Y、La及Nb掺杂的BaTiO_3半导体陶瓷的研究

以BaCO3和TiO2为原料,采用固相反应法制备了Y、La及Nb掺杂的BaTiO3陶瓷,分析了施主掺杂对样品的室温电阻率ρ25影响规律,探讨了样品的ρ25与施主的含量的关系。研究结果表明:随着施主含量的增加ρ25先增加后减小,当Y、La及Nb含量分别为0.6 mol%、0.3 mol%和0.3 mol%时ρ25达到最小值;总结了几种不同的施主掺杂的特点,Y掺杂的BaTiO3陶瓷的半导化范围宽,La和Nb掺杂的BaTiO3陶瓷的ρ25较低;提出了双施主掺杂配方的选取原则,当La和Nb的掺杂量分别为0.15 mol%和0.05 mol%时,获得的BaTiO3陶瓷的ρ25最低为4.8Ω·cm。

钇掺杂BaTiO_3半导体陶瓷的制备

以BaCO3和TiO2为原料,采用固相反应法制备了钇(Y)掺杂的BaTiO3半导体陶瓷。并且结合XRD分析的结果,讨论了不同煅烧温度对陶瓷半导化的影响和样品的室温电阻率与施主Y的摩尔分数的关系;提出了煅烧温度的选取原则。研究结果表明,随着煅烧温度的升高,材料半导化程度先增加后减小,最佳的煅烧温度为1 200℃。随着Y摩尔分数的增加室温电阻率先增加后减小。当Y摩尔分数为0.6%时在1 200℃煅烧2h获得的材料的室温电阻率最低为31.80Ω·cm。

MgTiO_3基微波介质陶瓷的掺杂改性及低温烧结技术

阐述了MgTiO3基微波介质陶瓷材料掺杂改性的基本原则,系统介绍了τf补偿剂和低温烧结助剂的选用规律,总结概括了制备MgTiO3基微波介质陶瓷材料常用的添加剂的种类及其对材料性能的影响;重点评述了近年来MgTiO3基微波介质陶瓷材料掺杂改性的研究进展,并对目前MgTiO3基微波介质陶瓷存在的问题和今后研究发展趋势进行了展望。

预烧工艺对Mg_2SiO_4-CaTiO_3-MgTiO_3介电陶瓷结构性能的影响

采用预烧工艺对原料钛酸镁粉体预烧,分别以原料钛酸镁及预烧钛酸镁粉体为原料,用固相法制备了0.45Mg2SiO4-0.05CaTiO3-0.55MgTiO3(0.45MS)微波介质陶瓷。以XRD、SEM分析了0.45MS陶瓷的相组成和结构形貌,并测试了其在1MHz下的介电性能。结果表明,原料钛酸镁粉体在1 300℃下预烧后变为纯相的偏钛酸镁(MgTiO3);由预烧工艺制备的0.45MS陶瓷中,没有杂相MgTi2O5产生,损耗降低;0.45MS陶瓷经1 340℃烧结2h后获得了优异的介电性能。