光电化学法测定硅中少子扩散长度

本文将Gartener方程应用于硅材料,并提出了称之为I_o/I_(ph)-α^(-1)法的光电化学法,用于测定硅中少子扩散长度.文中研究了实验条件对测量结果的影响,讨论了该法的实用价值和给出了与SPV法对比的实验结果.

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.

关于提高电装生产设计手段和方法的一些考虑

本文叙述了目前电装生产设计过程中存在的一些问题及建议采用的对策。旨在提高设计质量、工作效率和减轻劳动强度。