共同富裕背景下数字普惠金融助力乡村振兴的路径研究——以浙江金华为例

近年来,在金融服务经济的政策目标和共同富裕大背景下,数字普惠金融助力乡村振兴的重要性日益突出。本文以浙江金华为例,运用北京大学数字普惠金融指数和熵权法计算乡村振兴指标,使用动态系统GMM模型从定量角度研究数字普惠金融对乡村振兴水平的影响。本文利用问卷调查和实地调研总结了数字普惠金融助力乡村振兴的优秀案例,并从银行和农民两大主体分析其面临的困境和真实诉求,探索数字普惠金融助力乡村振兴的新路径,从而促进三农问题的解决,推动农村产业的良好发展。

一种适合中小跨径桥梁结构挠度快速测试方法

桥梁挠度响应是用于桥梁结构状态评估最主要的指标之一,目前关于挠度测量的方法及装置较多,但在经济性、适用范围、测量精准性等方面无法较好同步。该文提出一种适合中小跨径桥梁的跨中挠度快速高精度测量方法,依托位移传感器在直接接触式测量方面的高精度优势,研发辅助测量装置将桥上测点挠度以刚性连接形式传递至位移传感器,从而实现精准、动态测试目的。建立车-桥-吊杆系统耦合计算模型,同步开展模型试验,对比车辆荷载作用下桥上测点与监测点的位移偏差,验证该文方法用于动力响应测试的可行性。模拟计算横向风荷载作用对该装置传递精度的影响,结果表明:对于12 m长传递杆,横向风荷载作用引起的测量偏差小于5%,证明该文提出的测试方法具有较高的精度和实用性。

穿江盾构隧道管片变形特性分析

盾构隧道的施工和运行过程中,隧道管片变形过大会缩短其使用寿命,甚至发生结构破坏。因此,隧道管片的变形研究尤为重要。现通过数值模拟方法,分析了管片的竖向位移与水平位移的分布规律,发现注入压力和顶推压力与管片的最大变形量成正相关,杨氏模量和埋深则与最大位移量负相关。其中,弹性模量与埋深对管片变形量的影响显著,注浆压力次之,顶推压力最小,可以忽略不计。

不同栅压下Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性仿真

为了实现半导体器件在电离辐射环境中电学特性的动态退化过程,本文基于总剂量效应中陷阱对载流子的俘获/发射过程,建立了Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性数值模型.仿真了不同栅极偏压下,器件电学特性随累积总剂量的上升而造成的器件退化效应,并提取了Si/SiO_(2)界面和栅氧化层中陷阱电荷的变化.仿真发现,随着累计总剂量的上升,两个位置处陷阱电荷的数量都趋向于饱和.当辐照中栅极偏压为正时,器件阈值电压的退化幅度显著高于辐照偏压为负时的退化幅度.无论是辐照过程中栅极加正偏压还是反偏压,都表现出阈值电压的退化幅度随着偏压幅值上升先上升再下降的趋势.栅极偏压对器件辐照后的退火效应也有一定的影响,在退火过程中如果栅极偏压不为零,器件退火后的电学特性恢复幅度比零偏压下的要低一些.

民办高校毕业生就业选择影响因素研究--以浙江师范大学行知学院为例

民办高校已成为中国高校体系中重要的一支力量，研究民办高校毕业生的就业选择影响因素有其必要性。文章采用实证分析的研究方法，以浙江师范大学行知学院为例，对民办大学生就业选择的影响因素与结果进行了问卷调查。采用Logistic回归分析表明，父母因素、个性特征和学生干部经历直接影响大学生就业选择。

新时代市场转向与产业升级路径研究——以浦江的水晶产业为例

产业升级在全球价值链与全球生产网络研究和实践中得到广泛运用。其用来分析发展中国家制造业企业如何在全球价值链和全球生产网络中提升位置与功能。现有研究已将产业升级分为四种类型。关于产业升级的研究主要探讨发展中国家制造企业嵌入以西方市场为主导的生产网络,从而获得产业升级机会。研究强调了全球领先企业和大型购买者对发展中国家实现产业升级的重要性。本文简单阐述了相关概念及路径研究,并分析了水晶产业升级的路径渠道。

