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SiN_xH_y/SiO_2氢离子敏器件及其特性 被引量：1
1
作者 钟雨乐 赵守安 骆伙有 《暨南大学学报（自然科学与医学版）》 CAS CSCD 1992年第3期39-43,共5页
新型的氢离子敏器件采用 PECVD 法淀积含氢量较高的 SiN_xH_y 膜,同时作为敏感膜与二次钝化保护膜,改善了器件的密封性能.器件敏感灵敏度在56～60 mV/pH 之间,较 LPCVD 法淀积的 Si_3N_4 膜高14%.敏感灵敏度的线性度也有明显的改善.
关键词 PECVD 氢离子敏器件 敏感膜
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园筒型等离子体刻铝及去胶系统
2
作者 钟雨乐 骆伙有 《半导体技术》 CAS 1987年第3期27-30,共4页
本文介绍一套结构比较简单、适合实验室使用的筒园型等离子体刻铝及去胶系统,研究了用CCl_4作为铝刻蚀气体时,刻蚀速率与气体流量、放电电压、样品在反应室内几何位置的关系,并找到了最佳刻蚀条件.
关键词 刻蚀 CCI 蚀刻 水蚀 刻蚀速率 反应室 筒型 等离子体
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