高分辨率钼/硅纳米多层膜TOF-SIMS和Pulsed-RF-GDOES深度谱的定量分析

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)和脉冲射频辉光放电发射光谱(Pulsed-RF-GDOES)是两种重要的深度剖析技术,前者广泛应用于半导体工业的质量控制,后者主要应用于工业涂层及表面氧(氮)化层的分析。Mo/Si纳米多层膜由于其出色的反射特性被广泛应用于纳米光刻、极紫外显微镜等领域。本文利用原子混合-粗糙度-信息深度(MRI)模型分辨率函数,通过卷积及反卷积方法分别对Mo(3.5nm)/Si(3.5nm)多层膜的TOF-SIMS和Pulsed-RF-GDOES深度谱数据进行了定量分析,获得了相应的膜层结构、膜层间界面粗糙度及深度分辨率等信息。结果表明:GDOES深度剖析产生了较大的溅射诱导粗糙度,SIMS的深度分辨率优于GDOES。

辉光放电发射光谱高分辨率深度谱的定量分析

介绍了辉光放电发射光谱仪(GDOES)的发展和应用领域,以及测量深度谱定量分析的MRI模型。主要对单晶硅表面自然氧化的SiO2层、单层硫脲分子和Mo/B4C/Si多层光学膜进行了GDOES高分辨率深度谱的定量分析,由此获得了膜层结构、界面粗糙度及元素溅射速率等定量信息。同时,对Mo/Si多层膜GDOES与SMIS深度分辨率进行了比较,最后展望了GDOES和MRI模型的发展趋势。