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多孔硅微秒光致发光衰减
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作者 李清山 李鹏 +1 位作者 马王蓉 方容川 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期325-329,共5页
在微秒范围内测量了多孔硅的光致发光衰减，研究了衰减参数与发光波长、样品制备条件的关系，发现衰减参数与发射波长有关，但不依赖于样品制备条件．用发光三层模型解释了实验结果．
关键词 多孔硅 微秒发光衰减 光致发光
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