超薄插入法实现的理想白色有机电致发光器件

以典型发光材料——联苯乙烯衍生物(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-1,1'-biphenyl,DPVBi)和红荧烯(5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene,Rubrene)分别为蓝色、橙色发射体,通过在DPVBi中插入一层超薄Ru-brene制备了结构简单的非掺杂型白色有机电致发光器件,得到了低压启动、效率和色度俱佳的白色发光器件。器件启亮电压为3.1 V,最高电流效率为6.7 cd/A(流明效率5.5 lm/W或外量子效率2.8%),器件色坐标达到理想的白平衡点(0.33,0.33)。理想白光的获得归因于通过调整NPB/DPVBi界面到Rubrene的距离,实现了从DPVBi到Rubrene能量传递的最佳比例。

有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定

以典型有机半导体材料——胺类衍生物NPB（N,N’-diphenyl-N,N’-bis（1-naphthyl）（1,1’-biphenyl）-4,4’diamine）为空穴传输层,采用MoO3为阳极缓冲层制备结构简单的只有空穴传输的单载流子器件.以空间电荷理论为基础,利用从器件电流-电压关系变换而来的一个特殊而简单的函数确定出电场强度在600~1 000V1/2cm^-1/2时,NPB空穴迁移率位于1.1×10^-5~3.5×10^-4 cm2 V^-1s^-1,这与文献报导采用其他方法得到的结果接近,表明这是一种简单而有效的确定有机半导体载流子迁移率的方法,同时也表明MoO3为阳极缓冲层可在ITO/NPB间形成良好的欧姆接触.

蓝色、橙色混合OLED中电压对色度的影响

以联苯乙烯衍生物(4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl,DPVBi)和红荧烯(5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene,Rubrene)分别为蓝色、橙色发射体,通过超薄插入的方法在DPVBi中插入一层Rubrene制备了结构简单的非掺杂型蓝色、橙色混合有机电致发光器件(OLED)。结果表明,器件电压对色度的影响规律随插入位置不同而变。当器件发光中以蓝色为主或以橙色为主时器件色坐标随电压的变化较小,而当器件中蓝色和橙色发射成分较为均衡时色坐标随电压的变化较大。其原因可归于电压对蓝色和橙色发射具有不同的影响。

逆向工程和3D打印技术在工业设计中的应用研究

从逆向工程角度出发,围绕3D打印技术在工业设计过程中的应用进行分析和探讨,使其能够有效弥补传统工业设计模式存在的缺陷,实现传统设计思维的更新。

关于智能制造中机电一体化技术的应用

建立在信息技术的基础上构建的新型科技成为了推动社会稳步发展的基础依据。这其中以智能制造为基础构建的机电一体化技术体系也成为了提升工业发展稳定性的关键技术。因此以智能制造机电一体化技术的应用原理作为切入点,结合智能制造概念以及一体化技术的特征进行分析,并且以实践应用作为主要的探究对象,综合综合传感技术、柔性制造系统、智能机器人、自动化生产以及数控技术体系进行详细分析,能够进一步强化当前机电一体化技术的创新力度,推动我国工业的发展进步和创新。

一种数字式IGBT软关断策略的研究

区别于传统的使用较大阻值慢速放电来实现软关断的方式,介绍了配合灵活的数字控制方式来实现短路关断的另一种软关断方式,可以通过控制策略,达到等效的关断时间或门极放电时间,找出门极电压随时间变化的一种关系,最终来实现IGBT门极软关断,降低关断尖峰,同时也可以实现简化电路设计的目标。

改善IGBT开关特性的关键技术研究

随着近年来IGBT驱动技术的快速发展,其在新能源汽车、国防军事、智能电网等领域的应用越来越广泛。中国制造业发展环境鼓励传统制造业转型升级,带动IGBT的应用需求不断增加,IGBT行业迎来新的发展空间。IGBT智能驱动通过不同的驱动策略,使得IGBT工作在最佳状态。介绍了IGBT在开通和关断阶段的详细变化过程,重点描述了门极电压、集电极电流和集射电压的动态关系,通过单级驱动方式和多级驱动方式说明了改善开关特性的方法和原理。

电力电子器件IGBT在新能源汽车中的选用与保护

随着现代社会电力电子器件的发展,其使用范围越来越广。本文介绍了电力电子器件的类别及特点,分析了IGBT在新能源汽车中的使用以及保护措施,例如:器件的耐压选择、栅极与发射极电压的确定等。这对未来了解与研究IGBT这类电力电子器件提供了参考。

IGBT驱动器研究的科学依据和功能构成分析

新能源作为中国加快培育和发展的战略性新兴产业之一,为包括风力发电、光伏发电、新能源汽车、电能质量、轨道交通等,新能源产业大规模开发利用提供坚实的产业基础和政策保障,如何有效利用、智能控制,以IGBT为代表的半导体器件,正改变当前的产业形态。本文将对IGBT驱动器关键技术研究的科学依据和研究内容进行分析。