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题名非晶硅薄膜连续激光晶化结构研究
被引量:1
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作者
程龙
郝惠莲
刘健俣
马永品
丁伟
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机构
上海工程技术大学材料工程学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第8期500-504,525,共6页
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基金
2014大学生重点科研平台创新训练项目(cz1405012)
2014国家级创新训练项目(cs1305009)
+1 种基金
上海工程技术大学博士启动基金资助项目(201308)
上海高校青年教师培养资助计划项目(ZZGJD13023)
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文摘
为了研究连续激光晶化的非晶硅薄膜的结构特性,采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上沉积了非晶硅薄膜,用波长为532 nm的连续激光对非晶硅薄膜进行晶化,并采用喇曼光谱仪、傅里叶红外吸收光谱仪和原子力显微镜对激光晶化前后薄膜的结构和形貌进行表征。结果表明,固定激光照射时间为45 s、激光功率密度为1.914×105 W/cm2时,非晶硅薄膜开始晶化。当激光功率密度达到4.016×105 W/cm2时,薄膜晶化效果最佳。随着激光功率密度进一步增至4.872×105 W/cm2时,薄膜晶化效果变差。当固定激光功率密度保持4.016×105 W/cm2,激光照射时间为10 s时,非晶硅薄膜开始晶化,激光照射时间为45 s时晶化效果最佳。上述研究结果对采用连续激光晶化法制备多晶硅薄膜具有一定的指导意义。
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关键词
等离子增强化学气相沉积(PECVD)
非晶硅薄膜
喇曼光谱
激光晶化
晶化率
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Keywords
plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
amorphous silicon film
Raman spectrum
laser crystallization
crystallization fraction
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分类号
O484.4
[理学—固体物理]
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