基于ARM＋GPRS的IC卡自动售货机的设计与应用

随着嵌入式技术和网络技术的发展,出现了基于无线网络通信的自动售货机系统,介绍了基于ARM微处理器以及GPRS网络通信技术来实现IC卡自动售货机的无线数据传输,提供了基于TCP/IP协议的C/S结构的设计与实现方法。实际应用证实了其可行性。

基于EMD和神经网络的短期电力负荷预测

提出了采用经验模态分解(EMD)和神经网络结合的方法对短期电力负荷进行预测。通过EMD算法将电力负荷的时间序列分解为若干个固有模态函数,采用神经网络对各个固有模态函数分别预测,然后求和重构各个固有模态函数的预测值,最后得出总的负荷预测值。通过仿真分析,该方法相对于采用单一的神经网络预测降低了预测误差,改善了短期负荷预测的有效性。

基于非线性与模糊控制的协调优化策略研究

风、光电等新能源大规模接入后,电网负荷调节手段和系统调峰能力压力明显增大。而我国快速调节电源不足的电源结构决定火电机组必须承担系统调频、调峰的主要任务。文章提出基于非线性控制与模糊控制的火电机组协调控制系统优化策略,即在DEB控制策略基础上,采用变增益和非线性环节改善系统控制特性、并对PID参数运用模糊算法进行实时调整。根据该方案对某电厂协调控制系统进行优化,测试数据表明,机组功率调节速度和深度调峰能力得到较大幅度提高。

关于高耗能大工业用户提高大规模风电消纳能力的研究

针对大规模风电接入电网将会恶化系统调峰的问题,提出在现有电源结构的情况下,利用高耗能大工业用户提高大规模风电消纳能力的方法。大工业用户在增加相应的设备投入和采取适当管理与技术措施后可具备强大的电网调荷功能。以甘肃电网为例,对该方法进行验证,结果表明可以通过高耗能大工业用户来改善系统调峰性能,提高大规模风电消纳能力,也可为电网规划人员提供决策支持。

双模模糊串级控制在超临界及超超临界主汽温控制中的研究

在二维模糊控制结构的基础上,针对主汽温具有影响因素多、时滞较大及模型时变的特点,提出了一种双模模糊串级控制设计方法,既保留了串级控制抗内扰的性能,又融入了模糊控制动态性能好的特点。通过仿真,与串级P ID控制比较,该方法具有较好的控制品质和鲁棒性。

基于ARM的电话机在家校通系统中的应用

本文介绍了一种基于ARM的嵌入式平台来实现教师、家长与学生的三方信息互动与交流,利用PhilipsLPC2292丰富的外围资源,将射频IC卡、GSM移动公话和短信息通知等有机地结合起来,架构于中国移动先进的网络平台,为各地中小学学生、家长、教师之间提供一种全新的交流方式,更好地推进学生的素质教育,给出了关键电路具体的硬件原理图以及设计要点,并针对具体电话机程序设计中出现的难点提出了简单可行的方法,实践证明该系统具有良好的稳定性和实用性。

基于DSP的嵌入式视频监控系统设计

论述了基于TMS320DM642的嵌入式视频监控系统的构成和工作原理。应用DSP、视频A/D、视频D/A及必要的存储设备实现了系统的硬件设计,并给出了各硬件模块的工作和设计原理。最后介绍了该系统的软件设计,并给出了相应的系统工作流程图。

关于火电厂锅炉运行的经济性分析

随着经济的快速发展,对于电厂锅炉的运行效率有更高的要求,锅炉是电厂运行中的重要设备,其运行效率的高低直接影响到电厂的经济效益。目前在电厂的锅炉运行过程中,对其运行的经济性产生影响的因素较多,所以该文着重对影响锅炉运行的各项因素进行分析,从而使电厂运行过程中的经济性得以提升,为保证电厂的经济安全有效运行奠定基础。

