高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器制备

Micro-LED作为一种新型的显示技术,具有对比度高、响应快及寿命长等优点,已成为当前研究的热点。然而,尽管潜力巨大,Micro-LED技术的商业化之路仍面临诸多技术上的挑战与瓶颈。本文旨在探讨高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器的制备过程及其相关技术。基于WVGA041全数字信号电路CMOS硅基驱动电路,制作了0.41 inch、分辨率为800×480的主动式单色绿光Micro-LED微型显示器。利用高精度倒装焊接技术实现了CMOS驱动电路与LED发光芯片的电气连接。结果表明,制备出LED显示芯片正常启亮电压为2.8V,EL光谱峰值波长524nm;在硅基CMOS电路驱动范围内,Micro-LED微型显示器在5V电压下,器件亮度为108000cd/m^(2)(最大亮度可达250000 cd/m^(2)),电流密度达到0.61A/cm^(2)时色坐标为(0.175,0.756)。当电流密度从0.3A/cm^(2)增加到1.3A/cm^(2)时,色坐标从(0.178,0.757)变化到(0.175,0.746),器件的色稳定性能够满足实际应用要求。