硫族元素取代法制备原子层厚的MoS2-MoSe2平面异质结

本研究采用两步化学气相沉积法首先制备单层MoSe2材料,然后对其进行硫化,结合原子分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)定量表征了不同硫化时间下样品中替代硫原子的分布。研究表明:硫原子取代优先发生在MoSe2晶畴边缘,形成MoS2-MoSe2异质结构,该异质界面进一步作为取代反应中心逐渐向MoSe2晶畴内部扩展,最终形成具有原子级平整界面的MoS2-MoSe2平面异质结。