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产教融合背景下校企合作的模式创新与实践
1
作者
马腾阁
《中文科技期刊数据库(引文版)教育科学》
2024年第5期0037-0040,共4页
深化校企合作,促进产教深度融合,是职业教育发展的重要战略选择。目前,校企合作是以校企合作的模式为基础,政府积极推动,行业参与引导。由于参与主体众多,各利益主体需求多样,现有校企合作管理模式松散,校企合作动机不足,合作模式单一...
深化校企合作,促进产教深度融合,是职业教育发展的重要战略选择。目前,校企合作是以校企合作的模式为基础,政府积极推动,行业参与引导。由于参与主体众多,各利益主体需求多样,现有校企合作管理模式松散,校企合作动机不足,合作模式单一。校企合作仅停留在学生的顶岗实习与订单培养方面,对于项目合作、协同创新、成果转化、企业员工培训与技能鉴定等方面涉及得比较少,学校与企业之间无法建立起有效的信息沟通和项目管理渠道。为了进一步促进、规范、保障职业院校的校企合作,发挥企业在职业教育中的主体作用,需要有关部门、行业、企业共同建设互联互通的校企合作信息化平台。
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关键词
产教融合背景
校企合作
模式创新
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职称材料
抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用
被引量:
2
2
作者
杨晓军
马腾阁
+1 位作者
张继盛
钱佩信
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期111-117,共7页
对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar^+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar^+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反射膜结构和条宽。用这种结构可以很好地将晶界限制在低反射区...
对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar^+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar^+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反射膜结构和条宽。用这种结构可以很好地将晶界限制在低反射区。实验结果支持了计算模型和设计。在设定的区域(500μm×300μm)范围内可以得到无晶界的条形薄膜(由光刻决定条的位置)。把MOSFET的栅区制作在膜的无晶介条上,测量得到表面电子和空穴迁移率分别为(μ-)_n=630cm^2/V·S·(μ-)_p=143cm^2/V·S;NMOS与PMOS管单位沟道宽度的沟道漏电流分别为I_n=3.3pA/μm,I_p=0.067pA/μm。
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关键词
抗反射束
SOI技术
激光束
薄膜
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职称材料
题名
产教融合背景下校企合作的模式创新与实践
1
作者
马腾阁
机构
保定市徐水区职业技术教育中心
出处
《中文科技期刊数据库(引文版)教育科学》
2024年第5期0037-0040,共4页
基金
河北省职业教育科学研究“十四五”规划2023年度项目“基于校企合作的会计实训课活页式新型教材建设研究”(编号JZY23012)。
文摘
深化校企合作,促进产教深度融合,是职业教育发展的重要战略选择。目前,校企合作是以校企合作的模式为基础,政府积极推动,行业参与引导。由于参与主体众多,各利益主体需求多样,现有校企合作管理模式松散,校企合作动机不足,合作模式单一。校企合作仅停留在学生的顶岗实习与订单培养方面,对于项目合作、协同创新、成果转化、企业员工培训与技能鉴定等方面涉及得比较少,学校与企业之间无法建立起有效的信息沟通和项目管理渠道。为了进一步促进、规范、保障职业院校的校企合作,发挥企业在职业教育中的主体作用,需要有关部门、行业、企业共同建设互联互通的校企合作信息化平台。
关键词
产教融合背景
校企合作
模式创新
分类号
G71 [文化科学—职业技术教育学]
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职称材料
题名
抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用
被引量:
2
2
作者
杨晓军
马腾阁
张继盛
钱佩信
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期111-117,共7页
文摘
对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar^+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar^+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反射膜结构和条宽。用这种结构可以很好地将晶界限制在低反射区。实验结果支持了计算模型和设计。在设定的区域(500μm×300μm)范围内可以得到无晶界的条形薄膜(由光刻决定条的位置)。把MOSFET的栅区制作在膜的无晶介条上,测量得到表面电子和空穴迁移率分别为(μ-)_n=630cm^2/V·S·(μ-)_p=143cm^2/V·S;NMOS与PMOS管单位沟道宽度的沟道漏电流分别为I_n=3.3pA/μm,I_p=0.067pA/μm。
关键词
抗反射束
SOI技术
激光束
薄膜
Keywords
Antireflective stripe
SOI
Active area without grain boundary
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
产教融合背景下校企合作的模式创新与实践
马腾阁
《中文科技期刊数据库(引文版)教育科学》
2024
0
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职称材料
2
抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用
杨晓军
马腾阁
张继盛
钱佩信
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
2
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职称材料
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