CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性

在 CMOS工艺结构中,将位于阱中的 MOS 器件加适当的偏置,可以使其变为体内器件、以横向双极管的模式工作.本文利用 3μm P-well和 2μm N-well两种 CMOS工艺设计了这种横向双极器件,分析讨论了这种器件的工作原理和特点,并给出其典型的直流和交流参数的实验数据.这些分析和实验数据将有助于电路设计者了解和掌握该器件的电流、频率工作范围及特性,以便在CMOS电路中充分发挥其特长.

与CMOS工艺兼容的横向双极晶体管直流特性的新算法

本文提出了一种适用于CMOS工艺中横向双极型晶体管直流特性计算的新方法。新方法采用解析形式计算电流I_c,所需模型参数均保留明确的物理意义,不用数值和曲线拟合参数的方法就能得到处于任何注入水平的本征收集极电流I_c和跨导g_(??)。该方法为在设计高精度的CMOS模拟IC中利用横向双极器件提供了良好的CAD器件模型。模型值和实验值呈现良好的一致性。

PLA/ROM内测试逻辑标准单元法生成环境

1 引言 PLA(可编程逻辑阵列),由于其简单性、规则性和灵活性,已成为经济地实现ASIC及微处理器的结构之一。一般说来,人们选用PLA而不是用随机逻辑来设计微处理器中的控制器,现在ASIC的设计者也开始对PLA的可测性给予了更多的关注。在本文中,我们提出PLA/ROM的BIST测试模型。

一个自调谐,自适应的1.9GHz分数/整数频率综合器

本文提出了一个具有自调谐,自适应功能的1.9GHz的分数/整数锁相环频率综合器.该频率综合器采用模拟调谐和数字调谐相结合的技术来提高相位噪声性能.自适应环路被用来实现带宽自动调整,可以缩短环路的建立时间.通过打开或者关断ΣΔ调制器的输出来实现分数和整数分频两种工作模式,仅用一个可编程计数器实现吞脉冲分频器的功能.采用偏置滤波技术以及差分电感,在片压控振荡器具有很低的相位噪声;通过采用开关电容阵列,该压控振荡器可以工作在1.7GHz^2.1GHz的调谐范围.该频率综合器采用0.18μm,1.8VSM IC CMOS工艺实现.SpectreVerilog仿真表明:该频率综合器的环路带宽约为100kHz,在600kHz处的相位噪声优于-123dBc/Hz,具有小于15μs的锁定时间.

直接数字射频调制器的实现

介绍了将I/Q两路8Bit信号转换成射频信号的一种直接数字射频调制实现方式,它通过采用温度计码编码减小数字信号跳变导致的噪声毛刺,而采用8-fold线性内插信号作为一阶保持信号的近似处理,大大抑制了数字信号镜像成分。对电路进行模拟后,双边带调制后信号镜像成分抑制53.52dB以上,噪声毛刺抑制53.01dB以上,单边带调制后信号镜像成分抑制59.15dB以上,噪声毛刺抑制53.92dB以上。