面制备出大面积特定晶体学取向的钨单晶涂层。利用X射线衍射和电子背散射衍射技术对获得的钨涂层进行了单晶定性和晶体质量分析;采用辉光放电质谱法对其进行了纯度测定;通过对单晶涂层进行纳米压痕实验和扫描电镜观察,获得了其微观力学性能和形貌等相关结果。结果表明,采用化学输运方法可以制备出具有特定晶体学取向、结晶完整性好和纯度极佳的高纯钨单晶涂层。

β-W对CVD钨材料压缩性能的影响(英文)

采用冷壁化学气相沉积系统,利用H2还原WF6工艺,在纯铜管表面制备获得了高纯钨材料。在440°C沉积温度下,得到具有混合相的钨管,其压缩性能远低于在540°C条件下得到的只具有α相的钨管。由此表明,β-W的出现极大地降低了钨管的压缩性能。在400°C条件下,对具有混合相的钨管进行1h保护气氛退火后,钨管材料中的β相消失,同时其压缩性能与只具有α相的沉积态钨管相近。