我国是慢性病大国,癌症、糖尿病、心脏病、癫痫、高血压等疾病已成为首要致死原因,医疗负担占比70%,形势严峻.相比口服,注射等传统给药方式,植入式精准靶向治疗按时按需、精准适量,见效迅速,几乎无副作用,被证实是慢性病的有效治疗方式...我国是慢性病大国,癌症、糖尿病、心脏病、癫痫、高血压等疾病已成为首要致死原因,医疗负担占比70%,形势严峻.相比口服,注射等传统给药方式,植入式精准靶向治疗按时按需、精准适量,见效迅速,几乎无副作用,被证实是慢性病的有效治疗方式.目前我国在这一领域刚刚起步,尤其在高端植入微纳集成系统级芯片(System of Chip,SoC)、微纳系统集成和封装可靠性等方面,缺少原创性核心技术和共性技术支撑平台,严重落后于欧美发达国家,相关高端医疗器械及核心部件只能高价进口.因此,需要通过突破相关关键共性技术,核心部件国产化,从创新源头推动高端医疗器械发展,从而加速推动我国医疗器械产业化落地,打破欧美日发达国家垄断.本研究以突破医疗用微纳集成芯片和微纳集成系统关键共性技术为目的,解决了微电子小尺寸、高精度、低功耗等难题.通过三维异质集成构建植入式精准靶向给药系统和迷走神经刺激器,实现精准靶向给药、无线充电、生物电信号采集、电刺激等功能,项目样机已通过生物相容性测试和动物实验验证.展开更多
随着摩尔定律推进至纳米级节点,以硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、薄芯片堆叠键合等为支撑的三维集成被认为是延续摩尔定律的重要途径.Cu/SiO_(2)混合键合可以持续缩小芯片间三维互连节距、增大三维互连密度,是芯片堆叠键合前沿技术.近年...随着摩尔定律推进至纳米级节点,以硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、薄芯片堆叠键合等为支撑的三维集成被认为是延续摩尔定律的重要途径.Cu/SiO_(2)混合键合可以持续缩小芯片间三维互连节距、增大三维互连密度,是芯片堆叠键合前沿技术.近年来它在互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)、Xtacking 3D NAND、2.5D/3D集成等商业化应用突破,使之成为国内外领先半导体研究机构研究关注的热点话题.本文将系统梳理混合键合技术的研究历史与产业应用现状,重点分析近年来国内外代表性研究工作的技术路线、研究方法、关键问题等,在此基础上,对混合键合技术的未来发展方向进行展望.展开更多
基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)转接板的三维堆叠集成封装包含许多不同材料的复杂微结构,因此会因热应力而带来可靠性风险。同时,复杂的微结构会导致有限元分析(Finite Element Analysis,FEA)中包含大量单元或节点,并消耗大量计...基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)转接板的三维堆叠集成封装包含许多不同材料的复杂微结构,因此会因热应力而带来可靠性风险。同时,复杂的微结构会导致有限元分析(Finite Element Analysis,FEA)中包含大量单元或节点,并消耗大量计算机资源,建模和仿真变得非常具有挑战性,使用粗网格又可能导致求解不准确。探索了一种模型简化方法,使用梁单元对键合层的凸点进行简化,再使用子模型技术分析危险位置凸点的应力情况。该方法简化了模型,大大减少了计算机资源。在热-力耦合分析中,两个模型之间的位移偏差小于1%,使用子模型技术也很好地预测了最大位移处凸点的应力情况。展开更多
文摘我国是慢性病大国,癌症、糖尿病、心脏病、癫痫、高血压等疾病已成为首要致死原因,医疗负担占比70%,形势严峻.相比口服,注射等传统给药方式,植入式精准靶向治疗按时按需、精准适量,见效迅速,几乎无副作用,被证实是慢性病的有效治疗方式.目前我国在这一领域刚刚起步,尤其在高端植入微纳集成系统级芯片(System of Chip,SoC)、微纳系统集成和封装可靠性等方面,缺少原创性核心技术和共性技术支撑平台,严重落后于欧美发达国家,相关高端医疗器械及核心部件只能高价进口.因此,需要通过突破相关关键共性技术,核心部件国产化,从创新源头推动高端医疗器械发展,从而加速推动我国医疗器械产业化落地,打破欧美日发达国家垄断.本研究以突破医疗用微纳集成芯片和微纳集成系统关键共性技术为目的,解决了微电子小尺寸、高精度、低功耗等难题.通过三维异质集成构建植入式精准靶向给药系统和迷走神经刺激器,实现精准靶向给药、无线充电、生物电信号采集、电刺激等功能,项目样机已通过生物相容性测试和动物实验验证.
文摘随着摩尔定律推进至纳米级节点,以硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、薄芯片堆叠键合等为支撑的三维集成被认为是延续摩尔定律的重要途径.Cu/SiO_(2)混合键合可以持续缩小芯片间三维互连节距、增大三维互连密度,是芯片堆叠键合前沿技术.近年来它在互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)、Xtacking 3D NAND、2.5D/3D集成等商业化应用突破,使之成为国内外领先半导体研究机构研究关注的热点话题.本文将系统梳理混合键合技术的研究历史与产业应用现状,重点分析近年来国内外代表性研究工作的技术路线、研究方法、关键问题等,在此基础上,对混合键合技术的未来发展方向进行展望.
文摘基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)转接板的三维堆叠集成封装包含许多不同材料的复杂微结构,因此会因热应力而带来可靠性风险。同时,复杂的微结构会导致有限元分析(Finite Element Analysis,FEA)中包含大量单元或节点,并消耗大量计算机资源,建模和仿真变得非常具有挑战性,使用粗网格又可能导致求解不准确。探索了一种模型简化方法,使用梁单元对键合层的凸点进行简化,再使用子模型技术分析危险位置凸点的应力情况。该方法简化了模型,大大减少了计算机资源。在热-力耦合分析中,两个模型之间的位移偏差小于1%,使用子模型技术也很好地预测了最大位移处凸点的应力情况。