浅析电厂锅炉经济运行

针对电厂的实际情况,对影响电厂锅炉经济运行的因素进行分析。着重分析运行因素中蒸汽参数、各项热损失、辅机电耗、负荷分配和助燃油对经济性的影响,提出提高电厂运行经济性的措施,为发电企业的安全经济运行提供参考。

屏蔽栅沟槽MOSFET单粒子微剂量效应研究

以屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET为研究对象,研究了重离子诱发的单粒子微剂量效应的现象及物理机理。对不同偏置电压下的30 V SGT MOSFET进行重离子辐照试验,分析了重离子轰击后器件转移特性曲线的变化趋势,揭示单粒子微剂量效应的退化规律。研究发现重离子入射会引起器件的亚阈值电流增大,导致阈值电压负向漂移,且负栅压下器件的亚阈值电压负向漂移更严重。试验结果结合TCAD仿真进一步揭示在栅氧化层侧墙处Si/SiO_(2)界面的带正电的氧化物陷阱电荷是导致器件阈值电压和亚阈值电压等参数退化的主要原因。研究结果可为SGT MOSFET单粒子微剂量效应评估和建模提供指导。

超临界机组协调控制系统在崇信发电厂中的应用

针对崇信发电厂660MW超临界直流机组协调控制系统进行了分析，优化了机组协调控制方案。实践证明，投产后机组运行稳定，调节品质良好，在40％～100％MCR（额定负荷）段具有优良的负荷适应性，为大型超临界机组协调控制系统的设计提供了很好的借鉴。

水平底板索连续刚构桥施工阶段混凝土收缩徐变效应研究

以贵州山区某高墩大跨水平底板索连续刚构桥为工程背景,采用有限元方法研究了混凝土收缩徐变对水平底板索连续刚构桥施工阶段力学性能的影响,并分析了环境相对湿度和混凝土加载龄期对桥梁施工阶段力学性能的影响。研究发现,在不同施工阶段,考虑混凝土收缩徐变时水平底板索连续刚构桥的挠度均大于不考虑混凝土收缩徐变时的挠度,而考虑混凝土收缩徐变时桥梁的压应力均略小于不考虑混凝土收缩徐变时的压应力。并且,随着环境相对湿度的增大,桥梁的挠度会减小,而压应力几乎不变。此外,随着混凝土加载龄期的增大,桥梁的挠度会先增大后减小,而压应力几乎不变。本文研究成果可为水平底板索连续刚构桥的设计和施工提供有益的指导。

独立学院校企合作应用型人才培养研究

校企合作是高校发展的趋势，它利用校、企双方的优势，提高人才培养的质量。本文从校企合作的内涵出发概况了校企合作的意义、目前我国校企合作存在的问题，及加强校企合作的方法与措施。

基于实验与仿真的SiC JFET单粒子效应研究

我国航天事业发展迅速,大型空间平台的建设以及高性能电推进系统的应用对功率半导体器件的性能提出了越来越高的要求。SiC高压功率器件抗辐射研究亟待突破。对SiC JFET器件施加不同的偏置电压,进行重离子辐照实验,实验表明,SiC JFET器件存在与SiC MOSFET类似的单粒子漏电退化与单粒子烧毁2种失效模式,漏电退化程度与漏极偏置电压、重离子注量呈正相关。通过Sentaurus TCAD仿真研究,单粒子辐照之后分为2个阶段,第1阶段P^(+)栅极区与N-漂移区的PN结局部温度达到2500 K,热应力可能是造成漏电退化的原因;第2阶段N^(+)衬底和N-漂移区结处局部温度持续上升,超过SiC材料的升华温度,导致SiC JFET器件烧毁。该研究为SiC JFET器件的抗辐射加固与空间应用提供了一定的参考与支撑。